【課題】安定した特性を有する自励発振型の埋込型の窒化物半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ｎ型クラッド層１１とｐ型クラッド層１３で挟持された活性層１２と、活性層１２への電流を狭窄するための開口部を有する電流狭窄層１４を備えた埋込構造において、電流狭窄層１４の開口部を覆うように、電流狭窄層１４上に、ｐ型不純物が添加された窒化物半導体からなる再成長層１５が形成され、開口部に埋設された再成長層１５のうち、開口部側面に隣接する一定の幅Ｗを有する領域が、ｎ型化領域１５ａになっている。これにより、電流狭窄層１４の開口部を実効的に狭くすることによって、自励発振型の窒化物半導体レーザ装置１０を得る。 （もっと読む）

【課題】 一対の電極の高さを容易に揃えることが可能な構造の半導体装装置を提供する。
【解決手段】 支持基板上に、第１導電型の半導体からなる第１の半導体層が形成されている。第１の半導体層の上に、第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる第２の半導体層が形成されている。第２の半導体層の底面まで達し、第２の半導体層を、相互に分離された第１の領域と第２の領域とに区分する溝が形成されている。第２の半導体層の第１の領域上に第１の電極が形成され、第２の半導体層の第２の領域上から、溝の底面に表れた第１の半導体層の表面までを連続的に覆う第２の電極が形成されている。第１の半導体層及び第２の半導体層が、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で形成されている。第１の電極の、第２の半導体層に接する面と、第２の電極の、第１の半導体層及び第２の半導体層に接する面とが、同一の金属材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 反射金属層の絶縁層に対する付着力に優れたＯＤＲ（Omni-Directional-Reflector）構造を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層２５の裏面の絶縁層１５（例えばＳｉＯ₂ ）と反射層（第２金属層１３（例えばＡｕ））との間に、第２金属層１３よりも絶縁層１５に対する付着力が強く、かつ第２金属層１３と低温で合金化しやすい金属（例えばＡｌ）からなる第１金属層１４を介在させると共に、第２金属層１３と第１金属層１４との界面に合金領域２７を形成する。第２金属層１３と絶縁層１５との間に第１金属層１４が存在するため、第２金属層１３の絶縁層１５に対する付着強度が高くなる。合金領域２７の存在により、絶縁層１５と第２金属層１３との間に第１金属層１４を設けたことに起因して第２金属層１３の反射層としての機能が実質的に妨げられるようなことはない。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と電極パッドとの密着性が向上された半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体素子２上に設けられシリコン原子を含む樹脂層４ａの表面４ａｓを、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスから生成されたプラズマＰ１によって処理することにより、酸化膜６ａを形成する第１のプラズマ処理工程と、酸化膜６ａ上に金属からなる電極パッド８を形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、一般に、半導体、半導体内部の材料層、半導体の生産方法、および半導体生産用の製造装置に関する。本発明による半導体は、表面を有してレーザーアブレーションによって生産される少なくとも１つの層を備え、生成される均一な表面積が少なくとも０．２ｄｍ²の領域を含み、パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、層が生成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は光取り出し面とは逆の面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光の取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。発光ダイオードの主たる光取り出し面とは逆の面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第１の電極側の表面には反射金属膜が形成されている。第２の電極は第１の電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している。 （もっと読む）

【課題】基板材料の制約或いは発光強度低下やばらつき等が生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、且つ、発光サイズを小さくすることが可能な発光素子及び発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光層１、発光層１の一方の面側に形成されたｐ型電流拡散層２、発光層の他方の面側に形成されたｎ型電流拡散層３、ｐ型電流拡散層の一部に形成されたｐ型電極４、ｎ型電流拡散層の一部に形成されたｎ型電極５を具備する。そして、ｐ型電極とｎ型電極とを互いに位置をずらして配置し、ｐ型電極とｎ型電極との選択パターンによって発光層２における発光点を制御する。そうすることで、発光点ピッチを小さくでき、発光点サイズを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上した窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間にＭＱＷ活性層１０３が積層された構造を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体層のｎ型コンタクト層１０１の下面に形成されたｎ電極１１２と、窒化物半導体層のｐ型コンタクト層１０５の上面で、ｎ型コンタクト層１０１の下面のｎ電極１１２が形成された領域に対向する対向領域に形成された絶縁膜１０７と、ｐ型コンタクト層１０５の上面で、絶縁膜１０７が形成されていない領域に形成されたｐ電極として透明電極１０６を備える。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体に対して接触抵抗が小さく、さらに光反射性が高い電極を形成した化合物半導体、及び発光効率が高く、信頼性が高い発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系の化合物半導体２０は、ゲルマニウムから成る層を有する電極が窒化ガリウム系の化合物半導体２０の表面にゲルマニウムから成る層が接するようにして形成されている。具体的には電極は、ゲルマニウムから成る第１の層２１、銀，アルミニウム及びロジウムのうちのいずれかから成る第２の層２２、ニッケル，チタン，ニオブ及びモリブデンのうちのいずれかから成る第３の層２３、及び金を含む第４の層２４が順次積層されて成る構成である。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりがよく、光取出し効率を向上した窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子の製造方法は、基板上に、ＩｎＧａＮを含む光溶解層を形成する工程と、光溶解層上にＩｎＧａＮを含む層を少なくとも１層以上積層し、窒化物半導体層を形成する工程と、少なくともＩｎＧａＮを含む層が露出する側面に、絶縁膜を形成する工程と、電解液中で少なくとも一部が露出した光溶解層に、ＩｎＧａＮのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】銀を主成分とする電極を形成する場合に、銀のマイグレーションを実質的に完全に防止することができ、耐環境性に優れた安定で高性能な電極を得ることができ、このため高性能で長寿命かつ高信頼性の発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光波長の光に対して透明な基板１上にｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２、活性層３およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層４を順次成長させ、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層４上にＡｇを主成分とする第１の金属膜６を形成し、この第１の金属膜６を覆うようにＰｄおよび／またはＰｔを主成分とする第２の金属膜７を形成してｐ側電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】応力歪が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の主面を有する半導体層と、前記半導体層の前記第１の主面に設けられた第１電極と、前記半導体層の前記第２の主面において第１の方向に延在する凹部と、少なくとも前記凹部の内壁を被覆する補強層と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

第１主表面と、第１主表面に対向した第２主表面とを有する、高熱伝導性の基板を含むディンプル基板およびその製造方法。活性エピタキシャル層が、基板の第１主表面の上に形成される。ディンプルが、第２主表面から基板中を第１主表面に向かって延びるように形成される。低抵抗材料からなる電気コンタクトが、第２主表面の上とディンプルの中に形成される。低抵抗で低損失のバックコンタクトがこのように、基板を効果的なヒートシンクとして維持しながら形成される。
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【課題】 発光素子が全体的に均一に効率よく発光し、かつ基板が光を吸収することないことから、活性層からの発光を効率よく外部に取り出すことのできる高輝度の発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、六方晶からなる単結晶基板の一主面に、化学式Ｇａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＡｌ_ｘＮ（０＜ｘ＋ｙ＜１、ｘ＞０、ｙ≧０）で表される第１導電型半導体層と、化学式Ｇａ_{１−ｘ’−ｙ’}Ｉｎ_ｙ’Ａｌ_ｘ’Ｎ（０＜ｘ’＋ｙ’＜１、ｘ’＞０、ｙ’≧０）で表される活性層と、化学式Ｇａ_{１−ｘ’’−ｙ’’}Ｉｎ_ｙ’’Ａｌ_ｘ’’Ｎ（０＜ｘ’’＋ｙ’’＜１、ｘ’’＞０、ｙ’’≧０）で表される第２導電型半導体とを含むとともに前記順でこれらの層が積層されている半導体層が形成されており、単結晶基板の一部にエッチングによって半導体層に達して形成された貫通孔から成る光取り出し孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体からなる発光素子の表面に設けられる透光性導電層に凹凸を形成することにより、発光層で発光した光が半導体積層部と基板内で全反射を繰り返して減衰させないで光を有効に取りだし、外部量子効率を向上させる。
【解決手段】 基板１の一面上に、ｎ形層３およびｐ形層５を含む窒化物半導体層が発光層を形成するように積層されることにより半導体積層部６が形成され、その半導体積層部６の表面側に透光性導電層７が設けられている。この透光性導電層７の表面に凹凸のパターン（凹部７ａ）が形成されている。透光性導電層６上にはｐ側電極８が設けられ、半導体積層部６の一部をエッチングして露出するｎ形層３に電気的に接続してｎ側電極９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電流分散効率を改善した垂直構造の窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物単結晶成長用基板３１上に順次ｎ型窒化物半導体層３２、活性層３３、ｐ型窒化物半導体層３４を形成し、ｎ型窒化物層の表面の少なくとも一面のほぼ中央領域に中央が開放されたマスクＭを介して窒化物単結晶が損傷された高抵抗領域３４ａを形成する。これを含むｐ型窒化物半導体層上にオーミックコンタクト層と導電性基板を順次形成し、窒化物単結晶成長用基板を分離し、ｎ型窒化物半導体層３２の露出面上にｎ側電極を設けて、オーミックコンタクト層と接するｐ型窒化物半導体層の表面及びｎ側電極と接するｎ型窒化物層の表面の少なくとも一面のほぼ中央領域に窒化物単結晶が損傷されオーミックコンタクト層とショットキ接合を有する高抵抗領域を形成した垂直構造の窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

導電層または層スタックを圧縮性層または層スタック上に形成し、エンボス加工工具に接触させる方法により、デバイスを製作する。エンボス加工工具の隆起部分によって圧縮性層またはスタックが圧縮され、導電層またはスタックが圧縮性層またはスタックに埋め込まれる。
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少なくとも１つの金属層が含まれている半導体デバイスを基板上に製造するための方法。この方法は、上記基板を除去して第２基板を付着するステップと、少なくとも１つの金属層上に電磁放射線のビームを照射することによって、少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに分離溝を形成するダイサーの目詰まりを防止すると共に、その半導体ウエハから切り出される半導体デバイスの歩留りを良好に確保すること。
【解決手段】空洞Ｒに充填する第２の接着剤（４０）のベース材料はエポキシとし、そこに直径約２〜４μｍ程度のシリカからなるフィラー粒子を適当量混入した。充填方法は、半導体ウエハの側壁面にこの第２の接着剤を垂らす様にしても良いし、第２の接着剤の液面にその半導体ウエハの縁を浸す様にしても良い。粘性の小さな液状のエポキシを用いることによって、毛細管現象を利用しつつ第２の接着剤を空洞Ｒの中にムラなく充填することができる。露出したｎ型層１２ａ表面に、ｎ電極５０をレジストマスクを用いた蒸着によって形成する。露出したｎ型層１２ａ表面から、第２の接着剤４０に向うダイシングによってハーフカット状の分離溝Ｓを形成する。 （もっと読む）

【課題】反射率ならびに光反射層および半導体層の電気的な接触性がいずれも高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体層２０、下地層３０および光反射層３１をこの順に積層して構成されたものである。半導体層２０は、バッファ層２１、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される。下地層３０は、ｐ型コンタクト層２７の表面に形成されると共に遷移金属にＡｇ（銀）を添加して構成され、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有する。光反射層３１は、下地層３０の表面に形成されると共にＡｇに所定の物質を添加して構成される。 （もっと読む）