【課題】Ａｇを用いた反射電極において、工程上発生する微小な欠陥によるＡｇの露出を抑制して、発光素子の短絡による発光出力の低下、電流電圧特性の劣化を防止することにある。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられている半導体発光素子であって、その正極が以下の構成からなる。
少なくともｐ型半導体層と接する、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅの群の中から選ばれる一種あるいはこれらの合金からなるコンタクトメタル層と、該コンタクト層上にＡｇを成分として含む金属乃至合金からなっている反射層と、該反射層の上面及び側面を覆う様に、Ａｇを成分として含まない１層または２層以上の保護金属層とを有している。 （もっと読む）

【課題】安定な状態でより細い線幅とより長い直線性を有する細線構造やこれによる配線をより容易に形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（００１）面とされた単結晶シリコンからなる基板（シリコン基板）１０１を用意し、シリコン基板１０１を、アンモニア過水，塩酸過水，希フッ酸，硫酸過水よりなる洗浄液を用いた所謂ＲＣＡ洗浄などにより洗浄し、洗浄したシリコン基板１０１を、例えば８×１０^-8Ｐａ程度の超高真空とされた処理チャンバー内に搬入して１２００℃以上の温度まで加熱し、シリコン基板１０１の表面が清浄化された状態とする。次に、シリコン基板１０１を、７００〜８５０℃に加熱された状態とし、これを維持した状態で、例えば蒸着により金（Ａｕ）を表面に吸着させ、シリコン基板１０１の表面に０．３３〜１．５ＭＬ程度のＡｕの層が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層を備える半導体素子において、素子駆動電流の漏洩を低減することができ、発光素子として光電変換効率を高くでき、逆方向電圧も高くでき、また電界効果型トランジスタとしてゲート電極を高耐圧性とし、ドレイン電流のピンチオフ特性も改善することができるようにする。
【解決手段】 本発明は、燐化硼素系半導体層１０２を備える半導体素子１０において、燐化硼素系半導体層１０２は六方晶からなり、その六方晶の燐化硼素系半導体層１０２の表面に電極１０９を設けたものである。 （もっと読む）

本発明は導電線パターン形成のための銀オルガノゾルインクに係り、下記式１で定義される芳香族カルボン酸銀１０〜５０重量％；ヒドロキシエチル基で一つ以上置換されたアミンと炭素数２〜１６の直鎖または分枝状の脂肪族チオールで構成される群から選択される反応性有機溶媒１０〜６０重量％；及び極性または非極性有機溶媒残量で構成されるインクジェットプリント用銀オルガノゾルインクが提供される。
【式１】


前記式でＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４とＲ_５はそれぞれ水素、ヒドロキシ基、炭素数１ないし９のアルキル基または−ＣＯＯ⁻Ａｇ^＋である。
本発明によってＬＣＤとＰＤＰ等のようなディスプレイ分野だけでなく太陽電池とＲｆｉｄのように導電線パターンが必要な多様な分野で用いられることができる銀含量が高くて完全な溶液状態の銀オルガノゾルインクを得ることができて金属化によって低い電気抵抗の良好な微細構造を有する導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体表面に形成されるｎ型オーミック電極に関して、製造工程における熱処理や高電流が流れる使用条件に対して信頼性に優れており、かつ低い接触抵抗が得られるｎ型オーミック電極を提供する。
【解決手段】 本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。前記第１の領域には、前記構成に加えてＭｇが含まれていてもよい。また、前記第２の領域の上には、Ａｕを含む第３の領域が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の加工による収率の低下を来すことがなく、また結晶成長における難しい条件制御を伴うこともなく、光の取り出し効率を向上させることにある。
【解決手段】 基板側から発光を取り出す構造を持つ半導体発光素子である。この素子の発光を取り出す面とは反対側にある半導体層の電極が形成されていない面に凹凸加工を施した半導体発光素子である。
その製造方法は次の通り。先ず電極を形成する領域以外の半導体層の表面に金属薄膜を形成する。次いで加熱して該金属の凝集粒によるマスクを形成し、その後ドライエッチングすることにより前記電極が形成されていない半導体層の表面に凹凸部を形成することからなる。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】一方の極性のオーミック電極を、開口率を領域により異にして開口部を設けた導電性薄膜から構成する。特に、双方の極性の電極間に在る領域に、開口率を、周辺のその他の領域より大として開口部を設けた導電性薄膜を配置してオーミック電極を構成する。また、他方の極性の電極に近接する領域に、間口率を特に小とする導電性薄膜を配置してオーミック電極を構成する。さらに一方の台座電極と他方の電極とを結ぶ帯状部分の領域の開口率を他の領域より大きくする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。前記ｎ−電極は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素からなる第１電極層と；前記第１電極層上に、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む伝導性物質を用いて形成される第２電極層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ナノＳｉの結晶性を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子を提供し、また、その製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型単結晶のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一表面側に、シリコン基板１０から分離して設けられ、このシリコン基板１０と同一の結晶軸を持つナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２と、シリコン基板１０のナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２が設けられた一表面側に形成される透明電極１５と、このシリコン基板１０の他表面側に形成される金属電極１６とを備えた。
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【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体層中に発生する電界分布を可能な限り広げることで、電流分布の偏りを低減し、光取出し効率が向上した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、複数の窒化ガリウム系化合物半導体層がエピタキシャル成長法により積層された直方体状の半導体積層体７を有するとともに、最上層の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された四角形状のｐ側導電層９と、窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去した露出部に形成された鉤状のｎ側導電層１１とが、半導体積層体７の同じ主面側に平面視で全体として一つの四角形状を成すように相補的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を製造する方法及び基板上に積層膜を形成するための基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、１つ又は複数のロードロックチャンバに接続された１つ又は複数の搬送ポット及び２つ以上の異なるタイプの処理チャンバを含む。２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。基板処理システムは、その場の基板処理のための高処理能力及びコンパクトな専有面積を提供し、かつ異なるタイプの処理を行うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】垂直型構造の発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高温工程が求められない電解メッキの方法で発光構造の上部にメタル支持層を形成して、素子に欠陥の発生が減らせる。また、本発明は軟金属と硬い金属を含むメタル支持層を発光構造の上部に形成してウェーハの撓み問題を防止し、機械的強度が高められて信頼性を向上させられる。本発明は、例えば、発光構造と；前記発光構造の上部に形成され、軟金属と前記軟金属のヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）より高いヤング率を有する硬い金属で構成されるメタル支持層を含んでなされる垂直型構造の発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体に対する低抵抗オーミックコンタクトの電極を実現すること。
【解決手段】電極とｐ型半導体の間にＧａＳｂ半導体中間層を積層する。４．４×１０¹⁷ｃｍ^-3のキャリア密度を持つＭｇドープのｐ型ＧａＮをバルク基板として用いた。まず、超音波洗浄したその基板上にフォトリソグラフィーによってパターンを作成した。この基板と電極との間に設けるＧａＳｂ中間層は、粉末状のＧａＳｂを真空蒸着して積層し、その上にＧａＳｂに対するコンタクト材としてＴｉを蒸着した。その電気特性は蒸着後はショットキーであったが、熱処理を施すことによりオーミック特性を示した。これは、ＧａＳｂ中間層の挿入によりショットキーバリアが２箇所に分散され、且つ、Ｎ，Ｓｂの熱拡散によって中間層とｐ型ＧａＮとの界面のＳＢＨ（ショットキーバリアハイト）が低減したためであり、これにより、中間層の上下両界面でそれぞれ界面抵抗が低くなる。 （もっと読む）

【課題】 電極形成工程の加工条件を変更せずに、上部金属電極剥がれの不良発生率を低減することが可能な半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 半導体基板上に、エピタキシャル成長法を用いて成長した半導体薄膜を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体エピタキシャルウェハ１００の表面である前記半導体薄膜の最表層の表面に、インジウム１０８を付着させた構造とする。 （もっと読む）

第1の透明電極層（103；203）と、第2の電極層（104；204）と、前記第1および第2の電極層（103、104；203、204）の間に挟まれた有機機能層（102；202）と、を有する有機機能装置（101；201）に、電極層パターンを形成する方法である。当該方法は、レーザ（704；804）を、前記第1の透明電極層（103；203）を介して、前記有機機能装置（701；801）に照射されるように配置するステップ（601）と、前記レーザ（704；804）により、前記第2の電極層（104；204）の導電性を局部的に変化させることが可能となるように、レーザパラメータの組を選定するステップと、前記レーザパラメータの組に従って、前記レーザ（704；804）により、前記第2の電極層（104；204）の導電性を局部的に変化させ、これにより前記電極層パターンが形成されるステップと、を有する。
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【課題】 ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。
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【課題】 電子光学デバイス用電極を提供する。
【解決手段】電子光学デバイス用電極は、基板上に形成された、導電材料から成るぬれ層を備える。導電材料から成るぬれ層の上には、導電材料から成る第２層が形成される。ぬれ層は基板の表面に対して第１ぬれ性を持ち、第２層は基板の表面に対して第２ぬれ性を持つ。ここで、第１ぬれ性と第２ぬれ性は互いに異なり、ぬれ層は、基板の表面に対して当該ぬれ層が持つぬれ性により、電極の光学的特性を変化させる役割を持つ。 （もっと読む）

【課題】低動作電圧を実現することができ、信頼性の向上が可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 （もっと読む）