本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜とその製造法、ならびにそれらを用いて製造される有機デバイスを提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解し、導電性を高めるために1次粒子を分割して粒径の小さく揃った溶液を基板の表面に供給すると共に、当該基板を回転させ、前記基板の表面に１次コロイド粒子の単層又は数層からなる塗布膜を形成する。続いて前記基板を加熱して前記塗布膜中の溶媒を除去し、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜を形成する。また前記溶液を基板の中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板の漏れ性を高めるためにプリウエット液を基板の表面に塗布してもよい。 （もっと読む）

透過性の導電性酸化物材料などの高品質で高接着性の金属および酸素材料の層が溶液堆積処理で基板上に電着される。基板は、金属および酸素材料の基板への接着を促進する多座活性化剤と接触されることによって、金属および酸素材料をその上に電着する前に活性化される。活性化処理剤の使用により、真空蒸着処理によって基板上に金属および酸素材料の「シード」層をあらかじめ堆積する必要がなくなる。処理パラメータは、高効率の光起電装置の背面反射体構造での使用に好適な材料の高品質層の堆積をもたらすように制御される。特定の実例では、活性化方法は連続的なロールツーロール処理で実現され得る。さらに、本処理によって作製された半導体装置および半導体装置の構成要素、ならびに当該処理を実行するための装置が開示される。
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【課題】支持基板上に高品質の窒化物半導体層が形成された複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板は、支持基板と、窒化物半導体層と、支持基板と窒化物半導体層との間に設けられた接合層とを備える。窒化物半導体層の転位密度は、１×１０^８個／ｃｍ^２以下である。窒化物半導体層は、接合層側の第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有している。第１面における転位密度と第２面における転位密度との差が１×１０^２個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗率の低下が図られたＩＴＯ膜を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含み、発光構造を有する半導体膜と、半導体膜上に形成され、インジウムスズ酸化物を含み、半導体膜から放出された光を透過させ、少なくとも半導体膜に接する界面で粒子が周期的に配置された構造を持つ透明導電膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率、発光効率などの光−電気変換特性に優れかつ、光−電気変換特性の安定性に優れる有機エレクトロニクス素子およびその製造方法を提供することにあり、特にフレキシブル基板に好適に用いることができ、光電変換効率、発光効率などの光−電気変換特性に優れかつ、光−電気変換特性の安定性に優れる有機エレクトロニクス素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明支持体11上に第一の電極12を有し、該第一の電極上に有機層を有し、該有機層上に第二の電極14を有する有機エレクトロニクス素子10であって、該第一の電極は透明導電層と、ネット状であり、その開口部が不規則なパターンを有する形状である補助電極とを有することを特徴とする有機エレクトロニクス素子。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】高品質のオーミックコンタクトをIII−Ｖ族半導体材料に形成して、消費電力が低くて長寿命の半導体デバイスを作製する。
【解決手段】半導体デバイス５００は、第１のIII−Ｖ族半導体層５１０と、III−Ｖ族半導体中間層と、フェルミエネルギレベルを有する金属層５３０とを含む。金属層５３０のフェルミエネルギレベルは第１のIII−Ｖ族半導体層５１０およびIII−Ｖ族半導体中間層の有する価電子帯のエネルギレベルより高く、III−Ｖ族半導体中間層のエネルギレベルは金属層５３０のフェルミエネルギレベルと第１のIII−Ｖ族半導体層５１０の有する価電子帯のエネルギレベルとの間に存在し、III−Ｖ族半導体中間層は、第２のIII−Ｖ族半導体層５２０と、第３のIII−Ｖ族半導体層５２５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ層の裏面（Ｎ原子面）上に低抵抗なオーミック電極を形成することが可能なオーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オーミック電極１６は、表面１３ａと、この表面１３ａと反対側の裏面１２ｂとを有し、表面１３ａが（０００１）面で、導電型がｎ型であるＡｌＧａＮ層１１の裏面１２ｂに形成されたオーミック電極１６において、オーミック電極１６において裏面１２ｂに接触している領域はＷを含むことを特徴としている。オーミック電極１６の製造方法は、裏面１２ｂに接触する領域にＷおよびＭｏの少なくとも一方を含むオーミック電極１６を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光の指向角を改善させることができるようにした半導体発光素子及びこれを備えた発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明に従う半導体発光素子は、外側にラウンドされた側面を持つ複数の化合物半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に第１電極部と、上記発光構造物の下に第２電極層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層と接続電極との接合性および電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる第１のボンディングパッド電極２００とを備える。また、半導体発光素子１は、弁作用金属の一種であるタンタルを含むとともにｎコンタクト層の半導体層露出面１４０ｃと接する側がタンタル酸化物あるいはタンタル窒化物層となるように積層される第２の接合層２２０と、第２の接合層２２０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる接続電極の一例としての第２のボンディングパッド電極２３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体層が直接接する構造は、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むバッファ層を、酸化物半導体層とソース電極層及び、酸化物半導体層とドレイン電極層との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの層間ショート欠陥を低減することが可能な薄膜トランジスタ基板およびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ３０は、例えば、基板１０上に、下層電極３１、キャパシタ絶縁膜３２および酸化物半導体よりなる上層電極３３を順に有している。具体的には、上層電極３３は、ＴＦＴの酸化物半導体層と同層に形成されたものである。上層電極３３が薄く、ステップカバレージが悪いので、キャパシタ絶縁膜３２中に異物が存在しても、下層電極３１と上層電極３３との間で層間ショートが発生しにくくなる。酸化物半導体はアモルファスシリコンに比べて導電性が高いので、櫛歯状などの複雑な形状にする必要はなく、上層電極３３の全面をキャパシタ電極として機能させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、支持基板１と、支持基板１上に形成されたｐ側オーミック電極１５と、ｐ側オーミック電極１５上に形成され、活性層１２を含む半導体層１０ａとを備え、ｐ側オーミック電極１５は、Ａｇを主成分とし、約０．６質量％のＰｄと、約０．９質量％のＣｕとを含有するＡｇ合金材料からなるＡｇ合金層１５ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、チャネル保護層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）