【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体の一部が、チャネル保護膜６ｄ（５ｄ）における膜厚の厚い一端側に重なる構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制することができ、チャネルの乱れを抑えることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】最大発振周波数ｆ_ｍａｘを高くしてダイヤモンド電界効果トランジスタの特性を大きく向上させ、かつ電圧降下を小さく抑えることにより実用レベルに到達させること。
【解決手段】「ソース・ゲート電極間隔ｄ_ＳＧ、ゲート・ドレイン電極間隔ｄ_ＧＤを狭くすること」と「ソース電極の厚さｔ_Ｓ、ドレイン電極の厚さｔ_Ｄを厚くすること」とを両立させるために、ソース電極およびドレイン電極を、エッチング溶液を用いてエッチングする層とレジストを用いてリフトオフする層とに分けて形成する。これにより電極の逆メサ部を小さくすることができるため、ソース電極とゲート電極との間隔を小さくして最大発振周波数ｆ_ｍａｘを上げ、かつソース電極およびドレイン電極の厚みを厚くして電圧降下を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】有機電子装置のための電極処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）にける電極の処理方法と、そのような方法によって調製される装置と、そのような方法において使用される材料および配合物とに関する。 （もっと読む）

【課題】局所的な電流集中を防止して均一な発光分布を得ることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた光反射性を有する反射電極と、反射電極上に設けられた発光層を含むAlGaInP系半導体膜と、半導体膜上に設けられた表面電極と、を含む。表面電極は、半導体膜上に分散配置された複数の電極片からなるオーミック電極を含む。反射電極は、オーミック電極を構成する電極片の各々を挟んだ両側において電極片に沿うように設けられた線状のライン電極および複数の島状のドット電極からなる。ライン電極とドット電極との距離をａ、オーミック電極とドット電極の水平距離をｂ、互いに隣接するドット電極間の距離をｃとしたときに、ｂ＞ａ且つ０．８（ａ^２＋２ａｂ）^１／２＜ｃ＜２．４（ａ^２＋２ａｂ）^１／２を満たすように表面電極および反射電極が配設される。 （もっと読む）

半導体デバイスを形成する方法であって、この方法は、半導体層を準備するステップと、半導体層上に第１の金属の第１の層を準備するステップとを含む。第１の金属の第１の層上に第２の層を準備することができる。第２の層は、シリコン層及び第２の金属の層を含むことができ、第１の金属及び第２の金属は異なり得る。第１の金属はチタンとすることができ、第２の金属はニッケルとすることができる。関連するデバイス、構造体、及び他の方法もまた説明される。 （もっと読む）

【課題】焼結工程および浸漬処理が不要であり、優れた導電性が得られる銀超微粒子含有組成物および導電性パターン作製方法を提供する。
【解決手段】水性媒体中に、平均粒径が０．１μｍ以下の銀超微粒子、ポリマーラテックス、および水溶性ハロゲン化物を含有することを特徴とする銀超微粒子含有組成物。およびこの銀超微粒子含有組成物を基材表面に塗布・乾燥させることによりパターンを作製し、該パターンに紫外線の照射および／または水分の再付与を行う導電性パターン作製方法。 （もっと読む）

【課題】グラフェン膜と金属電極との間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記グラフェン膜と直接接触する下地層としての酸化アルミニウム膜が前記グラフェン膜の下部のみに形成されており、前記酸化アルミニウム膜の組成がAl_2-xO_3+x（x ≧ 0）であり、前記グラフェン膜と金属電極とが直接接合し、該接合箇所には凹凸構造が形成され、前記凹凸構造は、前記酸化アルミニウム膜に形成された少なくとも１つのコーン状凹部と、前記コーン状凹部を含む前記酸化アルミニウム膜の表面に沿って該表面と平行に成長した前記グラフェン膜と、前記グラフェン膜を覆いかつ前記コーン状凹部を埋めるように形成された前記金属層とから構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層上の透光性電極とｎ型窒化物半導体層との両方に好適に接続可能な構造のパッド電極を備える窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１０は、基板１上に、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４を積層してなり、ｎ型、ｐ型窒化物半導体層２，４にそれぞれ電気的に接続するｎ側パッド電極７ｎ、ｐ側電極５をさらに備える。ｐ側電極５は、ｐ型窒化物半導体層４上に形成された導電性酸化物からなる透光性電極６と、透光性電極６上の一部の領域に形成されたｐ側パッド電極７ｐとからなる。そして、ｎ側パッド電極７ｎおよびｐ側パッド電極７ｐは、ｎ型窒化物半導体層２および透光性電極６のそれぞれに接触する側から、Ｃｒ層７１ａ、Ｐｔ層７１ｂ、Ｒｕ層７２、Ａｕ層７３を積層してなり、Ｃｒ層７１ａの厚さは１ｎｍ以上９ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを有する半導体デバイスを、経済的に製造できるようにする。
【解決手段】半導体デバイス１０は、半導体基板１２と、該半導体基板の表面上にあり、半導体基板の解離温度未満の解離温度を有するエピタキシャル層１４と、半導体基板内に形成された漸増キャリヤー濃度帯１６と、金属層１８とから構成される。漸増キャリヤー濃度帯は、約１０００Åの厚さを有し、エピタキシャル層と反対の半導体基板の表面から該表面と反対側の表面に向かって伸びており、該反対側の表面に向かってドーパントの濃度が漸次低下している。金属層は、漸増キャリヤー濃度帯との境界２０においてオーミックコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物系半導体素子は、III族窒化物結晶からなる非極性表面１３ａを有する半導体領域１３と、半導体領域１３の非極性表面１３ａに設けられた金属電極１７とを備え、非極性表面１３ａは半極性及び無極性のいずれかであり、半導体領域１３にはｐ型ドーパントが添加されており、半導体領域１３のIII族窒化物結晶と金属電極１７との間に、金属電極１７の金属と半導体領域１３のIII族窒化物とが相互拡散して成る遷移層１９を有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１は次のようにして製造する。まず、基板１０上に、ゲート電極層１１、ゲート絶縁膜１２および半導体層１３を順に形成した後、領域１０Ａ，１０Ｂに渡りソース・ドレイン電極層１５を形成する。ソース・ドレイン電極層１５が、電極層１５ａと上部金属層１５ｂとを有することにより、その後の工程で、画素間絶縁膜１７をパターニング形成する際、電極層１５ａが損傷を受けずに済む。画素間絶縁膜１７の形成後、領域１０Ａにおいて、ソース・ドレイン電極層１５のうち上部金属層１５ｂを選択的に除去することにより、電極層１５ａの表面を露出させる。この露出した電極層１５ａ上に有機層１８およびカソード電極１９を形成することで、領域１０Ａに、ソース・ドレイン電極層１５（電極層１５ａ）をアノード電極として用いた有機発光素子１ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板から得られる複数の半導体発光素子の構造のばらつきを抑制することのできる半導体発光素子の製造方法および半導体積層基板を提供する。
【解決手段】サファイアウエハＷＡの一方の面に、逐次露光方式を用いて凸部および平面を有する凸部形成領域ＳＡと、位置決め用のマークＭを有するマーク形成領域ＭＡとを形成する。その後、サファイアウエハＷＡの一方の面にＩＩＩ族窒化物半導体層を積層した半導体積層基板を作成し、マークＭの形成位置の読み取り結果に基づいて、逐次露光方式を用いて複数の半導体発光素子に対応した電極構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
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【課題】一面側に金属電極が形成された半導体基板のアロイ化を良好に行うことを可能にする製造方法および装置を提供する。
【解決手段】一面側に金属電極が形成され、所望により他面側に金属薄膜や化合物半導体層が形成された半導体基板に対し、パルス発振レーザを出射するパルス発振レーザ光源または連続発振レーザを出射する連続発振レーザ光源から出力された波長５００〜５５０ｎｍかつ半値幅３００ｎｓ以上としたパルス発振レーザまたは波長５００〜５５０ｎｍで同一箇所に半値幅３００ｎｓ以上で照射される連続発振レーザを金属電極側から半導体基板に照射しつつ相対的に走査して前記基板に対するアロイ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】２つの電極の構造を共通にして構成の簡易化を図るとともに、各電極の接合性を向上させつつ、半導体発光素子の電気的特性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１６０、透明電極１７０、透明電極１７０に形成されるｐ側電極３００、ｎ型半導体層１４０に形成されるｎ側電極４００を備える。ｐ側電極３００は、透明電極１７０に積層されるｐ側接合層３１０およびｐ側ボンディングパッド電極３２０を備え、ｎ側電極４００は、ｎ型半導体層１４０に積層されるｎ側接合層４１０およびｎ側ボンディングパッド電極４２０を備える。ｐ側接合層３１０およびｎ側接合層４１０はＴａＮとＰｔとの混在層で構成され、ｐ側ボンディングパッド電極３２０およびｎ側ボンディングパッド電極４２０はＰｔとＡｕとの積層構造で構成される。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
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【課題】所定パターンを有するとともに、表面抵抗率や光透過率等のばらつきが少ない金属酸化膜の形成方法およびそのような金属酸化膜を提供する。
【解決手段】基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 （もっと読む）

半導体デバイスを生産する方法が提供され、この半導体デバイス（５０）は、基板（３０）と、半導体層（３６、３８）と、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素に隣接する少なくとも１つのメタライゼーション層（５２、７０）とを含み、この方法は、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素の近くに酸素を含む少なくとも１つのメタライゼーション層を形成するステップを含む。
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【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】金属ドナードープとは全く異なる観点から、電子注入機能および／または正孔注入機能を実現した有機デバイス用電極を提供することを目的とし、また、安定した均質な電極を作製できる電極の形成方法を提供することを目的とする。
【解決する手段】微粒子状の導電性無機化合物からなる導電性微粒子と、π共役系有機化合物とを同一の溶媒に分散させる第１の工程と、前記導電性微粒子と前記π共役系有機化合物とを分散させた前記溶媒を電極形成面へ湿式塗布する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）