【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられる第１電極と、半導体積層構造１０の他方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、半導体積層構造１０と反射層１３２との間の一部分に設けられ、半導体積層構造１０にオーミック接触するコンタクト部１２０と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の面の一部の上に設けられ、コンタクト部１２０へ電流を供給する第２電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】ｐ側電極として透明導電層膜材料からなる透光性の電極を用いた窒化物半導体発光素子における光取り出し効率を改善し、発光効率が向上された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、上記ｐ型窒化物半導体層が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記透光性の電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造歩留りの高い発光素子発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の反対側に金属接合層を介して半導体積層構造１０を支持する支持基板２０と、支持基板２０の金属接合層側の反対側の面に接して設けられる密着層２００と、密着層２００の支持基板２０に接している面の反対側の面に接して設けられ、密着層を介して支持基板２０との間で合金化している裏面電極２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物材料、とりわけ、二価金属の酸化物または三価金属の酸化物、更には酸化亜鉛系材料のエッチング時にエッチングされた面を平坦にでき、エッチング残渣を抑制し、かつ、電極材料の腐食がない好適なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、蓚酸の部分中和物または完全中和物を含有する。蓚酸は分子内にカルボキシル基を２つ含有する二価の酸であるが、その一部が中和反応により一部または全部が置換されている。このような部分中和または完全中和を行った蓚酸を金属酸化物材料のエッチング液組成物として用いることにより、エッチングされた面が平坦になり、かつ、蓚酸による金属酸化物材料のエッチング時に発生するエッチング残渣の発生を抑制することが可能となる。更に、エッチング液のｐＨ上昇に伴って、金属酸化物材料とともにエッチング液に接触する金属材料の腐食を抑制する効果がある。 （もっと読む）

【課題】高反射率と低接触抵抗を両立させることのできる半導体発光素子用電極及びこれを用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１００におけるＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）の一般式で表される半導体層と接触するｐ側電極１２０が、当該半導体上に形成されＡｇを主成分としＰｄ及びＣｕが添加されているＡｇ合金層１２０ａを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、導電型がｎ型であるＧａＮ基板２およびｎ−ＧａＮエピタキシャル層３と、オーミック電極６とを備える。オーミック電極６はＧａＮ基板２のＮ原子面９に接触して形成される。オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、閾値電圧の変動のない安定性に優れたＴＦＴ、及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファス酸化物半導体層４と、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２がアモルファス酸化物半導体層４の厚みの３倍以上の厚みを有し、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２が互いに対向する各々の側端部に該厚みが傾斜したテーパー部を有す。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、連続駆動しても閾値電圧の変動のない駆動安定性に優れたＴＦＴ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファス酸化物半導体層４と、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、ゲート電極２とソース電極５−１及びドレイン電極５−２の少なくとも一方とが平面上重なりを有せず、ゲート電極２側端部とソース電極５−１及びドレイン電極５−２の少なくとも一方の側端部との隙間が、０．２μｍ以上５μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高転位密度結晶領域のピッチが大きくても転位を集める効果が大きく低転位密度結晶領域の転位密度が低く、反りが小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板２０ｐは、（０００１）面に対して０°以上３０°以下のオフ角を有する主面２０ｍを有し、低転位密度結晶領域２０ｋと高転位密度結晶領域２０ｈとを含み、主面２０ｍにおける高転位密度結晶領域２０ｈの形状は、［１−１００］方向に伸びる複数の第１ストライプ結晶領域２０ｈｓと［１１−２０］方向に伸びる複数の第２ストライプ結晶領域２０ｈｔとを含む格子状である。 （もっと読む）

【課題】拡散電極へ全体的に均一に電流を流すことができ、発光素子の発光効率を向上させたフリップチップ型発光素子を提供する。
【解決手段】発光層へ電流を供給し所定方向へ延びる延在部１１ａを有する拡散電極１１と、拡散電極１１上に設けられ延在部１１ａの幅方向中央に延在部１１ａの長手方向に並べられ、互いの長手方向ピッチの寸法の半分の寸法が延在部１１ａの外縁までの寸法と同じ若しくは短い複数の中間電極１２と、拡散電極１１上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成され中間電極１２を介して拡散電極１１へ電流を供給する接合電極と、を備えた。 （もっと読む）

薄膜電気デバイスを基板上に製造するシステムを使用する方法が一実施例により与えられる。本システムはチャンバ及び気体ゲートを含む。チャンバはその中に集積装置を含む。集積装置はチャンバ内にて基板の一部分を集めるべく構成される。気体ゲートは、チャンバの圧力領域と第２圧力領域との流体連通を与える。
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【課題】ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。まず、種基板を準備する準備工程（Ｓ１０）を実施する。そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 （もっと読む）

常時オフ半導体デバイスが提供される。ＩＩＩ族窒化物バッファ層が提供される。ＩＩＩ族窒化物バリア層がＩＩＩ族窒化物バッファ層上に設けられる。非伝導性スペーサ層がＩＩＩ族窒化物バリア層上に設けられる。ＩＩＩ族窒化物バリア層およびスペーサ層がエッチングされてトレンチを形成する。トレンチはバリア層を貫いて延びてバッファ層の一部を露出させる。誘電体層がスペーサ層上およびトレンチ内に形成され、ゲート電極が誘電体層上に形成される。半導体デバイスの形成に関連する方法も提供される。
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【課題】Ｇａを含有するｎ型半導体層に対して低いコンタクト抵抗を実現する。
【解決手段】本発明は、ガリウム（Ｇａ）を含有するｎ型半導体層２０１の表面に形成されるｎ側電極１１０である。電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 （もっと読む）

一実施形態は、電極上に分子を被着させるステップを含み（なおここで電極は１つの表面を有し、分子はこの表面に結合する結合基（例えばアンカー基）を有する）、こうして周囲条件下で少なくとも１００時間安定した仕事関数を提供する方法である。
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【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）