【課題】所定の形状に精度よくパターニングすることができる導電膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】電気絶縁性を有する被成膜体の表面上に、金属微粒子を含む導電膜用の塗布液を塗布して導電膜用の膜を形成し、被成膜体に塗布された前記導電膜用の膜を第１の温度で加熱し、前記低電気抵抗の導電膜よりも電気抵抗が高い高電気抵抗の導電膜を形成し、前記高電気抵抗の導電膜の一部を除去し、高電気抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングし、パターニングされた高電気抵抗の導電膜を第２の温度で加熱して電気抵抗を低下させ、低電気抵抗の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チップ分割時の不良発生率が低減され、歩留まりの向上が図られた半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】 ＧａＮ基板中の主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択する転位密度評価工程と、転位密度評価工程で選択されたＧａＮ基板上に機能素子部を積層した後、チップ状に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】 オーミック電極とバリアメタル層の密着強度を向上させる。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ１）半導体積層構造を準備する工程と、（ｂ１）前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、（ｃ１）前記オーミック電極層上にＡｕを含む接着層を成膜する工程と、（ｄ１）前記工程（ｃ１）から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化物半導体層に対するオーミック電極の接触抵抗を低減でき、かつ長期的に安定した動作が実現可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極形成工程において、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上に、第１ｐ型オーミック電極１０であるＰｄ膜および第２ｐ型オーミック電極１１であるＴａ膜を順次形成して、Ｐｄ膜およびＴａ膜から成る金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を形成するとき、金属膜中に酸素原子が含まれるように金属膜を形成する。このように金属膜中に酸素原子が存在する状態で、金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を、熱処理工程において、酸素原子を含むガスを含まない雰囲気下で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電極と窒化物半導体層との界面でのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を得る。
【解決手段】この窒化物半導体装置１０は、Ｐ型窒化物半導体層１と、Ｐ型窒化物半導体層１上に形成されたＰ型電極３とを備え、Ｐ型電極３は、Ｐ型窒化物半導体層１上に、仕事関数が５．１ｅＶ以上の金属からなる金属層３ａと、パラジウム（Ｐｄ）からなるＰｄ層３ｂと、タンタル（Ｔａ）からなるＴａ層３ｃとを順に積層して形成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、上記ｎ型窒化物半導体層及び上記ｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型電極及びｐ型電極及び上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｎ型電極との間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び上記第１層上に形成されＷを含む物質からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。本発明によると、熱処理工程を経なくても熱的に安定し電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子を提供することが出来る。さらに、本発明によると、上記のような優れた熱的・電気的特性を表すための最適化した窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 電極間に抵抗成分が生じないｐ電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４および第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。第２のＰｄ膜１５上には、パッド電極２２が形成される。第２のＰｄ膜１５は、ｐ電極１２を構成するＴａ膜１４上部全面に形成され、Ｔａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜として機能する。この第２のＰｄ膜１５によって、Ｔａ膜１４が酸化されることを防止することができるので、ｐ電極１２とパッド電極２２との間に生じる抵抗成分を抑制することができる。これによってｐ電極１２とパッド電極２２との接触不良を防ぐことができるので、低抵抗なｐ電極１２を実現することができる。 （もっと読む）

本開示は、電子デバイスの製造方法を記載する。電子デバイスの製造方法は、第１電極と、電子応答性層と、第２電極とを準備することを含む。第１導電性ナノ構造グリッドを、第１電極の表面上に堆積させる。電子応答性層は、第１導電性ナノ構造グリッドに面している。電子応答性層は、第１電極と第２電極との間に配置される。第１のナノ構造グリッドを第１電極上に堆積させた電子デバイスが記載される。
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【課題】 電極間に抵抗成分が生じないｐ電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４、およびＴａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜としての第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。第２のＰｄ膜１５上には、パッド電極２２が形成される。酸化防止膜である第２のＰｄ膜１５は、ｐ電極１２を構成するＴａ膜１４上部全面に形成され、この第２のＰｄ膜１５によって、Ｔａ膜１４が酸化されることを防止することができるので、ｐ電極１２とパッド電極２２との間に生じる抵抗成分を抑制することができる。これによってｐ電極１２とパッド電極２２との接触不良を防ぐことができるので、低抵抗なｐ電極１２を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層とのオーミックコンタクトが良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１に、ゲート電極２を形成する工程と、前記ゲート電極２の上に第１の絶縁膜３を形成する工程と、前記第１の絶縁膜３の上にアモルファス酸化物で半導体層４を形成する工程と、前記第１の絶縁膜３をパターニングする工程と、前記酸化物半導体層４をパターニングする工程と、前記酸化物半導体層４の上に第２の絶縁膜５を酸化性ガスが含まれる雰囲気で形成する工程と、前記第２の絶縁膜５をパターニングし、前記酸化物半導体層における電極とのコンタクト領域６を露出させ、かつ該コンタクト領域６を低抵抗化する工程と、前記コンタクト領域６にソース電極層７およびドレイン電極層８を形成する工程と、前記ソース電極７およびドレイン電極８をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１４を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記ｐ型半導体層１４上に設けられた透光性電極１５とを備え、前記透光性電極１５が、結晶化されたＩＺＯ膜を含むものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】電流の制御が可能になり、電流密度が最適化でき、高輝度化が可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１表面に配置された第１金属層２１と、半導体基板の第２表面に配置された第２金属層２２とを備える半導体基板構造と、半導体基板構造上に配置され、第３金属層２０と、第３金属層２０上に配置され，透明絶縁膜１２と電流制御電極１８からなる電流制御層（１２，１８）と、電流制御層（１２，１８）上に配置されるエピタキシャル成長層１４とを備える発光ダイオード構造とから構成され、第１金属層２１および第３金属層２０を用いて、半導体基板構造と、発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】表表面に微細な凹凸を有するＴＣＯ膜で透明電極を形成しながらも、ボンディングパッド用のメタル膜の裏面の光反射性の低下が防止された、ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極は、ＧａＮ系半導体膜１２の表面に接して形成された透明電極１３と、透明電極１３上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１４と、からなる。透明電極１３は、互いに電気的に接続された第１のＴＣＯ膜１３ａと第２のＴＣＯ膜１３ｂとからなっており、第１のＴＣＯ膜１３ａおよび第２のＴＣＯ膜１３ｂは、その両方が該透明電極１３の表面に露出している。第１のＴＣＯ膜１３ａの表面は第２のＴＣＯ膜１３ｂの表面よりも平滑であり、メタル膜１４は第１のＴＣＯ膜１３ａの表面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動，高駆動電流の有機薄膜トランジスタと集積化され、平坦性を保持し、発光特性や歩留りの向上する面発光型の有機半導体発光装置。
【解決手段】基板１０上に配置されたゲート電極１２０と、ゲート電極上に配置されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜上に配置されたソース電極１６およびドレイン電極１８と、ソース電極とドレイン電極間のゲート絶縁膜上に配置された有機半導体層４００と、有機半導体層４００上に複数層繰り返し配置された正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造からなる有機薄膜トランジスタと、有機薄膜トランジスタの周辺部において、基板１０上に配置されたアノード電極３０と、アノード電極上に複数層繰り返し配置された正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造からなる有機半導体発光素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体表面にプラズマプロセスによるダメージを与えることなく、化合物半導体と金属電極との接触抵抗を低減し、両者の接触部におけるオーミック特性を改善することができる化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】塩素ガスとハロゲンガスとから成ると共にこの塩素ガスを標準状態で０．０５〜１０．０％の体積の割合で含む混合ガスにより、プラズマを生成する。そして、ｎ型ＧａＮ層１０３を、このｎ型ＧａＮ層１０３に含まれる元素の塩化物の沸点以上の温度に加熱すると共に、上記プラズマ中のラジカルを、上記ｎ型ＧａＮ層１０３における金属電極１０４と接する表面に接触させて、このｎ型ＧａＮ層１０３の表面を加工する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的特性を向上することができる半導体装置を提供する。更に、製造上の歩留まりを向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、方形状の平面を有する基板２と、基板２の一表面の中央部に配設され、基板２に比べて硬い導電性材料により構成された第１の電極６１と、基板２の一表面の少なくとも周縁の一部に沿って配設され、第１の電極６１と同一導電性材料により一体に構成されるとともに、第１の電極６１の膜厚に比べて薄い膜厚を有する第２の電極６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体装置において、金属コンタクトの接触抵抗を低減する。
【解決手段】ＮおよびＧａを含む半導体層と、半導体層にオーミック接続される導電層と、半導体層と導電層との界面に金属が分布して存在する金属分布領域と、半導体層に金属の原子が侵入して存在する金属侵入領域と、を備える半導体装置を提供する。金属分布領域および金属侵入領域は、半導体層の上層に金属を主成分とする金属層、金属の拡散を防止する拡散防止層および導電層を順次形成して、金属層、拡散防止層および導電層を熱処理することにより形成されるものとすることができる。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、オーム接点層を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物構造物を製作する方法を提供する。この方法は、ｐ型層を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物構造物を製作することを包含する。この方法は、最初にｐ型層をアニーリングすることなしに、ｐ型層上にオーム接点層を堆積させることを、さらに包含する。この方法はまた、続いてアニーリングチャンバー内で所定の温度で所定の期間の間、ｐ型層およびオーム接点層をアニーリングし、それによって単一のアニーリングプロセスにおいてｐ型層とオーム接点との抵抗率を低減することも包含する。
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【課題】有機エレクトロニクスデバイス、特に有機発光素子において電極の表面を効率よく清浄化することができる電極洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】有機エレクトロニクスデバイスに用いられる電極の洗浄処理方法であって、電極表面上の有機物を除去する際に、前記有機物を構成する原子間の結合を切断する工程を行った後に、切断された原子を電極表面上から除去する工程を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】矩形のチップとして分割され、且つ歩留まりの低下を抑制できる六方晶構造の半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶構造の酸化亜鉛系半導体からなり、極性面である第１の主面１１１、及びその第１の主面１１１に対し直交する基準の非極性面と４０度乃至５０度の角をなして第１の主面１１１と直交する４つの側面を第１の主面１１１に隣接させた基板１と、第１の主面１１１上に配置された半導体層２とを備える。 （もっと読む）