本発明は、基板（１００）上にアクティブ層（１０１）を形成する段階および少なくとも基板（１００）が出現するまで、トレンチ（１０２）をアクティブ層（１０１）内に形成することでコンポーネントを個別化する段階を含む、電子コンポーネント（１１１）のマトリクスを製造する方法に関する。この方法は、アクティブ層（１０１）上に機能材料の層（１０２）を蒸着する段階と、前記トレンチ（１０２）を充填し、電子コンポーネント（１１１）の上側面に薄膜（１１５）を形成するように、材料の層（１０３）上に感光性樹脂（１０４）を蒸着する段階と、トレンチの樹脂の部分の露光を少なくしつつ樹脂（１０４）を放射線に少なくとも部分的に曝露する段階と、適切に露光された部分を除去するように樹脂（１０４）を現像する段階と、現像段階の後、外面に現われる機能材料の層（１０３）の部分を除去する段階と、樹脂の残り部分を除去する段階とを含む。
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【課題】前面発光型窒化物系発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。これにより、湿式エッチングとポスト熱処理法により形成されたパターニングされた表面を有する透明導電性薄膜層を介して素子の外部発光効率を極大化させることができ、高輝度発光ダイオードの具現を可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化することができる技術を提供する。
【解決手段】主面１００ａ（第１主面）と、主面１００ｂの反対側に位置する主面１００ｂ（第２主面）とを有し、主面１００ｂ側に一部が露出するように形成された導電層１（第１導電層）および導電層２（第２導電層）と、導電層１の主面１ａに電気的に接続されるＬＥＤチップ４（発光半導体チップ）と、ＬＥＤチップ４と導電層２を電気的に接続するワイヤ５（導電性部材）と、導電層１、導電層２、ワイヤ５およびＬＥＤチップ４を封止する透光性の封止体３とを備え、主面１００ａ上には集光レンズを形成せず、導電層１、導電層２、ワイヤ５およびＬＥＤチップ４は封止体３のみにより封止されるように構成する。 （もっと読む）

本発明は、基板の規定された領域に、基板表面と結合でき且つナノワイヤと結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）を接触させて、基板表面上に結合サイトのパターンを提供し、および／または基板の規定された領域に、基板表面と結合し且つナノワイヤの結合を阻止する少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を接触させて、基板表面上に非結合サイトのパターンを提供し、且つ、基板表面を液体媒体中のナノワイヤの懸濁液と接触させて適用したナノワイヤの少なくとも一部分を、（Ｃ１）で被覆されている、および／または（Ｃ２）で被覆されていない基板表面の少なくとも一部分と結合させる工程を含む、基板表面へのナノワイヤの堆積方法に関する。
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【課題】温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置１００は、ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板１０１と、エピタキシャル成長によって前記ＧａＡｓ基板上に形成された放熱層１１０と、エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたｎ型またはｐ型の半導体層１４０と、を含み、前記放熱層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層からなり、ｘは、０≦ｘ≦１を満たす。 （もっと読む）

【課題】II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面ＢｅＴｅ層の酸化を防止する。
【解決手段】II-VI族半導体素子は、半導体層１０のスタックを含む。オーミク接触３４が提供され、このスタックに電気的に結合する。このオーミック接触は、酸化性物質に暴露されるときに、ある酸化速度を有する。パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｕＳｎ半田による実装に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体層上に形成された電極と、該電極の上面の一部を残して該電極表面を被覆するパッシベーション膜とを備えた半導体発光素子において、
チタン層とニッケル層を一組とする繰り返し構造の多層膜を少なくとも一組、前記電極上に形成する。 （もっと読む）

平板ディスプレイを製造するための物理蒸着用ターゲットが実現される。このターゲットは、原子パーセントで、約９０〜９９．９８の量の、アルミニウムである第１成分、約０．０１〜２．０の量の、Ｎｄ、Ｃｅ、ＤｙおよびＧｄから成る群から選択された希土類元素である第２成分、および、約０．０１〜８．０の量の、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＳｃおよびＨｆから成る群から選択された第３成分を有する三元合金を含む。
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【課題】本発明は、光の取り出し性が良好で明るく、ボンディング時の電極剥がれを無くすることができる半導体発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基板１１上にｎ型半導体層１３、発光層１４およびｐ型半導体層１５が積層され、ｐ型半導体層１５上に透光性正極１６が積層されるとともに、該透光性正極１６に正極ボンディングパッド１７が設けられ、前記ｎ型半導体層１３上に負極ボンディングパッド１８が設けられた半導体発光素子１を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウン組立の際の歩留まりを向上させることができるとともに、良好な放熱特性を得ることができ、かつ、素子寿命の低下を防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたｐ側電極１０と、そのｐ側電極１０上に形成された約３μｍの大きな厚みを有するｐ側パッド電極１１とを備える。そして、ｐ側電極１０とｐ側パッド電極１１との合計厚み（約３μｍ）は、ＭＱＷ活性層４の下のｎ型クラッド層３の下面からリッジ部の上面までの距離（約１．０μｍ〜約２．１μｍ）よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、支持基板１７０と、支持基板１７０上に設けられたｐ型窒化物半導体層１４０と、該ｐ型窒化物半導体層１４０上に設けられたＭＱＷ活性層１３０と、該ＭＱＷ活性層１３０上に設けられたｎ型窒化物半導体層１２０とからなる窒化物半導体層１００と、ｎ型窒化物半導体層１２０上に設けられたコンタクト電極１６１と、コンタクト電極１６１上に設けられた光透過性の第２透明電極１６５と、支持基板１７０上に設けられ、第２透明電極１６５と電気的に接続されている第２パッド電極１６６とを備え、ＭＱＷ活性層１３０の主面に対して平行な面である投影面Ｓにおいて、ＭＱＷ活性層１３０の主面が投影された領域と第２パッド電極１６６が投影された領域とが重ならない。
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【課題】発光出力が大きく、かつ、廉価で生産性の良好な、半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層となる活性層８と、活性層８の両側に形成した電極層５，７と、を有する半導体発光素子１であって、電極層５，７の少なくとも一方は透明電極層５であり、透明電極層５の少なくとも一方の面がテクスチュア形状を有する。透明電極層５のテクスチュア粒径が、λ／（４×ｎ）以上（ここで、λは半導体発光素子１の発光強度が最大となる波長であり、ｎは透明電極層５の屈折率）よりも大きければ、半導体発光素子１の発光を素子表面側に効率よく出射でき、発光出力を増大させることができる。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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【課題】 本発明は、表面のヒロックの発生や下地層を構成するＮｉの表面拡散を抑制するようにした、ＡｕＳｎ共晶接合のためのＬＥＤ用共晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ基板１１と、この基板上に形成された複数の下地層１３〜１５と、この下地層の最上層のＮｉ層１５の上に形成されたＡｇ薄膜１６と、このＡｇ薄膜上のＬＥＤチップ実装部及びボンディング部の領域に形成されたＡｇ合金膜１７及びＬＥＤチップ実装部及びボンディング部を除いた表面領域に形成された透光性導電膜１８と、を含んでおり、上記Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜の膜厚が４００ｎｍ以上であるように、ＬＥＤ用共晶基板１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】高速動作を可能とするとともに、給電のためのワイヤをボンディングする時に生じる不具合を大幅に軽減しうる、半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、凸部４ａ及び平坦部４ｂを有しており、基板１上に形成される半導体層と、平坦部４ｂの上面及び凸部４ａの側面に形成された電流ブロック層６と、凸部４ａ上に設けられた直線部７ａ及び直線部７ａから凸部４ａの幅方向外側に突出する複数の突出部７ｂによって構成される電極７とを備える。複数の突出部７ｂは、電流ブロック層６上に設けられており、複数の突出部７ｂの間には、電流ブロック層６が露出する間隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特に半導体ウエハの厚さが薄い場合、例えば１５０μｍ以下の場合においても、製造工程中における半導体ウエハの反りを低減して、製造工程中における半導体ウエハの割れを低減可能にする。
【解決手段】半導体素子の製造方法において、半導体基板１の一面側に第１の電極層３，４を厚さ（ｔ３＋ｔ４）が３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内となるように形成し、アニールを行った後、第１の電極層の表面上に第２の電極層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の増加を抑制することのできる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１は、導電性基板２上に、導電性接着層３を介して、ｐ側接続用電極４、絶縁膜５、ｐ側オーミック電極６、ｐ型コンタクト層７、ｐ型クラッド層８、ｐ型キャップ層９、活性層１０、ｎ型クラッド層１１、ｎ型コンタクト層１２、ｎ側電極１３が順に積層されている。ｐ側オーミック電極６は、導電性接着層３と半導体層７〜１２の間に、ｐ型コンタクト層７と電気的に接続されて設けられている。ｐ側オーミック電極６は、複数のストライプ部６ａと、各ストライプ部６ａを連結する連結部６ｂと、ｐ側接続用電極４が接続される接続部６ｃとを有する。ｐ側オーミック電極６の各ストライプ部６ａの間には開口部６ｄが形成されている。絶縁膜５は、ｐ側オーミック電極６を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｌＰ系半導体を発光部に用いた半導体発光素子において、発光部で発光した光の取り出し効率を向上させ、加えて発光効率の向上を実現しうる発光素子を提供する。
【解決手段】導電性基板と、前記導電性基板の上に設けられた第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられた第二導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に設けられた第二導電型の半導体からなる電流拡散層とを備える構成とし、前記電流拡散層上のオーミック電極形状と、前記第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層下のオーミック配線電極部を同形状にし、また光取り出し面側の周辺部に設ける構成とした。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体およびこの半導体とオーミック接触を形成する新規な電極を有する、半導体素子を提供すること。
極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するＴｉＷ合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。 （もっと読む）