【課題】 電気的特性および電気的耐久性が優れた電極を低コストで形成することができ、高性能で長寿命の発光ダイオードを低コストで得ることができる発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系発光ダイオードにおいて、ｐ型ＧａＮ層１５上に所定形状のＡｇ膜１７を形成した後、無電解めっき法により、このＡｇ膜１７の上面および側面にのみＮｉ膜１８を形成する。Ａｇ膜１７およびＮｉ膜１８によりｐ側電極１９が形成される。Ｎｉ膜１８を形成する前に、Ａｇ膜１７上にこれと同一形状にＮｉ膜を形成したり、Ａｇ膜１７の表面にＰｄ触媒層を形成したりしてもよい。 （もっと読む）

【課題】素子の光出力を向上させることができるロッド型発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
第１極性層の上部に光を放出できる物質がロッドを形成し、このロッドそれぞれを包む第２極性層を形成することにより発光面積を増加させ、素子の内部に拘束されず外部に放出させる光量を増やして素子の光出力を向上させられる。
また、本発明は活性層をナノサイズのロッド構造物で形成して光抽出効率を倍加させることができる。 （もっと読む）

本発明は、選択的パターニングにレーザーアブレーションを使用して薄膜トランジスター（ＴＦＴ）構造などの電子デバイスを製作する方法に関する。本発明は有機電子デバイスを製作する方法であって、製作される有機電子デバイスは、上部導電層と、この上部導電層のすぐ下にある下位層と、少なくとも１つの溶解処理可能な半導電性層とを有する構造を備え、上部導電層は１０ｎｍと２００ｎｍの間の厚さを有していることが好ましい。本発明の方法は、上部導電層をパターニングするステップを含み、このパターニングのために上部導電層の領域を下位層から除去するように、パルスレーザーを使用して上部導電層にレーザーアブレーションを行い、このレーザーアブレーションは、レーザーの単一のパルスを使用して上部導電層を実質的に完全に除去し、下にある下位層を露出させるものである。 （もっと読む）

【課題】 分散電流を具え発光面積利用率を高めた発光ダイオードの提供。
【解決手段】 基板、基板上方に位置し第１部分と第２部分を具えた第１半導体構造、第１半導体構造の第１部分の上に位置する発光構造、第１半導体構造の第２部分の上に位置し第１形状を具えた第１コンタクト構造、発光構造上方に位置する第２半導体構造、第２半導体構造の上に位置し複数の切断部分を具えて一部の第２半導体構造を露出させ、第２形状を具えた透明コンタクト電極、透明コンタクト電極の切断部分の上方に位置し且つ第２半導体構造に接触し並びに第３形状を具えた第２コンタクト構造を具え、これにより第２コンタクト構造の第３形状と第２形状を具えた透明コンタクト電極、及び第１形状を具えた第１コンタクト構造の相互組合せの関係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト構造に至る複数の電流経路が相互に近い経路距離を有するものとされた。 （もっと読む）

ｐ型不純物がドープされ且つ十分な導電性を有するｐ型シリコン基板１を用意する。基板１の上にｎ型ＡｌＩｎＧａＮから成るバッファ領域３、ｎ型ＧａＮから成るｎ型窒化物半導体層１３、活性層１４、及びｐ型ＧａＮから成るｐ型窒化物半導体層１５を順次にエピタキシャル成長させる。ｐ型シリコン基板１にバッファ領域３のＧａ等の３族元素Ｇａが拡散し、低抵抗のｐ型拡散領域１ａが生じる。また、ｐ型シリコン基板１とｎ型ＡｌＧａＩｎＮから成るｎ型バッファ領域３とのヘトロ接合部分にｐ型シリコン基板１のキャリアの輸送を助ける界面準位が生じる。この界面準位によってシリコン基板１のキャリアのｎ型バッファ領域３への輸送効率が高められ、発光ダイオードの駆動電圧が低くなる。
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発光デバイスは、基板を貫通して対向する第１の面と第２の面の間を延びるコンタクトプラグ（２４０）を有する基板（２０５）を備えている。第１の面上に活性領域があり、この活性領域上に、第１の電気的コンタクトがあり、基板の第２の面に隣接して第２の電気的コンタクトがある。コンタクトプラグは、第２の電気的コンタクトを活性領域に結合する。このような構成によって、チップの両側に電気的コンタクトを設けることができ、それによって、ウェハ上に形成することのできるデバイスの数を増やすことができる。
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【課題】 マイクロ波電力を利用した薄膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 真空ポンプ２３によって減圧するチャンバ２１内にマイクロ波電力Ｐと酸素ガスとを供給して表面波酸素プラズマ２５を発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ２１内に加熱蒸発させるＺｎ材の蒸発源２６と、成膜形成するガラス基板２８とを備え、前記蒸発源２６から蒸発したＺｎ材を酸素プラズマ２５によって酸化させ、その化合物ＺｎＯをガラス基板２８に堆積させて薄膜形成する構成としてある。 （もっと読む）

【課題】 剥離が生じにくく窒化物系半導体上に簡単な工程で形成可能な安定な
オーミック電極を備えた半導体素子を提供することである。
【解決手段】 サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型Ｇ
ａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層
３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。ｐ型ＧａＮ層４上お
よびｎ型ＧａＮ層３の露出した上面にＴｉ膜５およびＰｔ膜６を順に形成する。
それにより、熱処理による合金化を行うことなくｐ型ＧａＮ層４にオーミック接
触するｐ電極７およびｎ型ＧａＮ層３にオーミック接触するｎ電極８が形成され
る。 （もっと読む）

【課題】高分解能のパターニング工程を用いることなく、微細構造体を形成することが可能なパターニング方法を提供する。
【解決手段】材料１２の層を基板１０上にプリパターニングする工程と、膜形成物質溶液１６をプリパターニングされた基板上にスピンコートする工程と、膜形成物質の膜１６を乾燥させる工程と、プリパターニングされた材料の側面にのみ乾燥された膜が残るように、当該膜をエッチングする工程と、プリパターニングされた物質の輪郭に対応した形状を有する隆起部２０が基板上に残るように、プリパターニングされた材料を取り除く工程と、を有することを特徴とする。 パターニングされた基板上に、金属層を蒸着して隆起部を取り除く。そして、半導体、絶縁体及び導電体、ソース及びドレイン電極の組にそれぞれ設けられ後の工程で形成されるゲート電極の領域に選択的に蒸着することによって、薄膜トランジスタのアレイを形成する。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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【課題】層間絶縁膜と金属配線層との間に厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層を形成する事によって、金属配線層としてのアノード配線層及びカソード配線層と層間絶縁膜とのコンタクト特性が良好となり、アノード配線層及びカソード配線層とを同一の工程で同時に形成する事ができる半導体装置、ＬＥＤヘッド及びそれを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、該半導体基板上に形成され、該半導体基板へのコンタクトホールが開口された層間絶縁膜２３と、一端が前記コンタクトホールに接続され、他端がボンディングパッドを構成する金属配線層１３と、前記層間絶縁膜と金属配線層との間に設けられ、厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来のパッド電極で覆われる部分を発光させなくし、光の取出し効率の向上を図った半導体発光素子においては、パッド電極に線状電極を構成する材料が混入しやすく、Ａｕワイヤーの接合力不足などにより破損を生じやすいなどの問題を生じていた。
【解決手段】 素子１の最表面半導体層１ａの表面に、パッド電極３を有し、最表面半導体層とパッド電極との間ではショットキー接合が行われ、パッド電極が占める以外の表面を網状に覆う線状電極２と最表面半導体層の間ではオーミック接合が行われ、パット電極と線状電極が一部で接触しオーミック接合が行われている半導体発光素子であり、線状電極とパッド電極との接触部において、線状電極の層構造の上部及び側面の一部或いは全部をパッド電極の層構造中のバリアメタル層３ｂが覆っている半導体発光素子とすることでパッド電極に線状電極の部材が混入しないようにして課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 活性層のバンドギャップエネルギがＡｌＮ組成比２０％のＡｌＧａＮと同等以上となる短波長発光可能なＰＩＮ接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜を備えた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系窒化物半導体からなるｐ型クラッド層２１と活性層２３と活性層２３より高バンドギャップエネルギのｎ型クラッド層２５を含むＰＩＮ型接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜２０を備え、活性層２３が、ＡｌＮ組成比２０％以上のｉ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｉ型ＡｌＧａＩｎＮまたはｉ型の超格子構造多層膜であり、ｎ型クラッド層２５の活性層２３とは反対側の全面または一部に、ＡｌＮ組成比２０％以下のｎ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなる膜厚５０ｎｍ以下のｎ型コンタクト層２６を備えてなり、発光した光がｎ型クラッド層２５側から出射する。 （もっと読む）

【課題】歩留を向上させて、製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体レーザ装置、光伝送モジュールおよび光ディスク装置を提供する。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にはｐ−Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ第２上クラッド層１１１’を形成する。ｐ−Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ第２上クラッド層１１１’上には、ｐ−Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ第２上クラッド層１１１’のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を持つＩｎ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ_0.54Ｐ_0.46エッチング減速層１１２’を形成する。このＩｎ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ_0.54Ｐ_0.46エッチング減速層１１２’上には、Ｉｎ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ_0.54Ｐ_0.46エッチング減速層１１２’のエッチング速度よりも速いエッチング速度を持つｐ⁺⁺−ＧａＡｓ第２コンタクト層１１４’を形成する。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物半導体層とオーミック電極との間のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体層(12)と、III族窒化物半導体層(12)とオーミック接触するオーミック電極(15)とを有し、III族窒化物半導体層(12)はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮで表される半導体からなり、オーミック電極(15)は、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ及びＳｒから選ばれる少なくとも１種を含む第１電極層(13)を有する半導体装置(1)とする。 （もっと読む）

【課題】反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型化合物の半導体層１０２、活性層１０４及びｐ型化合物の半導体層１０６を備える化合物半導体発光素子のｐ型化合物の半導体層１０６上に形成される反射電極２６において、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面の一部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層２１と、オーミックコンタクト層２１、及びオーミックコンタクト層２１により覆われていないｐ型化合物の半導体層１０６の上面を覆う反射電極層２５と、を備え、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面に、反射電極層２５とｐ型化合物の半導体層１０６とが直接コンタクトされるコンタクト領域１１ａ、１１ｂが設けられた化合物半導体発光素子の反射電極２６、及び反射電極２６を備える化合物半導体の発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー損失が少なく、高効率かつ破壊電圧が高い化合物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 結晶面方位｛１１１｝、キャリア濃度１０¹⁶〜１０²¹／ｃｍ³（≒抵抗率１〜０．００００１Ωｃｍ）、伝導型ｎ型のＳｉ単結晶基板上２に、厚さ０．０５〜２μｍ、キャリア濃度１０¹⁶〜１０²¹／ｃｍ³、伝導型ｎ型の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層３と、厚さ０．０１〜０．５μｍの六方晶Ｉｎ_wＧａ_xＡｌ_1-w-xＮ単結晶バッファー層４（０≦ｗ＜１、０≦ｘ＜１、ｗ＋ｘ＜１）と、厚さ０．１〜５μｍ、キャリア濃度１０¹¹〜１０¹⁶／ｃｍ³（≒抵抗率１〜１０００００Ωｃｍ）、伝導型ｎ型の六方晶Ｉｎ_yＧａ_zＡｌ_1-y-zＮ単結晶層５（０≦ｙ＜１、０＜ｚ≦１、ｙ＋ｚ≦１）とを順次積層し、かつ、Ｓｉ単結晶基板２の裏面に裏面電極６、および、六方晶Ｉｎ_yＧａ_zＡｌ_1-y-zＮ単結晶層５の表面に表面電極７を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ微粒子をバインダーおよび溶剤に分散させた塗膜を窒素雰囲気下で加熱して硬化させることで、膜厚が１μｍ以上、シート抵抗が１ｋΩ／□以下のＩＴＯ膜を３００℃以下の温度で形成することを可能とする。
【解決手段】インジウムスズオキサイド微粒子をバインダーおよび溶剤もしくは水に分散させたものを塗布して塗布膜４３を形成する工程と、前記塗布膜４３を硬化させて光透過性を有する導電膜４４を形成する工程とを備えた導電膜の製造方法において、前記塗布膜４３は窒素雰囲気下で加熱して硬化させる製造方法であり、この製造方法は、基板に複数の発光素子２１が配列され、前記発光素子２１の発光部を覆う電極に光透過性を有する導電膜４４を用いた表示装置１の製造方法に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 良好なショットキー特性を有する電極を備えた半導体素子を提供する。また、良好なショットキー特性を有するゲート電極を備えた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＮ層３の上に形成されたショットキー電極６は、ＷＮ_ｘ層４を有し、ｎ型ＧａＮ層３とＷＮ_ｘ層４とが接触する面において、ｎ型ＧａＮ層３の結晶面は六方晶の（０００１）面であり、ＷＮｘ層４の結晶面は（１１１）面に配向している。ＷＮ_ｘ層４は、Ｚｒ、Ｈａ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、窒素および炭素の少なくとも一方の元素とからなる塩化ナトリウム型構造の電極層であればよい。また、電極層の格子定数は、ｎ型ＧａＮ層３におけるａ軸格子定数を２^{（１／２）}倍した値の０．９５倍〜１．０５倍であることが好ましい。 （もっと読む）

窒化物系半導体素子を形成するためにｐ型不純物がドープされ且つ十分な導電性を有するｐ型シリコン基板（１）を用意する。シリコン基板（１）の上に、ＡｌＮから成る第１のバッファ層（１１）、ｎ−ＩｎＧａＮから成る第２のバッファ層（１２）、ｎ−ＧａＮから成るｎ型窒化物半導体層（１３）、活性層（１４）、及びｐ−ＧａＮから成るｐ型窒化物半導体層（１５）を順次にエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長時の加熱処理によって第１の層（１１）のＡｌ、第２の層１２のＧａ及びＩｎがｐ型シリコン基板（１）に拡散してｐ型シリコン基板（１）とバッファ層（１１）との間に合金層（２）が形成される。Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎは合金層（２）に隣接するｐ型シリコン基板（１）の内部にも拡散するが、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎはシリコンに対してｐ型不純物として機能し且つシリコン基板（１）がｐ型であるので、シリコン基板（１）中にｐｎ接合が形成されない。この結果、窒化物系半導体素子の駆動電圧が低くなる。
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