【課題】導電層上に形成された光触媒反応層を除去する工程を経ることなく、導電性を有し、かつ濡れ性の高い領域を簡便に形成する方法を提案する。
【解決手段】光触媒導電層上に光触媒反応層を形成し、該光触媒導電層に紫外光を照射することにより、紫外光が照射された領域の光触媒導電層表面に導電性を有し、かつ該光触媒反応層に比べて濡れ性の高い領域を形成する。なお、ここで、該光触媒導電層として抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下で光触媒性を有する層を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極層と第２の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を７．５×１０^１０Ｎ／ｍ^２以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の発光素子は、配線層表面のグレインの凹凸は膜厚が大きいほど著しくなること、また、Alなどの金属スパッタ膜がグレインの成長に伴って層内にボイドをつくるので、膜厚が大きいほどボイドが増えることに起因して、種々の品質上の問題を有していた。
【解決手段】本発明による半導体素子は、n個の同種又は異種の金属膜を積層することにより形成される配線構造を有している。その同種又は異種の金属膜は、配線構造を構成する最上層の金属膜表面の凹凸を低減するように、薄膜の金属膜で形成される。本発明の一態様によれば、積層される各金属膜の層間のうち、少なくとも1つの層間に薄い金属酸化膜が、その層間全域にわたって形成されている。 （もっと読む）

半導体デバイスを製作する方法は、第１のドーパント濃度を有する第１の伝導型の第１の半導体層を形成すること、および第１の半導体層上に第２の半導体層を形成することを含む。第２の半導体層は、第１のドーパント濃度よりも低い第２のドーパント濃度を有する。第２の半導体層を貫通して延びて第１の半導体層に接触する第１の伝導型の打込み領域を形成するように、第２の半導体層中にイオンが打ち込まれる。第１の電極が第２の半導体層の打込み領域上に形成され、第２の電極が、第２の半導体層の非打込み領域上に形成される。関連したデバイスも述べられる。
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【課題】第１電極の面積を、出来る限り小さくすることができ、しかも、組立て工程に大きな負担を与えることがない構成、構造を有し、同時に、高い静電破壊防止機能を備えた発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１化合物半導体層１１、活性層１２、第２化合物半導体層１３；第２化合物半導体層１３の頂面の略全面に形成された第２電極２２；第２電極２２を覆う絶縁層３１；第１開口部２３；第２開口部２４；第１開口部２３の底部に露出した第１化合物半導体層１１の部分に形成された第１電極２１；第１電極２１から第１開口部２３を介して絶縁層３１上に延び、第１パッド部２５を兼ねた第１電極延在部２１Ａ、並びに；第２電極２２に接続され、第２開口部２５に設けられた第２パッド部２６から成る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。
【解決手段】上記の目的を達成するために、本発明は、光を透過可能な基板１と、基板１上に設けられたｎ層３及びｐ層５と、前記ｎ層３と前記ｐ層５の間に設けられた発光層４と、前記ｎ層３と前記ｐ層５にそれぞれ設けられたｎ側電極７とｐ側電極６を有した発光素子であって、ｐ側電極６を少なくともｐ層５側からＰｔ層６１、Ａｇ層６２、Ｍｏ層６３の順に積層した。本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザチップの接合面全域を安定に接合できるとともに、作製プロセスにおいてＡｕ層が形成された段階で基板を大気中に一旦取り出すことでＡｇペーストタイプの製品へ共用することが可能なサブマウントを提供すること。
【解決手段】この発明のサブマウント５０は、Ｓｉを主材料とした基板１，２と、基板表面１ａのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層４，５とを備える。不純物拡散層５上にＴｉＷ層７、Ａｕ層８、Ｐｔ層１１、およびＡｕＳｎ層９が順に積層されている。Ｐｔ層１１の厚さは、図示しない半導体レーザチップの下面に設けられたＡｕ電極層の厚さ、Ａｕ層８の厚さ、ＡｕＳｎ層９の厚さおよび組成比に応じて、その半導体レーザチップを接合するためのＡｕＳｎ層９の溶融時にＰｔ層１１が残存するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 接合面の剥離やひび割れなどの不良を防止し、最終的な半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】
支持基板と、支持基板上方に形成され、第１の接続層と第２の接続層とを含む複合接続層と、複合接続層上方に形成された拡散バリア層と、拡散バリア層上方に形成された半導体積層構造と、拡散バリア層と半導体積層構造との間に形成された反射性電極層とを有する半導体発光素子であって、第１の接続層、第２の接続層の少なくともいずれかは共晶材料から構成され、拡散バリア層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＷおよびＴｉＷのうち１つ以上の高融点金属材料もしくはそれらの合金からなる少なくとも一層の高融点金属層をＴａＮ層で挟んだ積層構造である半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

半導体発光装置のための電気的コンタクトを形成する方法が開示される。発光装置は、第１導電型の第１層と、第１層の上に重なる光発生のための活性層と、活性層の上に重なる第２導電型の第２層とを有する。この方法は、第２層及び活性層を貫通して第１層への電気的接続をもたらす少なくとも第１及び第２の細長電気的コンタクトを形成するステップを含み、この第１及び第２コンタクトは互いにある角度をなして配向され、第１コンタクトは第２コンタクトに近接する第１端部を有し、第１端部は第２コンタクトから十分に離間配置され、その結果、電流がコンタクトを介して第１層に供給されるとき、第１端部と第２コンタクトの概ね間の領域内における第１コンタクトの第１端部及び第２コンタクトからの電流寄与量が、第１及び第２コンタクトに沿った他の箇所の電流密度にほぼ等しい電流密度をその領域内に生じる。 （もっと読む）

【課題】平坦でかつ結晶欠陥が極端に少ない（好ましくは無転位の）窒化ガリウム半導体層をｃ面以外の主面を持つ窒化ガリウム基板上に形成することができる窒化物半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】加工基板の凹凸に起因して生じる、素子のｎ型層側での横方向の電流拡散性に関する異方性と、ＬＥＤのＶｆとの関係を明らかにし、該異方性に対する各部の構成を最適化し、Ｖｆをより低下させること。
【解決手段】絶縁体からなる凹凸状の結晶成長面を有する基板の上に、ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層（ｎ型層）が形成され、その上に、発光部と、ｎ型オーミック電極Ｐ１とが形成される。基板の上方から見たとき、電極Ｐ１は、発光部に外接する方形ＥＦＧＨの辺ＥＦを含む直線と、辺ＧＨを含む直線とに挟まれた領域に、辺ＨＥとの距離が、他の３辺との距離のいずれよりも大きくなるように形成され、結晶成長面においては、その凹部が、辺ＨＥに直交する方向に伸長しており、それによって、ｎ型層における横方向の電流拡散性が、該方向において、他の方向よりも良好となり、Ｖｆが低下している。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体層との接触抵抗のみならずパッド電極との接触抵抗も低く、且つ密着性や機械的強度に極めて優れている窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の窒化物半導体素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に積層された積層半導体層と、前記第２導電型半導体層の上面に形成された電極と、を備える窒化物半導体素子であって、前記電極は、少なくとも前記積層半導体層側から第１金属層、第２金属層、第３金属層を順に積層しており、前記第１金属層と第３金属層とは、同一材料を含有する金属層であって、第１金属層は第３金属層よりも密度が高いものであり、前記第２金属層は、前記第１金属層及び第３金属層とは異なる材料を含有している。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションの発生を防止することで信頼性の高い発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に積層されたｎ層１２１、発光層１２２、およびｐ層１２３を含む半導体層１２と、ｎ電極１３と、反射電極１４２を有するｐ電極１４とを有する発光素子１０において、ｐ電極１４は、複数の凹部１４１ａが設けられていると共にし、この複数の凹部１４１ａのそれぞれに分割された反射電極１４２が設けられたｐコンタクト電極１４１と、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａに蓋をするように形成されたｐボンディング電極１４３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 微少な電極とコンタクト層との間のコンタクト抵抗を低くできる化合物半導体素子およびそのような半導体素子を工程数を増やすことなく製造する方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、所定の半導体層２，３，４，５を形成した後、ＩｎＧａＡｓから構成されるオーミックコンタクト層６を、その表面が凹凸となるように、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法によって形成する。そして、オーミックコンタクト層６の凹凸表面上に、横幅が１０μｍ以下である金属電極９を形成する。オーミックコンタクト層６と金属電極９の界面における凹凸状の構造は、高低差が０．１μｍから０．５μｍの範囲内にあり、かつ、隣り合う山と山との間隔が０．１μｍから０．５μｍの範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型窒化物半導体層上に形成した電極とｎ型窒化物半導体層との間の接触抵抗を低下させた、窒化物半導体層を有する半導体装置を提供し、高電圧、高周波で動作する高電子移動度電界効果トランジスタ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層に接する側から順に、第一の金属層と、第二の金属層とを備え、ｎ型窒化物半導体層の不純物は１×１０^１９ｃｍ^−３以上であり、第二の金属層の仕事関数が４．２ｅＶ以下であるものとする。 （もっと読む）

【課題】II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある半導体発光装置および同装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板、第1伝導型半導体材料層、発光層、第1電極、第2伝導型半導体材料層、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層、透明伝導層および第2電極が含まれ、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層が存在することによって、第2伝導型半導体材料層および透明伝導層の間のオーム接触を改善する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、表面変性層２０および反応層３１が設けられる。表面変性層２０はキャリア供給層として機能するものであり、ＧａＮ基板１の裏面をＳｉ含有プラズマと反応させ変性させることにより形成される。反応層３１は、表面変性層２０上に堆積されたデポ物を洗浄により部分的に除去しデポ層とした後に、第１金属層１１に含まれるＴｉとデポ層とが熱処理により部分的に反応し形成される。 （もっと読む）

【課題】高出力及び高輝度、高寿命の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１／第２導電型半導体層上に其々第１／第２電極を、同一面側に備えた半導体発光素子であり、第１電極は、第１台座部とこれを基点として同方向に延びる２以上の第１延伸部とを備え、第２電極は、第２台座部とこれから第１台座部に近づくように第１延伸部と略同方向に延びる第２延伸部とを備え、２以上の第１延伸部は、其々同方向部分に、第２電極における第１台座部から最も遠い端部を越えて素子外周方向に配置された終端部を有し、一方の第１延伸部は同方向部分に第１台座部が設けられ、他方の第１延伸部は同方向部分で、第１電極と第２電極との間隔が最短となるように配置され、第２延伸部は、他方の第１延伸部の同方向部分と第２台座部との最短間隔及び他方の第１延伸部の同方向部と第２延伸部との最短間隔が同じになるように第２台座部から延伸してなる半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法により電極・配線層を形成する化合物半導体素子において、メッキ液がバリアメタル層を物理的に通り抜けたり、エッチングして化合物半導体層に浸入し、発振不良や電気特性不良などの素子特性不良が生じることを抑制する。
【解決手段】スパッタリングによりバリアメタル層としてＭｏ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＷ層のいずれかを形成する際に、何れも、スパッタリング時の入力パワーが２０００Ｗ以上５０００Ｗ以下に設定することによって、スパッタリング時の入力パワーを１０００Ｗとした従来技術の場合に比べて、バリアメタル層１３の膜質を、従来技術のような多孔質ではなく、緻密な繊維状の多結晶膜とし、バリアメタル層１３の金属粒径を５０ｎｍ以下として金属粒径が半分以下に小さくする。 （もっと読む）

【課題】非常に小さい幾何学的特徴をもつナノ構造のデバイスを製作することができる改善された方法を提供すること。
【解決手段】予め決められた形状をもつ一又はそれより多い電気的に帯電された部位を、半導体基板の表面又は半導体基板の不動態化表面である第一の表面上に形成する工程であって、その際、前記一又はそれより多い部位に対応する前記第一の表面の部分と固体材料の道具(9)とを、前記道具と前記第一の表面との間で電荷を移動させるように接触させる工程；
第二の材料の粒子(7)を、前記一又はそれより多い電気的に帯電された部位の近くに流れるようにし、該電気的に帯電された部位の極性に対する該電荷の極性により、該粒子(7)を前記一又はそれより多い電気的に帯電された部位にひきつけるか又は反発させることによって、該粒子(7)を上記形成工程において提供された電気的に帯電された部位に一致させて第一の表面上に堆積させる工程；及び
該堆積させた粒子を使用して、ナノメートルサイズのフィラメント若しくは粒子の鎖(148)、カーボンナノチューブのアレイ若しくはフィラメント(158)、又は半導体性材料若しくは磁性材料のフィラメント若しくはナノロッド(168)をつくる工程、
を含む方法によって、半導体基板の表面又は半導体基板の不動態化表面上にナノ構造を形成する。 （もっと読む）