【課題】 ｐ型の窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面を覆っているとともに貫通孔が形成されている絶縁膜と、貫通孔の底面に露出している窒化物半導体層の表面に接している金属膜を備えている窒化物半導体装置の製造方法において、良好なオーミック特性を実現できる製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型の窒化ガリウム層２の表面に酸化シリコン膜４を形成する。次に、酸化シリコン膜４の一部をエッチングし、窒化ガリウム層２の表面に達する貫通孔６を形成する。次に、窒化ガリウム層２の表面に付着したシリコン８を除去する。次に、窒化ガリウム層２の表面に接する金属膜を形成する。次に、窒化ガリウム層２と酸化シリコン膜４と金属膜を熱処理する。シリコン８を除去する工程と金属膜を形成する工程は、シリコンを含まない雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】還元剤から電子が注入されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を製造する方法とその方法により製造されたＣＮＴ及びそれを含む電気素子を提供する。
【解決手段】還元剤から電子が注入されたＣＮＴは、還元剤の処理条件を変えることによりＣＮＴのドーピング具合とバンドギャップなどの電子特性を広範で且つ容易に調節することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉを得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。基板温度を１０℃から４００℃の範囲の適当な温度に保持した状態で、該酸化膜２の表面にＦｅ３とＳｉ４とをほぼ３：１の蒸着速度比で同時蒸着させる。室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 発光効率を向上できると共に、順電圧の上昇を抑制可能な半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体層と、該層上に設けられた透光性の導電性酸化物膜とを有し、導電性酸化物膜は、部分的に柱状構造部を有する半導体発光素子。
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【課題】シリコン基板を用いた窒化物半導体素子において、シリコン基板に形成する金属電極のオーミック接触性と密着性を両立し、電気特性と信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板（２）と、シリコン基板（２）上に形成された窒化物半導体層（１０）と、シリコン基板（２）に接して形成された金属電極（８、８’）とを備えた窒化物半導体素子であって、金属電極（８、８’）は、シリコン基板（２）に接して離散した島状に形成された第１金属層（４、４’）と、第１金属層（４、４’）の島同士の間から露出したシリコン基板（２）に接して第１金属層（４、４’）を覆うよう形成された第２金属層（６、６’）と、を有し、第２金属層（６、６’）は、シリコンとオーミック接触可能な金属から成り、第１金属層（４、４’）は、第２金属層（６、６’）と異なる金属とシリコンとを含む合金から成る。 （もっと読む）

有機薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極及びドレイン電極を設ける工程と、前記ソース電極及びドレイン電極上に自己組織化薄膜層を形成する工程と、前記ソース電極とドレイン電極との間のチャネル領域内に、溶媒と有機半導体材料とを含む溶液を塗布する工程とを有し、前記自己組織化薄膜層の材料は、電荷を受容又は供与することによって有機半導体材料を化学的にドーピングするドーパント部分と、前記ドーパント部分に結合し且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極とに選択的に結合する別個の連結部分とを備える。
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【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】再現性よく低いコンタクト抵抗を得られるオーミック電極を容易に製造できるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法は、準備工程と、成長工程と、電極形成工程とを備え、内部を真空に維持したチャンバ１５０内で、成長工程と電極形成工程とを連続して実施する。準備工程では、基板を準備する。成長工程では、基板上に、窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層を成長させる。電極形成工程では、半導体層に接触するようにオーミック電極を蒸着により形成する。 （もっと読む）

発光ダイオードを製造するシステムおよび方法は、多層エピタキシャル構造体をキャリア基板上に形成するステップと、少なくとも１層の金属層をその多層エピタキシャル構造体上に堆積するステップと、そのキャリア基板を除去するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極又はドレイン電極の膜厚のばらつき又は断線を防止した半導体装置を容易に作製する方法を提案する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第２の絶縁層と、を有し、少なくとも第１の絶縁層、及び第２の絶縁層に形成された半導体層に達する開口部と、前記開口部において前記第２の絶縁層の側面に形成された段差と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。まず、種基板を準備する準備工程（Ｓ１０）を実施する。そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 （もっと読む）

基板（１）、第１の電極（２）、前記第１の電極上の有機機能層（４）及び前記有機機能層（４）上の第２の電極（５）を有する、有機電気素子を記載する。前記第１の電極及び／又は前記第２の電極（２，５）はレニウム化合物を含有する。さらに、レニウム化合物を含有する電極を有する有機電気素子の製造方法を記載する。
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【課題】電子機器の半導体材料に改良された電荷注入を備える新規電極構造を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、半導体材料及び半導体材料に電気的に接続された電極構造を備える。電極構造は、第１の導体材料で形成された第１の部分及び第２の導体材料で形成された第２の部分を有する。電極構造の第１の部分及び第２の部分の両方は、半導体材料と直接的に接触している。第１の導体材料は、第１の仕事関数を有し、第２の導体材料は、第１の仕事関数と異なる第２の仕事関数を有する。電極構造の第２の部分は、第１の部分と共に接合部点を形成する。電極構造の第１の部分及び第２の部分は、第１の導体材料と第２の半導体材料との間の接合部の端部からフリンジ電界が半導体材料中へ広がるように配置される。 （もっと読む）

【課題】基板上に互いに特性が異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を、制御性高くかつ低コストで製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の半導体素子を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に熱輻射量または熱伝導量が互いに異なる複数の領域を有する加熱制御層を形成する加熱制御層形成工程と、前記加熱制御層を形成した基板を加熱する加熱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電極、特に有機電子デバイスのための電極を製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】電着によって電気活性物質（該電気活性物質は有機電気活性化合物を含む。）の表面に電極を備えること、または当該電気活性物質のための基体の表面に当該電極を用意しその後に該電極の表面に該電気活性物質が施与されることを含む、有機電子デバイスを製造する方法において、該電着がイオン液体、および金属または半金属のイオンを含んでいるめっき液を使用し、該金属または半金属のイオンが還元されそして析出されて電極を形成する、上記方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の透明電極などに利用可能な、導電性の高い金属化合物膜と、その簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶構造を有する酸化亜鉛などからなる金属化合物粒子１を含む粒子分散液をシリコン基板２に塗布し、金属化合物粒子を、基板平面方向にＣ軸配向する粒子が含まれるように基板に付着させる。この上に同じ金属化合物粒子を含む液を塗布し、付着した金属化合物粒子を核として結晶成長させる。焼成処理をして基板平面方向にＣ軸配向した金属化合物膜３の結晶粒を得る。 （もっと読む）

【課題】反射率が高く、窒化ガリウム層との接合強度を低下させない電極を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ⁺型ＧａＮ層１６を有する。ｐ⁺型ＧａＮ層１６には、ＩＴＯから成る透光性電極２１がほぼ全面に形成され、透光性電極２１上の一部に金から成るパッド電極２２が形成されている。ｎ型ＧａＮ層１１には、Ｔｉ層３１とＡｌ層３２とから成るｎ電極３０が形成されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、ｎ電極３０が光反射電極層であり、透光性電極２１を通過した光の取り出しを行うフェイスアップ型ＬＥＤである。Ｔｉ層３１の厚さが１ｎｍ未満であり、Ｔｉ層３１で光吸収が生じない。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】低コスト及び簡素な構成で、窒化物化合物半導体層と基板との間の直列抵抗を低減できる半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】半導体デバイスは、ｐ型シリコン基板１と、ｐ型シリコン基板１上に設けられ、シリコンに対してｐ型の不純物として機能する元素を含むバッファ層９と、バッファ層９上に設けられた窒化物化合物半導体層３と、窒化物化合物半導体層３上に設けられた第１の電極４と、ｐ型シリコン基板１下面に設けられた第２の電極８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善するＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造は、先ずエピウエハ表面に対して界面結合力を高める手段、次にエピウエハ表面に金属沈殿手段、先ずエピウエハの表面にプラズマ処理を行い、ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にする。この他、更に電気メッキ条件を制御して、電気メッキ沈殿の粒を極粒にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善し、ランドパッドと電線接合の接着強度を高める。また第一金属層及び第二金属層の間に導電粘着層を沈殿させ、第一金属層及び第二金属層の界面結合力を高める。 （もっと読む）