【解決手段】 チタニウム−アルミニウム−窒素（「Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ」）が半導体基板上に積層されて反射防止コーティングとしての役割を果たす。配線ラインの実施の形態に対して、アルミニウム導電層（５４）及びアルミニウム−チタニウム下層（５２）は、反射防止キャップ層の下に形成される。
【効果】 配線ライン製造プロセスに対して、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層は、製造中の不要なフォトリソグラフ光（即ち、光子）の反射を防止するキャップ層（５６）としての役割を有する。電界放射ディスプレイ装置（ＦＥＤ）（１５０）に対して、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層は、ディスプレイスクリーン（１１８）のアノードに由来する光がトランジスタ接合部を通過して装置動作を妨害するのを防止する。Ｔｉ−Ａｌ下層は熱処理中にアルミニウム導電層に起きる収縮を低減する。 （もっと読む）

【課題】 金属と窒素と炭素を含む第１の処理ガスと、当該第１の処理ガスを還元する第２の処理ガスを交互に供給して薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜に含まれる、前記金属、窒素、および炭素のうち、少なくともいずれか一つの含有率の制御することを可能とすること。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器に、金属と窒素と炭素を含む第１の処理ガスと、当該第１の処理ガスを還元する第２の処理ガスを供給し、前記被処理基板上に薄膜を形成する成膜方法であって、前記処理容器に前記第１の処理ガスを供給する第１の工程と、前記処理容器に前記第２の処理ガスを供給し、前記処理容器に設けられたプラズマ励起手段によって当該第２の処理ガスをプラズマ励起する第２の工程と、を有し、前記プラズマ励起手段に印加される高周波電力を変更することにより、前記薄膜に含まれる、前記金属、窒素、および炭素のうち、少なくともいずれか一つの含有率を制御することを可能としたことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、立体的な構造をもつ半導体基板上に形成する配線層の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を介して支持体１４を形成する。次に、半導体基板１０の一部を当該裏面から選択的にエッチングして開口部１０ｗを形成した後、当該裏面に第２の絶縁膜１７を選択的に形成する。次に、開口部１０ｗを含む半導体基板１０の裏面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物を、ノズル３０ａからの噴霧によってスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層１８を形成する。そして、配線層１８が形成された半導体基板１０をベークし、配線層１８を固化する。さらに、配線層１８を所定のパターンにパターニングする工程を経る。 （もっと読む）

【課題】 十分なエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、絶縁材料からなる第１の層間絶縁膜が形成されている。第１の層間絶縁膜をビアホールが貫通する。ビアホール内に、銅または銅を主成分とする合金からなる導電プラグが充填されている。第１の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜が形成されている。第２の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。配線溝内に、銅または銅を主成分とする合金からなる配線が充填されている。導電プラグ中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計が、配線中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単な手段を採ることで、窒化物系化合物半導体と電極との接触抵抗を低下させ、また、電極表面及び電極パターンエッジのモフォロジを良好に維持することを可能にして高い信頼性を実現できるようにする。
【解決手段】 金属窒化物、例えばＴｉＮを含む第１の層及びＭｏ_x Ｇａ_1-x （０＜ｘ＜１）を含む第２の層が半導体に近い側から前記の順に積層されてなる電極を備えてなることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）

【課題】銅を含む導電性コア領域と界面領域とを有する導電性材料及び該導電性材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】銅と、０．００１原子百分率から０．６原子百分率までの、イリジウム、オスミウム、及びレニウムから選択された１つ又はそれ以上の金属とを含む導電性コア領域、及び界面領域を備える導電性材料である。界面領域は、少なくとも８０原子百分率又はそれ以上の１つ又はそれ以上の金属を含む。界面領域は、銅と、イリジウム、オスミウム、及びレニウムから選択された１つ又はそれ以上の金属とを含むシード層を形成し、その上に銅からなる導電性層を形成し、導電性層を研磨して、研磨された銅の表面材料を構成し、シード層から研磨された表面への１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションを引き起こすのに十分な温度で該研磨された銅の表面材料をアニールして形成される。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 例えば配線等の下地金属の内部にボイドを発生させることなく、下地金属の露出表面に無電解めっきによって金属膜を確実に形成でき、しかも、スループットを向上させることができるようにする。
【解決手段】 下地金属を形成した基板の表面に無電解めっきにより金属膜を形成するに際し、基板の表面を、カルボキシル基を有する有機酸またはその塩の水溶液に界面活性剤を添加した洗浄液で洗浄し、洗浄後の基板の表面を、金属触媒イオンを含む溶液に前記洗浄液を混合した処理液に接触させて基板の表面に触媒を付与する。 （もっと読む）

多層集積回路機器へ誘電体層における金属充填配線上の多層金属キャップ（１８、２０）および該キャップを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。
【解決手段】 第１の金属配線１３の一端部１３ａと第２の金属配線１５の一端部１５ａとは第１のプラグ１６を介して接続されており、第１の金属配線１３の他端部１３ｂと第３の金属配線１７の一端部１７ａとは第２のプラグ１８を介して接続されている。第１、第２及び第３の金属配線１３、１５、１７の配線幅は、互いに等しいと共に第１及び第２のプラグ１６、１８の径ともほぼ等しい。第１の金属配線１３の他端部１３ｂの配線幅は、第１の金属配線１３の一端部１３ａ及び第３の金属配線１７の一端部１７ａの配線幅よりも大きい。第２の金属配線１５の一端部１５ａの配線幅は第１の金属配線１３の一端部１３ａの配線幅よりも大きい。 （もっと読む）