【課題】 エレクトロマイグレーションの制約を受け難く、配線抵抗が小さくトランジスタの電力損失が少ない、パッド配置の制約の少ないパワーＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体基板１に形成されたソース領域２およびドレイン領域３が格子状に形成されたゲート４を挟んで互いに隣接するＭＯＳトランジスタにおいて、半導体基板１上に順次形成された３層のメタル配線５、６、７とを有する。メタル配線は、ソース領域及びドレイン領域に電気的に接続され、ドレイン領域を第３層メタル配線７に接続する場合、ソース領域を第２層メタル配線６及び第１層メタル配線５に接続する。第３層メタル配線７のドレイン配線は、半導体基板１の全領域を覆うように配置され、第１層及び第２層メタル配線５、６のソース配線は第１層及び第２層メタル配線の全領域を覆うように配置される。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造に選択的低温Ru堆積を統合することで、バルクCu金属中でのエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、誘電体層(304)中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属(322)によって少なくとも実質的に充填されている工程、H₂、N₂、若しくはNH₃、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程、並びに、前記の熱処理されたバルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程、を有する。
（もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤を１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 （もっと読む）

【課題】安価で且つエレクトロマイグレーションの生じない銅を使用して、低温焼成であっても高導電性を有する導電材を形成する方法及び該方法により形成された導電材を提供すること。
【解決手段】本発明の導電材の形成方法は、一次粒子の平均粒径が１〜１５０ｎｍの銅微粒子（Ｐ）を、少なくとも、分子中に１又は２以上の水酸基を有するアルコール及び／又は多価アルコールからなる有機溶媒を含む分散媒（Ｓ）に分散させて銅微粒子分散液を調整する工程と、前記銅微粒子分散液を被塗布体上に付与して、所定パターンを有する銅微粒子分散液の液膜を形成する工程と、前記所定パターンを有する銅微粒子分散液の液膜を焼成して焼結導電層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

Ruの選択堆積を半導体デバイスの作製に統合することで、Cuメタライゼーションにおけるエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、熱化学気相成長法によって、Ru₃(CO)₁₂先駆体蒸気及びCOガスを有するプロセスガスを用いて、メタライゼーション層(302)上及びバルクCu(322)上にRu金属膜を選択的に堆積する工程を有する。1つ以上の選択的に堆積されたRu金属膜を有する半導体デバイスが記載されている。
（もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｎおよび／またはＮｉを０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

金属間化合物導体材料は、集積回路において相互接続を形成するために使用される。いくつかの場合では、この金属間化合物導体材料は、アルミニウムの金属間化合物合金であり得る。
（もっと読む）

【課題】電子移動の性能を改善しまたリソグラフィープロセスステップを有利にする目的で、バリア層のアルミニウムの｛１１１｝含有率を上げる。
【解決手段】ＩＭＰ技術を用いて（Ｔｉ又はＴｉＮ_X）／ＴｉＮ／ＴｉＮ_Xバリア層を堆積する場合に、Ｔｉ又はＴｉＮ_X である第１層の厚さを約１００オングストローム以上、〜約５００オングストロームまで（表面形状の幾何関係がこの厚みの上限を制限する）までの範囲に厚くし、ＴｉＮの第２層を約１００オングストローム以上約８００オングストローム以下（好ましくは約６００オングストローム以下）の範囲に薄くし、ＴｉＮ_Xの第３層の形成を制御してＴｉ含有率が約５０原子パーセントチタン（ストイキオメトリック）〜約１００原子パーセントチタンとなるようにすることにより、（Ｔｉ又はＴｉＮ_X）／ＴｉＮ／ＴｉＮ_Xバリア層を改良することができる。第１層がＴｉＮ_Xである場合は、Ｔｉの原子パーセントは少なくとも約４０パーセントである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜の流動性の低下を抑制しつつ、耐熱性を向上させる。
【解決手段】イオンビームデポジションなどの方法にて高純度アルミニウム膜１５を絶縁層１３上に形成した後、イオンビームデポジション法にて、添加元素１７を含む添加元素膜１６を高純度アルミニウム膜１５上に形成し、添加元素膜１６の熱処理を行うことで、添加元素膜１６に含まれる添加元素１７を高純度アルミニウム膜１５に拡散させ、高純度アルミニウム膜１５に添加元素１７を添加する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＡｌ膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。また、配向性の高いＴｉ膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングを行う成膜室内に、Ｈ_２ガスを導入してから、または、Ｈ_２ガスを導入しながら、Ｔｉ膜の成膜を行う。成膜中におけるＨ_２ガスの分圧は、１×１０^−４Ｐａ〜１×１０^−２Ｐａであることが好ましい。また、Ｔｉ膜の成膜は、半導体基板を２００℃〜２５０℃の温度に加熱した状態で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銅めっきをアンテナに用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止し、また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止する装置を提供する。
【解決手段】半導体装置によると、同一の基板１０２上に集積回路１００とアンテナ１０１とが一体形成された半導体装置において、銅めっき層１０８をアンテナ１０１の導体に用いた場合に、アンテナ１０１の下地層１０７に所定の金属の窒化膜を用いているので銅の回路素子への拡散を防ぎ、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を低減できる。また、アンテナの下地層の金属の窒化物の一つにニッケルの窒化物を用いることで、アンテナと集積回路の接続不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】金属膜を吸着および分解プロセスの繰り返しにより、効率よく成膜する。
【解決手段】成膜方法は、被処理基板表面に金属元素のカルボニル原料を気相分子の形で、前記気相分子の分解を抑制する気相成分と共に、前記気相成分の分圧を、前記カルボニル気相原料分子の分解が抑制される第１の分圧に設定して供給する第１の工程と、前記被処理基板表面において前記気相成分の分圧を、前記カルボニル原料の分解が生じる第２の分圧に変化させ、前記被処理基板表面に前記金属元素を堆積させる第２の工程と、よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の電極中の銀のマイグレーションの抑制。
【解決手段】サファイア等の誘電体基板１０に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１、発光層１２、ｐ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１３を形成する。この後、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１をエッチング等により露出させ、ｎ電極３０を形成する。正電極側は、ｐ型層１３の上に、ＩＴＯから成る透光性電極層２１、銀合金から成る反射電極層２２、ＴｉとＰｔを積層した拡散防止層２３、金から成る厚膜電極２４を順に積層する。銀合金から成る反射電極層２２は、パラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）を添加し、酸素（Ｏ）を含む。これにより、銀合金から成る反射電極層２２からのマイグレーションを抑制した上、下層のＩＴＯから成る透光性電極層２１との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】正電極に銀合金を用いる際のｐ型ＧａＮ層とのオーミック性改善
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０にＡｌＮバッファ層を形成した後、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｐ型ＧａＮ層１５をＭＯＣＶＤで積層した。蒸着とリフトオフによりｎコンタクト電極３１を形成し、スパッタリングとリフトオフによりＰｄとＣｕを含む膜厚４００ｎｍの銀合金層から成るｐコンタクト電極２１を形成した。窒素ガス下で６００℃で１分間の加熱処理と、酸素ガスで炉内を置換して３００℃、３分間の加熱処理の後、Ｔｉと金から成るパッド電極２２と３２を形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子１００の駆動電圧は３．１Ｖと良好であり、オーミック性の良いコンタクト電極２１が形成された。 （もっと読む）