【課題】半導体装置は、高温、低温、高湿度などの劣悪な環境下で使用される他、機械的ストレスが加わる部位に貼付して使用されることもある。したがって、半導体装置を用いたシステムの信頼性を向上するためには、半導体装置には非常に高度な耐久性が要求される。しかしながら、半導体装置には、安価に提供することも求められるため、耐久性を向上する目的で、高価なプロセスを用いることはできない。
【解決手段】同一の機能を有する複数の機能回路を有する半導体装置と、通信装置と、から構成し、半導体装置は各々の機能回路における処理結果を各々異なる周波数の副搬送波を用いて変調して送信し、通信装置は受信した各々の機能回路における処理結果から多数決により正常な応答を抽出する。このようにすることで、信頼性の高い無線システムを安価に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなるＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】短絡のような不良の発生を抑制すると共に、全体的な比抵抗を低くすることによって電気的特性を向上させた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動ソース電極１３８及び駆動ドレイン電極１３９を含む第１導電層と、前記第１導電層と絶縁して配置され、駆動ゲート電極１５７、スイッチングゲート電極１５４及びゲートライン１５１を含む第２導電層と、前記第１導電層及び前記第２導電層と絶縁して配置され、スイッチングソース電極１８５、スイッチングドレイン電極１８６、データライン１８１及び共通電源ラインを含む第３導電層とを含む。 （もっと読む）

【課題】無線信号により物理的位置を検出する機能を有する半導体装置において、電源電圧を電池から供給するアクティブ型では、定期的な電池交換、電池の物理的形状、質量に関する制約により、半導体装置の物理的形状、質量などが制限される。
【解決手段】半導体装置に、無線信号から電源電圧を生成する機能を有する電源回路と、無線信号から生成された電圧をＡ／Ｄ変換することで無線信号の強度を検出する機能を有するＡ／Ｄ変換回路と、を搭載する。このようにすることで、電池交換の必要が無く、物理的形状及び質量の制約が少ない、物理的位置を検出する機能を有する半導体装置を提供することができる。また、半導体装置をプラスチック基板上に形成した薄膜トランジスタで構成することで、物理的柔軟性を有し、軽量な、物理的位置を検出する機能を有する半導体装置を安価に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルを設けず、導電性酸化膜とＡｌ合金膜を直接接続させても、導電性酸化膜とＡｌ合金膜との間の密着性が高く、コンタクト抵抗率が低く、好ましくは、ドライエッチング性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Ａｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜０．５原子％含有し、Ｇｄおよび／またはＬａを合計で０．０５〜０．４５原子％含有する表示デバイス用Ａｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一、第二の添加金属を含有しており、本発明により成膜された導電膜２５はＣｕを主成分とし、第一、第二の添加金属を含有する。このような導電膜２５はシリコン層２３との密着性が高い上、シリコン層２３へ銅が拡散せず、しかもＩＴＯのような透明導電膜に対するコンタクト抵抗も低いので、ＩＴＯとシリコン層とが形成されたＴＦＴ付パネルの配線膜や電極のバリア膜として特に適している。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一の添加金属であるＺｒが添加されており、このターゲットをスパッタリングして得られる第一の導電膜はＣｕを主成分とし、Ｚｒを含有する。このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。ターゲット１１に更に、Ｍｎと、Ｚｎと、Ｓｎ等の第二の添加金属を添加すればシリコン、ガラス、ＩＴＯに対する密着性がより高くなる。 （もっと読む）

【課題】低電気抵抗配線を実現すると共に微細加工性に優れ、且つ製造工程で加わる熱履歴にも十分耐える耐熱性を有するアルミニウム合金配線を備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に、透明導電膜と薄膜トランジスタを電気的に接続するアルミニウム合金配線膜が配置された表示装置において、該アルミニウム合金配線膜は、Ｎｉ，Ａｇなど特定の元素群Ｑから選ばれる１種以上の元素と、希土類元素やＭｇなど特定の元素群Ｒから選ばれる１種以上の元素を特定量含むアルミニウム合金からなる第一層（Ｘ）と、該第一層（Ｘ）よりも電気抵抗率の低いアルミニウム合金からなる第二層（Ｙ）とを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）が透明電極膜と直接接している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】安定した無線通信を行う半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、信号処理回路と、信号処理回路に接続されたアンテナ回路と、信号処理回路に電力を供給する蓄電手段を有する。信号処理回路は、アンテナ回路を介して、情報を受信および送信し、アンテナ回路で受信された信号から直流電圧を生成し、蓄電手段に充電する。また、アンテナ回路は、電磁誘導方式で信号を受信するアンテナ部、およびマイクロ波方式で信号を受信するアンテナ部を有し、広帯域の周波数の信号を受信できるようになっている。広帯域の信号を受信できるため、蓄電手段を充電できる環境が広がる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．１〜３原子％を含み、さらにＡｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 （もっと読む）

【課題】メモリにおけるデータの読み出しに関し、低消費電力なメモリを搭載した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワード線と、ビット線と、ワード線及びビット線に電気的に接続されたメモリセルを有する半導体装置において、ビット線に接続され、ビット線の電位をメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位にするプリチャージ回路を有し、プリチャージ回路はビット線毎に設けられており、ビット線毎にメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位にする構成とする。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１〜１３４と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３〜１０６とを有する薄膜トランジスタ１１８〜１２１と、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホール１４２を含む第１のコンタクトホールと、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホールに含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホール１４２の底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】無線通信によりデータの交信が可能な半導体装置において、復調信号を基に生成したクロックを利用するために引き起こされる誤動作するまたは応答しない等の動作不良を防止することを課題とする。
【解決手段】無線信号を受信するためのアンテナ回路と、アンテナ回路で受信した前記無線信号により電源を生成する電源回路と、電源が供給されるクロック発生回路と、を有し、クロック発生回路には、自己発振するリングオシレータと、リングオシレータの出力信号を適切な範囲の周波数に調整する分周器を設け、周波数の精度が高いクロックをもってディジタル回路部を駆動することで、誤動作するまたは応答しない等の動作不良を防止する。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性及び電荷保持特性に優れ、また、書込み電圧を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、互いに離間して形成された一対の不純物領域１８ａ，１８ｂの間にチャネル形成領域１４を有する半導体層または半導体基板と、半導体層または半導体基板の上方であってチャネル形成領域１４と重なる位置に、第１の絶縁層１６、少なくとも一つ以上の層は、絶縁性であり、電荷を保持するトラップを有する層である異なる窒化化合物で形成される複数の層２０、第２の絶縁層２２、制御ゲート２４を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層とソース電極およびドレイン電極との間のバリアメタル形成の省略が可能な（薄膜トランジスタの半導体層とソース電極およびドレイン電極との間にバリアメタルを形成する必要のない）薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する。
【解決手段】(1) 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極と、透明導電膜とを有する薄膜トランジスタ基板において、前記ソース電極およびドレイン電極が前記薄膜トランジスタの半導体層と直接接続した構造を有すると共に、前記ソース電極およびドレイン電極がNi：0.1 〜6.0 原子％、La：0.1 〜1.0 原子％、Si：0.1 〜1.5 原子％を含有するAl合金薄膜よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板、(2) 前記薄膜トランジスタ基板が設けられている表示デバイス等。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。

【解決手段】Ｂ：５〜２０００ｗｔｐｐｍを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する液晶表示装置の配線および電極用銅合金薄膜およびその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング・高周波動作電子回路において、導電率が大きく、かつ、界面特性の向上と低エネルギー化が実現された、傾斜機能を有する高機能な導電薄膜を提供する。
【解決手段】荷電粒子等生成供給部１０２から、荷電粒子等薄膜構成元素１０３が発生され、発せられた荷電粒子等薄膜構成元素１０３は、それらの運動エネルギーを制御する作用を持つ荷電粒子等エネルギー制御部１０４によってエネルギーを所要の範囲に制御され、目的とする導電薄膜を形成するための下地となる基板１０５に導入される。また、磁界発生印加部１０６により、基板１０５に形成される導電薄膜表面の近傍に、この導電薄膜の膜厚方向と交差する方向の平行磁界が、所要の磁界強度などに制御して印加可能とされている。 （もっと読む）

【課題】低い配線抵抗，熱的安定性を有し，画素電極との接触抵抗特性が改善されたフラットパネルディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラットパネルディスプレイ装置は、基板１００と，該基板１００上に順次積層された耐熱性金属膜パターン１３１ａ，アルミニウム系金属膜パターン１３１ｃ，およびキャッピング金属膜パターン１３１ｄを備えるソース／ドレイン電極１３１と，を含み，耐熱性金属膜パターン１３１ａは，５００Å以下の厚さを有し，耐熱性金属膜パターン１３１ａとアルミニウム系金属膜パターン１３１ｃとの間には，拡散防止膜パターン１３１ｂがさらに含まれる （もっと読む）