【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するＴＦＴをスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、該ＴＦＴのチャネルを形成する多結晶Ｓｉ層４より下層に位置する電極配線２を、希土類元素を添加元素として含むＡｌ合金からなる第一の合金層２ａと、希土類元素と高融点金属とＡｌとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層２ｂとの積層構造とすることで、多結晶Ｓｉ形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】全面に渡って比抵抗値が均一なフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成することができるスパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて成膜したフラットパネルディスプレイ用配線膜を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜１５原子％、ＬｉおよびＣａのうちの１種または２種の合計：０．１〜１５原子％を、ＣｒとＬｉとＣａの合計が０．２〜２０原子％の範囲内にあるように含有し、さらに必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて形成したフラットパネルディスプレイ用配線膜およびフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、該ゲート電極層上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に該ソース電極層及び該ドレイン電極層と、ソース電極層及びドレイン電極層上にバッファ層と、該バッファ層上に半導体層とを含む薄膜トランジスタを有し、ゲート電極層と重なる半導体層の一部は、ゲート絶縁層上に接し、且つ、ソース電極層とドレイン電極層の間に設けられ、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、バッファ層はｎ型の導電型を有する金属酸化物を含み、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を設け、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極及びドレイン電極と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの銅合金配線膜および銅合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｇ：０．１〜５原子％を含有し、さらにＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１１原子％を含有し、必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて成膜したＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、さらにＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１１原子％を含有し、必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、かつ第２の元素としてＣを第１の元素に対して1.8原子ppm〜1630原子ppmの範囲で含み、残部がＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットに熱間加工または冷間加工および機械加工を行ってスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第１金属層のヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）の生成を防止する。
【解決手段】基板上に第１金属層４３と第２金属層４５を連続して蒸着し、さらに所定幅（Ｗ１）を持つ感光膜４７を形成する（図５（ａ））。感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍの関係にあればステップカバレージの低下とヒロックの両方を防止できる。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介して、少なくとも一部がゲート電極と重畳するように離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、ゲート絶縁層上で、ゲート電極及び一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と少なくとも一部が重畳し、チャネル長方向に離間して配設された一対の導電層と、ゲート絶縁層と一対の導電層に接し、該一対の導電層間に延在する非晶質半導体層と、を有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧が高い高品質のＴＦＴ基板を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴ基板は、ゲート電極５２、ソース電極、ドレイン電極５６を有するＴＦＴ３２と、前記ゲート電極５２に電気的に接続された走査線と、前記ソース電極に電気的に接続された信号線とを備え、前記ゲート電極５２、前記ソース電極、前記ドレイン電極５６、前記走査線、及び前記信号線の少なくとも一つが、主配線層７０と、前記主配線層７０の上に形成されたバリア層７２とを有し、前記バリア層７２の少なくとも一部が窒化チタンからなり、前記バリア層７２の前記主配線層７０に接する下面の近傍における窒化率が、前記バリア層７２の上面の近傍における窒化率よりも低い。 （もっと読む）