Ａｌ又はＳｎから選んだ少なくとも１元素を０．０１〜０．５（未満）ｗｔ％含有し、Ｍｎ又はＳｉが総量で０．２５ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に、シート抵抗が小さく、また凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上するＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】ゲート電極上でゲートパッドを露出の絶縁膜パターン、ゲート電極及び絶縁膜パターン上に形成の半導体膜パターン、ゲート電極上の半導体膜パターンと接触の不純物注入半導体膜パターン、半導体膜パターン上に形成のソース及びドレイン電極とデータライン、ソース及びドレイン電極上且つゲートパッド領域で絶縁膜パターン上に形成の保護膜パターン、保護膜パターン上でドレイン電極に連結の第１画素電極パターンと、ゲートパッドに連結の第２画素電極パターンを備え、絶縁膜及び保護膜パターンはゲートパッド領域で重なり、ゲート電極、パッド及びラインは第１金属膜パターンと第１金属膜パターン上の第２金属膜パターンを含み、第２金属膜パターンの厚さは第１金属膜パターンに対し同じ又は薄く、第１金属膜パターンの幅は第１金属膜パターンの底から狭くなる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理が施された場合でも、従来技術では発生しやすかったボイドが抑制され、低電気抵抗率が維持されるＣｕ合金薄膜を提供する。
【解決手段】 ＦｅおよびＰを含み残部が実質的にＣｕであるＣｕ合金薄膜であって、該ＦｅとＰの含有量が下記式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とするＣｕ合金薄膜であり、２００〜５００℃で１〜１２０分間の熱処理が施された場合に、Ｆｅ₂ＰがＣｕの結晶粒界に析出するＣｕ合金薄膜。 1.4 Ｎ_Fe＋ 8 Ｎ_P ＜ 1.3 …（１） Ｎ_Fe＋ 48 Ｎ_P ＞ 1.0 …（２） 12 Ｎ_Fe＋ Ｎ_P ＞ 0.5 …（３）［式中、Ｎ_FeはＦｅの含有量（at％）、Ｎ_PはＰの含有量（at％）である］ （もっと読む）

【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第１の導電層及び第３の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用する。得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットを加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モードの発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。このスパッタリングターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる第２の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。このスパッタターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置製造の費用減少、生産性向上。
【解決手段】ＴＦＴ部及びゲート−パッド連結部に第１及び第２金属膜を蒸着しそれら金属膜をパターニングしゲート電極及びゲートパッドを形成する段階、全面に絶縁膜を形成する段階、第１及び第２非晶質シリコン膜パターンをＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が第１非晶質シリコン膜表面と当接するようそれらのパターンを形成する段階、ソース及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成しソース及びドレイン電極間の第２非晶質シリコン膜を除去する段階、ドレイン電極及びゲートパッドの一部が露出されるよう保護膜を形成しゲートパッドの一部上の絶縁膜を除去する段階、第１及び第２画素電極パターンを形成する段階を含み、第１金属膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ及びＴｉのうち１つの金属膜であり、第２金属膜はＡｌ又はＡｌ合金である。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する
【解決手段】希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、又は、希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金を用いることにより耐熱性に優れた低抵抗の配線材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲット用インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットを、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用して、スパッタリングターゲット用インゴットを作製する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置及びその平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル領域、ソース、及びドレイン領域を有する活性層と、前記チャンネル領域に信号を印加するゲート電極と、前記ソース及びドレイン領域にそれぞれ接続し、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金のうち少なくとも一つを含むソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記活性層との間に介在され、シリコンナイトライドを含む絶縁膜と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。これにより、ソース／ドレイン電極の配線抵抗を低め、活性層からの汚染を防止し、画素電極との接触抵抗特性が改善され、活性層への水素供給を円滑にして移動度、オンカレント特性、スレショルド電圧特性などに優れたＴＦＴ及びそれを備えた平板表示装置が得られる。 （もっと読む）