【課題】被試験デバイスの入出力端子の配置に合わせた微細なプローブを形成する。
【解決手段】プローブを製造する製造方法であって、プローブ本体上に接点部を形成する接点形成段階と、接点部およびプローブ本体の少なくとも一方を切削工具により切削して整形する整形段階と、を備えるプローブ製造方法を提供する。接点形成段階は、プローブ本体となる基板上に接点部を形成し、整形段階において接点部およびプローブ本体となる基板の少なくとも一方を切削工具により整形した後に、基板におけるプローブ本体以外の部分を除いてプローブを形成するプローブ形成段階を更に備える。 （もっと読む）

【課題】プローブ跡を除去でき、かつ、製造コストが増加することを抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、回路が形成された基板１００と、この基板１００上に形成され、表面に保護絶縁膜３００が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド２００と、を備える。また、このような半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板１００上に、この回路に接続し、かつ、保護絶縁膜３００から突出した突出部２０１を有する電極パッド２００を形成する工程と、プローブ端子５００を電極パッド２００に接触させることにより、回路の動作テストを行う工程と、突出部２０１の少なくとも表面を研磨する工程と、有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の不良選別を効果的に行う。
【解決手段】互いに非同期のクロックで動作する複数の回路ブロックを有し、複数の回路ブロックの一の回路ブロックによってセルフテストを実行する半導体集積回路の試験システムであって、複数の回路ブロックに対応するクロック信号を生成し半導体集積回路に供給するクロック発生装置と、半導体集積回路からの要求に応じてセルフテストの実行を代行するプロセッサを有する。これにより、各モジュールが非同期のクロックで動作する半導体集積回路の動作テストを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの電気試験を高速化する。
【解決手段】半導体デバイスプロービング装置は、試験チャンバを定めるように構成されたハウジング、ハウジング内に配置され、少なくとも１つの被試験デバイス６２を載せるように構成されたデバイスホルダ７０及びハウジング内に配置された少なくとも１つのプローブステージ５０を備える。プローブステージ５０は、ベース５２、ベース５２に軸旋回可能な態様で結合され、少なくとも１つのプローブ５８を保持するように構成された保持部９２を有する保持アーム９０及びベース５２上に配置されたステッパ８０を備える。ステッパ８０は、電気信号に応答して、保持アーム９０でプローブ５８を下方に移動させて被試験デバイス６２にコンタクトさせ、保持アーム９０でプローブ５８を上方に移動させて被試験デバイス６２から離し、よってプローブ５８の上下移動を６サイクル毎秒より高頻度で行えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と内部電極層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト粒子を主結晶粒子とする焼結体からなる絶縁基体の内部に、銅を４０〜６０体積％と、タングステンまたはモリブデンの少なくとも一方を４０〜６０体積％とを含有する内部配線層を備えている配線基板であって、前記内部電極層の周囲に存在する前記主結晶粒子として、アルミナが多く含まれているムライト粒子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明はプローブカード用セラミック基板の製造方法及びプローブカード用セラミック基板に関する。
【解決手段】導電性物質で充填されたビア電極が形成されたプローブカード用セラミック基板を設ける段階と、上記セラミック基板とビア電極の間に発生したボイドに熱硬化性樹脂を含む充填物質を充填する段階と、上記補助充填剤を硬化させる段階とを含むプローブカード用セラミック基板の製造方法が提供される。
本発明によると、ビア電極とセラミック基板の間に形成されたボイドが除去されるため、ビア電極とプローブチップの間の固着強度を強化することができ、ビア電極の周辺が陷沒するような不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】芯材を除去した段階で、追加の工程を必要とすることなく、接続治具に取り付けられる絶縁被膜を有する接続端子を提供する。
【解決手段】対象物の対象点に電気的に接続される接続治具に組み込まれる接続端子である。その接続端子は、導電性材料のめっき層からなる円筒形状管を備え、円筒形状管が、その両端から対向する向きに所定の長さにわたる先端部及び後端部と、先端部と後端部との間に形成された、長軸方向のらせん状の壁面を有するばね部とを備え、ばね部が、らせん状の壁面に沿って形成される絶縁層を有し、さらに、円筒形状管の先端部及び後端部にサイドエッチングが存在する。 （もっと読む）

【課題】試験精度及び接続信頼性の向上を図ることが可能な試験用個片基板を提供する。
【解決手段】半導体ウェハの試験に用いられる試験用個片基板３０は、本体部３１と、本体部３１から延在すると共に、本体部よりも相対的に薄い薄肉部３２１，３２２と、薄肉部３２１，３２２に設けられたバンプ３３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェハテストを必要とする半導体装置を縮小化を可能にすること。
【解決手段】半導体装置は、ボンディングパッドと、ボンディングパッドに電気的に接続されたボンディングワイヤと、ボンディングワイヤがボンディングパッドに接続される前のウェハ状態において電気的特性が試験される被試験回路と、被試験回路の試験のための端子となると共に、ボンディングパッドに隣接して配置され、ボンディングワイヤと接触している試験用パッドと、被試験回路の試験時に試験用パッドと被試験回路とを電気的に接続する試験用配線と、被試験回路の試験後に被試験回路と試験用パッドとの電気的接続を遮断する遮断機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プローブ基板及びその製造方法に関する技術を提供する。
【解決手段】プローブ基板１００は、一面１１０Ａに表面凹凸部を有するセラミック基板１１０と、当該表面凹凸部に形成される一つ以上の電極パッド１２０と、当該各電極パッド１２０の外周面に沿って上記セラミック基板１１０の溶融によって形成される緩衝部１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】高感度に位置調整と特性試験を実施することができ、不良が生じた場合には位置調整上の不良と特性不良とを切り分けて不良を検出することを可能とする技術の提供。
【解決手段】プローブカード１は、半導体装置２の特性測定用のプローブ針用の電極２Ａに接触して電気的な導通を取る特性測定用のプローブ針１Ａと、特性測定用のプローブ針１Ａの半導体装置２の特性測定用のプローブ針用の電極２Ａへの接触時における半導体装置２から針先までの高さが特性測定用のプローブ針１Ａより高い位置調整用のプローブ針１Ｂとを、半導体装置２の隅に対応する部分に備える。 （もっと読む）

【課題】 プローブが被試験素子に接触するときに生じる応力を軽減する。
【解決手段】 下部コンタクト２０と上部コンタクト１１とを備えた半導体素子の垂直型プローブ１０Ａであって、下部コンタクト２０は、波頂点同士が対向する方式で重ねられている複数の第１の波状スプリング２１を備えており、被試験素子７０に接触するように配置されており、第１の波状スプリング２１は縦方向の移動を提供するように配置されることで、プローブ１０Ａが被試験素子７０に接触するときに生じる応力を軽減するものであり、上部コンタクト１１は、実質的に直線となるように下部コンタクト２０の上に重ねられており、幅が下部コンタクト２０の幅よりも広い。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ高精度にパッド中央の位置情報を得ること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路の検査装置は、半導体の複数の端子に接続された複数のパッドにそれぞれ対応する複数のプローブピンを有するプローブカードを前後、左右に移動する駆動部と、半導体の複数の端子に接続された複数のパッドの形状及び半導体集積回路の配置を記憶した記憶部と、記憶部から取得したパッドの形状に基づいて駆動部を制御する制御部とを有する。制御部は、駆動部を制御して、前記複数のパッドのうち検査対象である一の検査パッドの頂点座標を検出する検出処理を行い、当該検査パッドの一頂点を検出した場合は、検査パッドの形状の情報から検査パッドの中央の座標を算出し、算出された検査パッドの中央の座標にプローブピンを押圧して半導体集積回路の検査をする。 （もっと読む）

【課題】プローブの先端が電極パッドから外れてしまうことによる測定不良を十分に抑制する。
【解決手段】半導体装置（例えば、半導体ウェハ２００）は、複数層の配線層と、相互に隣り合う配線層の間に介在する層間絶縁膜と、を含む多層配線層９０を有する。更に、多層配線層９０上に形成された無機絶縁膜（例えば、酸化膜４と酸化窒化膜５との積層膜）と、無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜６とを有する。更に、多層配線層９０の複数層の配線層のうち、最上層でない配線層（例えば、最下層の配線層）に形成された電極パッド４０と、有機絶縁膜６、無機絶縁膜、及び、多層配線層９０において、電極パッド４０上に位置する部位に形成された開口４１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】異種金属からなる線材を接合して構成される検査用プローブにおける接合箇所の品質を向上した検査用プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の先端部に検査用接触部が形成される第１の線材１１０及び第２の線材１２０を接合して構成される検査用プローブの製造方法を、第１の線材と第２の線材の外周面に異なったエネルギ量のレーザ光を照射することによってレーザ溶接し、その後外周面を研磨する構成とする。 （もっと読む）

【課題】プローブピンがはんだと接触した際に、はんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着することを防ぎ、耐スズ凝着性に優れた導電性皮膜を基材表面に形成して成る半導体検査装置用プローブピンを提供することを目的とする。
【解決手段】 導電性基材と、銅およびジルコニウムを含有する銅−ジルコニウム皮膜とを含む半導体検査装置用プローブピンであって、前記銅−ジルコニウム皮膜において、ジルコニウムと銅の総原子数に対するジルコニウム原子数の割合が、１５〜８５原子％であり、前記皮膜の膜厚が、０．０５〜３μｍであることを特徴とする半導体検査装置用プローブピン。前記銅−ジルコニウム皮膜はさらに炭素原子を含み、前記銅−ジルコニウム皮膜の総原子数に対する炭素原子数の割合が、４０原子％以下であることが好適である。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の層間における剥離の有無を簡便な手法で検出できるようにする。
【解決手段】第１電極４１２は多層配線層２０に形成されている。第２電極４２２は、絶縁膜２２の一部を介して第１電極４１２と対向している。第１電極パッド４３０は第１電極４１２に接続している。第２電極パッド４３２は第２電極４２２に接続している。そして少なくとも２層以上の絶縁膜２２のそれぞれが、第１電極４１２及び第２電極４２２に挟まれている。そして第１電極４１２及び第２電極４２２により、センサ４０の少なくとも一部が形成されている。センサ４０は、多層配線層２０の層間における剥離の有無を検出するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】隣位するプローブピン同士が接触するなど、傾斜型垂直カンチレバー形状のプローブピンを備えるプローブカードに生じていた種々の問題点を解決することができるプローブカードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のプローブカード１Ａは、配線板２と、配線板２に対して水平方向の一方（傾斜方向ＳＤ）へ傾斜する傾斜型垂直カンチレバー形状であってその幅が配線板に近づくほど拡大する末広形状に形成されている複数個のプローブピン３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やさずに、安価な装置を用いてプロ―ビング位置の目視観察を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、多層配線層（図示せず）と、多層配線層の最上層に形成され、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２とを含むボンディングパッド２００を有する。ボンディングパッド２００には、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２との境界を表す凹部２０２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】内部で発生する雑音（ノイズ）は極力抑え、修理のために針交換が可能であり、半導体デバイスのパッドに付く傷跡はできるだけ小さく、また方向を制御することが可能なプローブカードを提供する。
【解決手段】電源針配線と信号針配線とを互いにほぼ直交させ、針支持板の針を通すマイクロホール周りに座刳りを施し、針を通した状態で樹脂を用いて固定する。また、下面板・上面板ずらしと上面板・針支持板ずらしの２種類のずらしを導入することにより、針のたわみ方向を制御でき、半導体デバイスパッド上での針の滑りを制御することで傷跡を小さくできる。 （もっと読む）