【課題】測定時におけるスイッチング素子の破損の可能性を低くする。
【解決手段】ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれにプローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】差画像解析を用いた半導体装置の不良解析を短時間で、効率よく高精度に行う。
【解決手段】良品、および不良品サンプルの半導体装置にテストパターンの掃引を開始して顕微鏡により発光画像を取得する。取得した発光画像を囲う反応ボックスを設定してレイアウト座標系の位置データに変換し、良品サンプルの反応ボックスと不良品サンプルの反応ボックスとが重なっている面積を計算する。重なっている面積がしきい値より少ない反応ボックスを差分ボックスと判定し、その差分ボックスを発光解析コントローラに表示する。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、基板表面の研磨性に優れ、かつ耐薬品性の良好なプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 前記絶縁基体は、前記主結晶相の割合を１００質量％としたときに、前記セラミック焼結体が、前記ＳｉをＳｉＯ２換算で１．０〜３．０質量％、前記ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．４〜１．０質量％、前記ＭｎをＭｎ_２Ｏ_３換算で１．０〜４．０質量部、前記ＴｉをＴｉＯ_２換算で２．０〜８．０質量部含有する。 （もっと読む）

【課題】不良箇所の特定の容易化を実現し得る配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の配線１４と、第１の配線上に形成され、第１の領域において第１の配線と重なり合う第２の配線２０とを有し、第１の配線は、第１の領域外に突出する第１のタブ部１６を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さで絶縁被覆され、各プローブ間の被膜厚のばらつきが小さく、高温雰囲気でも絶縁膜相互の融着が生じることない電着被膜にて被覆され、且つ、変形することなく先端部の電着被膜部が剥離されているプローブピンを提供する。
【解決手段】分子骨格中にシロキサン骨格を有し、分子中にアニオン性基を有するブロック共重合ポリイミドを含む絶縁体が金属細線１１０の表面に電着塗装されて電着被膜部１３０を形成しており、金属細線１１０の少なくとも一方の端部の電着被膜部１３０が、極性溶媒にて剥離除去されている。 （もっと読む）

【課題】プローブに加える荷重を低く維持したまま、狭小の有効スペースでプローブのストローク長さを長くし、かつ、プローブが安定して伸縮動作することができるプローブカードを提供する。
【解決手段】本発明のプローブカード１のプローブ２においては、ばね部として、ドーナツ形状の楕円板状に形成された第１ビーム部４および第２ビーム部５が傾斜配置されている。また、プローブ２は、第１ビーム部４の上端部および第２ビーム部５の下端部をヒンジ部Ｈとして２個のビーム部を連結させ、シングルアームパンタグラフ形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく積層デバイスを製造可能な積層デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハをｍ枚（ｍは３以上の整数）準備する半導体ウエーハ準備ステップと、ｍ枚の半導体ウエーハにおいて、良品、不良品マップ１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄを半導体ウエーハ毎に作成するマップ作成ステップと、該ｍ枚の半導体ウエーハから該所定数ｎの半導体ウエーハを選択して積層し、半導体デバイス中に不良品半導体デバイス１６ｂが含まれる数が最も少なくなる組み合わせを検出する組み合わせ検出ステップと、該組み合わせ検出ステップで検出した半導体ウエーハの組み合わせに従って、該所定数ｎの半導体ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、該積層ウエーハ形成ステップで形成した該積層ウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して、該所定数ｎの半導体デバイスが積層された積層デバイスを形成する分割ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、耐薬品性試験においてもビアホール導体の抵抗変化の小さいプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体の内部に、モリブデンを主成分とするビアホール導体を備えているプローブカード用セラミック配線基板であって、前記ビアホール導体がモリブデン１００質量部に対して、チタンをＴｉＯ_２換算で０．８〜８．２質量部、マンガンをＭｎＯ換算で１．４〜３．４質量部含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】プローブの複数端子と被測定物の位置関係を簡便且つ適正に求める。
【解決手段】プローブ装置１０は、複数端子を含むプローブ１１、そのプローブ１１を保持する保持部１２、保持部１２に設けられ、プローブ１１に向かって光１３ａを照射する照射部１３を含む。更に、プローブ装置１０は、照射部１３から照射される光１３ａによって被測定物２０上に投影されるプローブ１１の複数端子の影を含んだ像を取得する取得部１４を含む。取得部１４で取得される像から、プローブ１１の各端子と被測定物２０との位置関係が求められる。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第１半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第１半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、異物付着による外観不良が無くかつかつ耐薬品性に優れたプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライトを１００質量部としたときに、前記ＭｎをＭｎ_２Ｏ_３換算で２．０〜４．０質量部、前記ＴｉをＴｉＯ_２換算で４．０〜８．０質量部および前記ＭｏをＭｏＯ_３換算で０．４〜１．２質量部含有するとともに、前記粒界部に、Ｗ−Ｍｏ合金を有し、かつ前記セラミック焼結体は、Ｘ線回折において、前記ムライトのメインピークの回折強度に対するＭｏ−Ｗ合金のメインピークの回折強度の比が０．１７〜０．９０である。 （もっと読む）

【課題】リレー回路板により、テスト結果信号の分流を行い、イメージ信号はイメージ処理装置に直接伝送して処理を行うウエハー検査システムを提供する。
【解決手段】ウエハー検査システムは、ウエハー９に対して検査を行い、各プローブ２０２２はウエハー９に触れ、電気信号を伝送及び受信し、照明器２０３は開口２０２１を通して光をウエハー９上に照射し、テストサーバー２０４は検査の関連プロセス及びデータ処理の執行を制御し、テスト回路板２１０はテスト信号を発信し、結果信号を受信し、判断を行い、ロードボード２０８は制御回路板２０９と少なくとも１個のテスト回路板２１０に連接し、少なくとも１個のリレー回路板２０７はプローブカード２０２、ロードボード２０８、少なくとも１個のイメージ処理カード２０６にそれぞれ連接し、伝送データの伝送方向を切り替える。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、検査時間を短縮することができるプローブカードの検査方法及びこれに用いる検査用ボードを提供する。
【構成】 プローブカードの検査方法は、共通電極１２０Ａ、１２０Ｂと、共通電極１２０Ａに電気的に接続されたプローブ１３０Ａ１〜Ａ４と、共通電極１２０Ｂに電気的に接続された複数のプローブ１３０Ｂ１〜Ｂ４とを備えたプローブカード１００の検査方法であって、共通電極１２０Ａ、１２０Ｂに電力を供給しつつ、プローブ１３０Ａ１〜Ａ４を一本毎に検査電極２２０Ａ１〜Ａ４に、プローブ１３０Ｂ１〜Ｂ４を一本毎に検査電極２２０Ｂ１〜Ｂ４に略同時に接触させる。 （もっと読む）

【課題】導電性と耐久性を兼ね備えた炭素皮膜を、先端が分割された基材に対して形成するようなコンタクトプローブピンにおいて、使用環境が高温になる様な状況下においても、Ｓｎ付着を極力低減し、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできるコンタクトプローブピンを提供する。
【解決手段】先端が２つ以上の突起に分割され、該突起で被検面に繰り返し接触するコンタクトプローブピンであって、少なくとも前記突起の表面には、金属および／またはその炭化物を含有する炭素皮膜が形成されていると共に、前記突起の頂部における曲率半径が３０μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】例えばクラック発生などに起因する大量生産段階での低歩留りという問題を防止できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】パッドメタルの下に回路を有する半導体集積回路において、パッド開口部分のパッドメタルの少なくとも下全面に、互いに同一の電位を有する配線メタルを形成し、当該配線メタルの電位を上記パッドメタルと異なる電位に設定した。また、上記配線メタル、及び上記配線メタル以外の電位を有する別の配線メタルは、上記パッドメタルよりも下層に形成される。さらに、上記半導体集積回路の複数のパッドにおいて、バッド開口部分のパッドメタルの少なくとも下全面に形成された複数の配線メタルは互いに同一の電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】導電性と耐久性を兼ね備えた炭素皮膜を、先端が分割された基材に対して形成するようなコンタクトプローブピンにおいて、使用環境が高温になる様な状況下においても、Ｓｎ付着を極力低減し、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできるコンタクトプローブピン、およびコンタクトプローブピンを用いた有用な検査方法を提供する。
【解決手段】本発明のコンタクトプローブピンは、先端が２つ以上の突起に分割され、該突起で被検面に繰り返し接触するコンタクトプローブピンであって、少なくとも前記突起の表面には、金属および／またはその炭化物を含有する炭素皮膜が形成されており、前記突起の各頂部には、被検面に接触する方向に対して略垂直方向の平坦面を有すると共に、当該平坦面の合計面積が５００μｍ²以上、５０００μｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】プローブ本体と微小カンチレバーとの間の結合力を向上させることができるとともに、プローブ本体からオーバーハングした微小カンチレバーを所望の形状や寸法に形成することができるプローブおよびプローブの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ１においては、プローブ本体２および微小カンチレバー３が１回のめっき処理により一体形成される。また、本発明のプローブ１の製造方法は、下地層形成工程、シード膜形成工程、第１レジスト層形成工程、親水処理工程、第２レジスト層形成工程、プローブ形成工程および除去工程を備える。上記の親水処理により、第２レジスト層１４となるドライフィルムレジストは第１レジスト層１３の表面１３ａに熱圧着させることなく粘着力のみにより固着している。 （もっと読む）