【課題】ウェハ上の単一チップに形成された貫通ビアの不良の可否をテストすることができ、またパッケージングされた半導体集積回路に形成された貫通ビアの不良の可否をテストすることができる半導体集積回路のテスト回路及び方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路のテスト回路１は貫通ビア１００、電圧駆動部２００及び判定部３００を含む。前記貫通ビア１００は入力電圧Ｖ１を受信する。前記電圧駆動部２００は前記貫通ビア１００と連結されて前記入力電圧Ｖ１を受信し、テスト制御信号ＥＮ＿Ｐ，ＥＮ＿Ｎに応答して前記入力電圧Ｖ１のレベルを変化させてテスト電圧ＶＴを生成する。前記判定部３００は前記入力電圧Ｖ１及び前記テスト電圧ＶＴを比較して結果信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】導通検査用プローブカードのプローブ針に付着した異物を除去するためのクリーニング手段であって、プローブ針を摩耗させることなくプローブ針に付着した異物を効果的に除去するクリーニング手段を提供する。
【解決手段】本発明のクリーニングシートは、導通検査用プローブカードのプローブ針に付着した異物を除去するためのクリーニング層を有するクリーニングシートであって、該クリーニング層の、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１に準じる算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ノイズ減衰の効果を損なうことなく、低コストで、半導体装置の電気的測定のテスト時間を短縮する。
【解決手段】半導体テスタ２に設けられた電源回路４は、動作電源として半導体装置ＤＵＴに供給する電源電圧ＶＣＣ、電源電圧ＶＣＣと略同じ電圧レベルの電源電圧ＶＣＣ１を生成する。半導体装置ＤＵＴが搭載されるテスト用ボード３には、電源電圧ＶＣＣのノイズを除去するコンデンサ５，６を有している。４７０μＦ程度の静電容量値を有するコンデンサ５は、電源電圧ＶＣＣが接続される電源ライン７と電源回路４が生成する電源電圧ＶＣＣ１が接続される電源ライン８との間にそれぞれ接続されている。コンデンサ５をＡＣカップリング接続することにより、コンデンサ５の充放電時間をキャンセルしながら、電源電圧ＶＣＣに印加されるノイズを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子におけるラッチアップによる不良の特定を容易に行なう。
【解決手段】時間分解能を有するエミッション顕微鏡を用いた半導体素子の検査方法において、検査される半導体素子に電圧パルスを印加する工程と、前記電圧パルスが印加された状態における前記半導体素子より、放出されるフォトンを経過時間ごとに検出する工程と、前記半導体素子がオフ状態からオン状態となった後のオン状態の時間において、前記フォトンが検出されているか否かを判断する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の検査方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 電極端子に繰返し接触させる際の耐摩耗性能を確保しつつ、耐電流性能の劣化を抑制することができるプローブを提供する。
【解決手段】 ワーク上の電極端子に接触させるコンタクト部３と、コンタクト部３を支持し、コンタクト部３を電極端子に接触させた際に弾性変形する弾性変形部２により構成される。コンタクト部３は、ワーク上の電極端子に接触させるワーク接触面３ａを有し、第１の導電性金属からなる耐摩耗層３１と、比抵抗が第１の導電性金属よりも小さい第２の導電性金属からなる低比抵抗電導層３２とから形成され、第１の導電性金属が第２の導電性金属よりも耐摩耗性に優れ、ワーク接触面３ａが耐摩耗層３１の端面と低比抵抗電導層３２の端面とからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電気的検査に用いられるプローブカード等に有用なピン集合体１の提供。
【解決手段】このピン集合体１は、互いに固定された同一長さの複数本の管部材３と、この管部材３の内側に基端側が挿入されて固定されることによって整列された複数本のピン２と、収容部５を有する基板４とを備えており、上記複数本の管部材３が、平行状態で縦横に互いに密着して固定されており、この固定された複数本の管部材３が上記基板４の収容部５に収容されており、上記複数本のピン２の先端側が、上記管部材３の同一側端部から同一長さだけ突出しており、上記複数本の管部材３が、互いに同一内径を有しており、上記ピン２が、管部材３の内径とほぼ同一の外径を有している。 （もっと読む）

【課題】 簡便な構成であるとともに、対象物表面に形成される酸化被膜を好適に除去することができる接触子を提供する。
【解決手段】 被検査物の対象部の電気的特性を検査するための検査装置用の検査用治具に取り付けられる接触子であって、一端が前記検査装置と電気的に接続される電極部と導通接触する円筒部と、
先端が前記対象部に当接するとともに前記円筒部の他端から延出し、後端が前記円筒部内に配置される棒状部とを有し、円筒部は、前記一端部と前記他端部との間に、該円筒部の壁面周縁に長軸方向の螺旋状のばね部と、前記棒状部と電気的に導通されるとともに接合される接合部を有し、前記一端部に、前記棒状部を該円筒部の円周方向に回転駆動させるための回動部を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カンチレバー形状の接触子の針圧の精度を向上させる接触子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の接触子の製造方法は、少なくとも当該接触子を構成する針先を備えたアーム部を形成する第１の工程と、アーム部の横断面に係る寸法の計測を行う第２の工程と、第２の工程の計測結果に基づいてアーム部の有効長を決定する第３の工程と、アーム部の有効長が第３の工程で決定した長さとなるようにアーム部を支持する基部の形成を行う第４の工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品４０は、互いに平行を成す一方の主面４１ａと他方の主面４１ｂが矩形状の基体４１を有する。基体４１の一方の主面４１ａには、第一チッピング検出用配線４２が配されている。また、基体４１の他方の主面４１ｂには、第二チッピング検出用配線４４が配されている。第一チッピング検出用配線４２は貫通配線４３ａを介して第二チッピング検出用配線４４に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】導通検査用プローブカードのプローブ針に付着した異物を除去するためのクリーニング手段であって、プローブ針を摩耗させることなくプローブ針に付着した異物を効果的に除去するクリーニング手段を提供する。
【解決手段】本発明のクリーニングシートは、導通検査用プローブカードのプローブ針に付着した異物を除去するためのクリーニング層を有するクリーニングシートであって、該クリーニング層がガラス転移点Ｔｇを有するポリマー成分を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動的解析を短時間で行う技術を提供する。
【解決手段】ＳＤＬ／ＬＡＤＡ解析に用いるスポット光１２の径を変更可能なようにする。大径のスポット光による検査対象の半導体装置の照射中、テスタは該当する照射範囲の電気的動作の検証を行う。この照射中、不良箇所を見つけた場合には、小径のスポット光に切り替えて、検査対象の半導体装置に照射し、テスタによるより小範囲の電気的動作の検証を行う。これを反復することで、不良箇所の特定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の高温特性検査において、チップ面積を増大させることなく低コストで実現可能な半導体発光素子の温度特性検査装置および温度特性検査方法を提供する。
【解決手段】温度特性検査装置１０は、電流印加・電圧測定装置１と測定対象の半導体発光素子２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、電流印加部１１、電圧検出部１２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、たとえば、チッププローバであり、ウェハ状態の半導体発光素子２の電極にプローブをあて電流印加、電圧測定を行っている。測定された順方向電圧値や光出力値を用いて、たとえば、外部にある演算部３、判定部４により、半導体発光素子２の温度特性の良否判定が行われる。 （もっと読む）

【課題】複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることができる試料検査装置及び吸収電流像の作成方法を提供する。
【解決手段】複数の探針４を試料２に接触させ、試料２に電子線１を照射しつつ、探針４に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針４からの信号を差動増幅器６に入力する。そして、差動増幅器６からの出力を増幅し、これと電子線１の走査情報に基づいて吸収電流像７を作成する。これにより、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像７を取得でき、半導体試料２の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】使用不能な接触子の発生による接触子の交換サイクルを長くすることができる接触子を提供する。
【解決手段】電気的接続装置１０は、前後方向に間隔をおいた複数の台座１２を下面１４に備える基板１６と、それぞれが第１の接触子１８及び第２の接触子１９を備える複数対の接触子群とを含む。第１の接触子１８は、台座１２に支持された後端部２０と自由端である先端部２２とを有する左方向へ伸びる針主体部２４を備える。第２の接触子１９は、台座１２に支持された後端部２１と自由端である先端部２３とを有する右方向へ伸びる針主体部２５を備える。第１の接触子１８が折れた場合、第２の接触子１９を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の故障解析方法及び故障解析装置に係り、故障箇所を位置精度よく特定して解析することにある。
【解決手段】コントローラに、半導体素子への電力供給により該半導体素子の裏面から発せられる光を撮像手段にて検出させることにより該半導体素子の故障箇所を特定させる。次に、半導体素子の表面電極側に配置された圧痕用プローブを該半導体素子の表面電極に接触させ、かかる状況において、半導体素子の表面電極側から該表面電極へレーザを走査照射した場合に得られる走査位置と電流量との関係を示した電流像に基づいて、半導体素子の表面電極上で圧痕用プローブが接触する接触箇所を特定させる。そして、半導体素子上で特定した故障箇所と接触箇所との位置ズレ量に基づいて、圧痕用プローブを前記半導体素子の表面電極に接触させる位置を変更させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップの製造コストを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、第１の電源配線を含む第１の電源配線層を備える複数のＬＳＩ領域と、前記半導体基板に形成された第１の電源端子と、前記ＬＳＩ領域の間のダイシングライン領域に、前記ＬＳＩ領域と前記ダイシングライン領域とを区画するダイシングラインに沿って形成され、前記第１の電源配線と前記第１の電源端子とを電気的に接続する第２の電源配線を含む第２の電源配線層と、を備える。少なくとも前記ＬＳＩ領域において、前記第１の電源配線と前記第２の電源配線との境界にバリアメタル膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された半導体装置の特性不良を精度よく検出することができる半導体装置の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、第１ウエハ検査工程と、２ウエハ検査工程と、判定工程とを含む半導体装置の検査方法が提供される。第１ウエハ検査工程は、複数個の半導体装置に同時にプローブ針を接触させるプローブカードを用いて半導体ウエハ上に形成された半導体装置の特性を検査する。第２ウエハ検査工程は、第１ウエハ検査工程によって特性不良と判定された半導体装置の半導体ウエハ上の分布に基づいて、プローブカードの半導体ウエハに対する位置を第１ウエハ検査工程の位置からずらして、半導体装置の特性を再検査する。判定工程は、第２ウエハ検査工程による再検査の結果に基づいて、半導体装置の特性不良のうち、複数個の半導体装置単位で行われる製造処理において生じる特性不良を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成された複数の電極パッドに確実に接触させることが可能なプローブカードを提供すること。
【解決手段】プローブカード４０の基板本体５１には、第１の主面５１ａと第２の主面５１ｂとの間を貫通する貫通孔５２が形成されている。貫通孔５２の第１の収容部５２ａ内には弾性体５６が形成され、第２の収容部５２ｂ内には、貫通電極５４が形成されている。弾性体５６の表面には配線５５により貫通電極５４と接続される配線５７が形成されている。配線５７の先端は、弾性体５６の下面略中央に配置されている。そして、配線５７の先端下面には、検査対象物１０の電極パッド１１と対応する位置に、その電極パッド１１と電気的に接続される接触用バンプ４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】プローブ先端形状が変化しても針入抵抗の変化を小さくでき、研磨層（クリーナ層）に対する針入量のバラツキを小さくして全てのテストプローブを均一にクリーニングする。また表面での付着物捕捉作用を増大させてテストの信頼性向上と製品の歩止まり向上を可能にする。
【解決手段】微細な研磨剤が混入されかつテストプローブ（１６，１８）の先端が進入可能な研磨層（４２）と、この研磨層（４２）の少なくとも一方の表面に積層され高分子ゲルから成る表面層（４４）とを備え、テストプローブ（１６，１８）の先端を表面層（４４）から研磨層（４２）に進入させることによりクリーニングする。 （もっと読む）