【課題】バーンイン用ウエハをバーンイン毎に検査せずとも、半導体ウエハが正しい条件でバーンインされたことを保障することのできるバーンインシステム及びバーンイン方法を提供する。
【解決手段】バーンインシステムは、集積回路４１が形成されたチップ領域４０を複数有する半導体ウエハと、該半導体ウエハに貼り合わせた状態で、半導体ウエハに所定電圧とバーンイン信号を供給するバーンイン用ウエハを備える。そして、半導体ウエハは、集積回路４１に対応して形成された複数のテスト用回路４２を有し、テスト用回路４２には、対応する集積回路４１に供給される所定電圧とバーンイン信号が供給され、テスト用回路４２は、バーンインが正常に実行されると、バーンイン実行前と異なる状態を示しつつその状態を保持するバーンイン履歴素子を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性取得評価方法に関し、試料側にもプローブ側にも問題を発生させることなく安定な電気特性取得評価を行う。
【解決手段】積層体の表面側電極に対するコンタクトホール２１を露出する工程と、前記露出したコンタクトホール２１に導電性物質を埋め込んで凸状構造２２を形成する工程と、前記凸状構造２２を含む領域にカンチレバーを間欠接触測定方式で接触させて前記凸状構造２２の位置を認識する工程と、前記凸状構造２２の中心軸の方向に前記カンチレバーを押しつけて電気特性を取得する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクト周りのキラー欠陥検査を容易にするパターンを有する半導体装置、半導体装置の検査方法及び製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の第１導電型領域の表面に設けられ、それぞれ第１の方向に延在する複数の第２導電型領域と、複数の第２導電型領域とそれぞれ複数の個所で交差することにより各第２導電型領域にソースとドレインが直列に接続された複数のＭＯＳトランジスタを形成するゲート配線と、複数のＭＯＳトランジスタとゲート配線との表面を覆う絶縁膜と、絶縁膜の表面から複数のＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域にそれぞれ設けられた複数の第１のコンタクトと、絶縁膜の表面からゲート配線の各領域に共通に接続された第２のコンタクトと、を有する。 （もっと読む）

【課題】短時間で半導体装置の検査を行うことができる半導体装置の検査方法、検査プログラム及び半導体装置の検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、記憶部２から半導体装置ＳＤ１の特性データＤＡＴ１を読み込む。次いで、ストローブ演算式２１２にＮＭＯＳトランジスタの閾値Ｖｔ１を代入することにより、半導体装置ＳＤ１に対するストローブ値ＳＴＢ１する。次いで、半導体装置ＳＤ１にテスト入力信号Ｄｉｎを出力する。そして、ストローブ値ＳＴＢ１で指定されるタイミングで、半導体装置ＳＤ１から出力されるテスト出力信号Ｄｏｕｔのパターンが期待値パターンＥＰと一致するかを判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被測定物との距離に依存することなく、被測定物の膜厚を高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光源１０と、第１光路と、第１集光レンズと、分光測定部４０と、第２光路と、第２集光レンズと、データ処理部５０を備える膜厚測定装置１００である。光源は、所定の波長範囲をもつ測定光を照射する。第１光路は、光源１０から照射した測定光を被測定物に導く。第１集光レンズは、第１光路から出射する測定光を被測定物に集光する。分光測定部４０は、反射率または透過率の波長分布特性を取得する。第２光路は、被測定物で反射された光または被測定物を透過した光を、分光測定部に導く。第２集光レンズは、第２光路の端部に集光する。データ処理部５０は、分光測定部４０で取得した波長分布特性を解析することで、被測定物の膜厚を求める。 （もっと読む）

【課題】プローブとテスタ間の測定ラインと載置台とテスタ間の測定ラインそれぞれの抵抗を格段に低減し、プローブ装置の実機として使用しても信頼性を十分に確保することができるパワーデバイス用のプローブカードを提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、パワーデバイスＳのエミッタ電極に電気的に接触する第１のプローブ１１と、第１のプローブ１１が接続されたブロック状の第１の接続端子１２と、パワーデバイスＤのゲート電極に電気的に接触する第２のプローブ１３と、第２のプローブ１３に接続されたブロック状の第２の接続端子１４と、パワーデバイスＤのコレクタ電極側に電気的に接触し得るコンタクトプレート１５と、コンタクトプレート１５に固定されたブロック状の第３の接続端子１６と、を備え、第１、第２、第３の接続端子１２、１４、１６は、それぞれが対応するテスタ側の接続端子に電気的に直に接触される。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、パッド部と接触容易なプローブ針を提供する。
【解決手段】
本実施形態のプローブ針１００は、半導体装置の検査に用いられるプローブ針１００であって、前記半導体装置内のパッドと接触する面を含む端子部１０（１０ａ、１０ｂ）と、前記端子部１０（１０ａ、１０ｂ）と一体に接続され、前記端子部を支持する支持部２０とを備えることを特徴とする。
また、本実施形態のプローブ針１００は、前記端子部２０は第１の面及び第２の面を有し、前記第１の面は、前記第２の面と異なる方向に延びるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体試験装置のベースユニットにおいて、プローブカードが、高温測定時の熱等の影響によって被試験デバイス方向に変形することを防ぐ。
【解決手段】ベースユニット本体と、ベースユニット本体の下方向に配置され、ベースユニット本体に対する傾きを変更可能な、プローブカードを固着するユニットの上部に設けられ、下面の両側に斜面が形成されたテーパブロックと、ベースユニットの下部において、テーパブロックの傾斜方向に設けられたガイド沿って直線移動可能であり、テーパブロックを挟んで配置された１対の下部プレートとを備え、１対の下部プレートは弾性手段により互いに連結され、それぞれの下部プレートは、ガイドに対する停止手段と、テーパブロックの斜面と接触する位置に設けられ、移動方向に回転する回転手段とを備えているベースユニット。 （もっと読む）

【課題】製品組立後の経年劣化による接続不良を含め、簡単な構成で被実装基板との接続不良を検出する。
【解決手段】集積回路に、同一の電位が与えられる２以上の比較電圧用パッドと、比較電圧用パッドにかかる電圧を比較して、その比較結果に基づいて被実装基板との接続不良の有無を示す信号を出力する比較判別回路とを設け、比較判別回路において、少なくとも２つの比較電圧用パッドにかかる電圧の電位差が所定の値を超えた場合に、接続不良を示す信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】プローブで発生した熱を効率よく放散し、プローブの温度上昇を効果的に抑制することにある。
【解決手段】電気信号を通すプローブは、配線基板の接続電極に取り付けられる接続領域を有する外面を備えるプローブの本体部と、前記本体部に埋設され、前記本体部の前記外面から一部を露出する少なくとも１つの伝熱部と、前記伝熱部の露出する前記一部に接し、前記接続領域を除く前記外面の少なくとも一領域を覆う膜状の放熱部とを含む。前記本体部は導電性材料からなり、前記伝熱部及び前記放熱部は、前記導電性材料よりも伝熱性の高い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】実際の強誘電体メモリセルについて疲労特性を直接に測定する試験方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に形成された強誘電体キャパシタの疲労特性の面内分布を取得する第１の工程と、前記面内分布に基づいて、半導体装置を製造する第２の工程と、を含み、前記第２の工程は、前記半導体装置が形成される基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、前記第１の工程で取得された疲労特性の面内分布から、前記半導体装置が形成される基板上の特定領域を指定し、前記特定領域に形成された前記強誘電体キャパシタについて疲労特性を測定し、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて測定した前記疲労特性に基づき、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて良否判定を行い、前記良否判定の結果が良であれば、前記複数の強誘電体キャパシタの全てについて良と判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の微細化及び複雑化に対応でき、検査時には強い押圧力を且つ非検査時には弱い押圧力を提供できる微細な接触子及び検査用治具の提供。
【解決手段】複数の検査点を有する被検査物と、電気的特性を検査する検査装置とを電気的に接続する検査用治具であって、検査装置と接続される電極部を複数備える電極体と、電極部と検査点を接続する検査用接触子と、検査用接触子は、両端に開口部を有し、先端開口部が電極部の表面と当接する導電性の筒状部材と、筒状部材の後端開口部から突出されるとともに該筒状部材内部に配置され、先端が検査点に接触する導電性の棒状部材と、筒状部材と棒状部材を電気的に接続する固定部とを備え、筒状部材は、筒状部材の壁部に長軸方向に伸縮する螺旋状の切欠が形成される第一切欠部と、第二切欠部を有し、第一切欠部又は第二切欠部のいずれかが、棒状部材が検査点に当接して検査が実施される際に、収縮の限界に達している。 （もっと読む）

【課題】被検体との低付着性を実現するとともに、長期間に亘って安定な導電性を保つことができ、特に、約８５℃程度の高温での繰返し接触や、大気中で長期間放置された後も、被検体との低付着性を実現すると共に、接触抵抗の上昇を抑制し得、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできる電気的接点部材を提供する。
【解決手段】電気的接点部材は、被検体に繰返し接触する電気的接点部材であって、被検体と接触する電気的接点部材の表面は、Ｐｄを含有する炭素被膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの電気特性検査時にプローブ針の先端に付着する異物に起因する検査精度の低下を抑制する。
【解決手段】ウエハの電気特性検査工程で使用するプローブカード１５Ａは、配線基板３０と、配線基板３０に取り付けられた金属製のプローブ針固定部３１と、プローブ針固定部３１に接合された複数のプローブ針３３とを有している。プローブ針固定部３１には、冷却管２４が挿通されており、この冷却管２４内を流れる冷却液Ｃによって、プローブ針固定部３１に接合されたプローブ針３３が冷却されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】組み立てが簡易で、確実に機能する接続端子及び検査用治具を提供する。
【解決手段】対象点間を接続する接続治具に用いられる接続端子は、小径の導電部とそれを囲むように配置された大径の円筒形状部とを備え、大径の円筒形状部の一部にばね部が形成され、小径の導電部の先端部の先端面が、大径の円筒形状部の先端面から突出し、さらに、小径の導電部の一部が、大径の円筒形状部のばね部が形成されていない部分であってばね部よりも先端面に近い部分に接合されていて、小径の導電部の先端部の先端面が、対象点に押しあてられてばね部が収縮する際に、ばね部が小径の導電部の軸線を中心に旋回する。 （もっと読む）

【課題】 弾性変形時における針圧や高周波特性を確保しつつ、耐電流性能を向上させることができる電気的接触子を提供する。
【解決手段】 コンタクトプローブ１００は、弾性変形部１とコンタクト部２とからなり、弾性変形部１が、長尺方向の力によって弾性変形する細長い板状体１０Ａ，１０Ｂと、板状体１０Ａ，１０Ｂの長尺方向と交差するワーク対向面１２ｗ上にコンタクト部２が配置され、空隙１０Ｓを介して主面を対向させた状態で板状体１０Ａ，１０Ｂの一端を互いに結合させる針先結合部１２と、板状体１０Ａ，１０Ｂの他端を互いに結合させる針元結合部１１とからなる。板状体１０Ａ，１０Ｂは、第１の導電性金属からなる応力層１０１，１０３と、第１の導電性金属よりも比抵抗が小さい第２の導電性金属からなる電導層１０２とから形成され、第１の導電性金属の機械的強度が第２の導電性金属よりも高い。 （もっと読む）

【課題】再配線形成前のウエハテストを適切に実施する。
【解決手段】半導体チップ１は、周辺電極パッド３０内又はＶ／Ｇ配線２０において周辺電極パッド３０に相対的に近い位置にある第１の再配線接続部６１と、Ｖ／Ｇ配線２０において周辺電極パッド３０から相対的に遠い位置にあり、再配線６０の形成前における電位が第１の再配線接続部６１よりも小さい第２の再配線接続部６２とが、再配線６０により接続されたものである。半導体チップ１は、第２の再配線接続部６２、Ｖ／Ｇ配線２０上の第２の再配線接続部６２の近傍で再配線６０の形成前における電位が第１の再配線接続部６１よりも小さい部分、又は、Ｖ／Ｇ配線２０から第２の再配線接続部６２の近傍に引き出され、再配線６０の形成前における電位が第１の再配線接続部６１よりも小さい導電部に、ウエハテスト用の検査部８０を備えている。 （もっと読む）

【課題】組み立てが簡易で、確実に機能する接続端子及び検査用治具を提供する。
【解決手段】対象点間を接続する接続治具に用いられる接続端子は、小径の導電部とそれを囲むように配置された大径の円筒形状部とを備え、大径の円筒形状部の一部にばね部が形成され、小径の導電部の先端部の先端面が、大径の円筒形状部の先端面から突出し、さらに、小径の導電部の一部が、大径の円筒形状部のばね部が形成されていない部分であってばね部よりも先端面に近い部分に接合されていて、小径の導電部の先端部の先端面が、対象点に押しあてられてばね部が収縮する際に、ばね部が小径の導電部の軸線を中心に旋回する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面６ｄとワイヤ５を接続するワイヤ接続面６ｅとが形成され、さらにプローブ接触面６ｄは主面６ａに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面６ｅはプローブ接触面６ｄと異なった角度の面である電極パッド６ｃを備えたメモリチップ６と、メモリチップ６が搭載されたタブ２ｃと、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂと、メモリチップ６の電極パッド６ｃのワイヤ接続面６ｅとインナリード２ａとを接続する複数のワイヤ５とを有している。 （もっと読む）