【課題】設計に要する時間および製造期間を短縮することができ、且つ比較的少ない治具で容易且つ安価に製造できる電子部品検査装置用配線基板を提供する。
【解決手段】表面２２および裏面２３を有する絶縁材からなり、該表面２２と裏面２３との間を貫通する複数の第１ビア導体２５と、該第１ビア導体２５ごとの両端に個別に接続される表面側の第１端子２６および外部との導通に用いる裏面側の外部端子２７とを有するベース基板２０と、該ベース基板２０の表面２２に実装され、少なくとも表面４側が絶縁材からなり、該表面４にプローブｐを取り付けるための複数のプローブ用パッド６、およびベース基板２０の第１端子２６と導通するための複数の第２端子７を有する実装用基板２と、を備える電子品検査装置用配線基板１ａであって、上記表面４の中心側のプローブ用パッド６と該表面４の周辺側の第２端子７との間を接続する表面配線８が実装用基板２の表面４に形成されている、電子品検査装置用配線基板１ａ。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の薄化工程および薄化後の工程において半導体基板を補強し、且つ補強したまま素子特性が取得できる半導体装置の製造方法および補強板を提供する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、半導体基板１１を接着剤４２で覆い、補強板３０を第１パッド１６、１７、１８と第１貫通孔３１、３２、３３が上下重なるように接合する。半導体基板１１を第２の面１１ｂ側から所定の厚さになるまで除去し、所定の処理を施した後、電極膜１９を形成する。第１貫通孔３１、３２、３３に接着剤４０の除去液４３を注入して、第１パッド１６、１７、１８を露出させる。第１パッド１６、１７、１８に第１貫通孔３１、３２、３３を通してプローブ４５、４６、４７を当接し、プローブ４５と電極膜１９の間の電流を測定する。第１貫通孔３１、３２、３３に除去液５１を注入し、半導体基板１１と補強板３０を分離する。 （もっと読む）

【課題】ウエハテストで仕様最大電圧の試験を行うときに、半導体素子の電極間の距離を広げる方法や高価なプローバを使用する方法を用いずに、高電圧印加時の空気放電を防止することができる半導体素子試験方法および半導体素子試験装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の電極を、外部端子と電気的に接続させるステップ（Ｓ１１）と、上記電極と上記外部端子とが電気的に接続された状態で、上記検査対象の半導体素子の表面に、供給部から電離性の低い液体または気体を供給するステップ（Ｓ１２）と、上記表面が上記液体または気体で覆われた状態で、上記検査対象の半導体素子に、電圧印加部から上記外部端子を介して試験電圧を印加するステップ（Ｓ１３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】個片化された半導体集積回路チップの個片化前の半導体ウェハー上における位置を特定するのに好適なチップ位置特定システムを提供する。
【解決手段】チップ位置特定システム１を、半導体ウェハー上に形成された複数の第１の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第１の半導体チップ内における座標情報とを含む第１の外観情報及び半導体ウェハー内における第１の半導体チップの位置情報とを含むチップ位置特定用情報と、第１の半導体チップを個片化後の第２の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第２の半導体チップ内における座標情報とを含む第２の外観情報とを測定する外観検査装置１０と、第１の外観情報と第２の外観情報とを照合し、該照合結果に基づき、第２の半導体チップの個片化前の半導体ウェハー上での位置を特定するチップ位置特定装置２０とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内の状態を確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供。
【解決手段】（１）基板１の一面１ａから他面１ｂにかけて貫通孔４が形成され、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配された貫通孔基板であって、導電パターン２には、貫通孔４を一面１ａ側から観察可能な切抜き３が形成されていることを特徴とする貫通孔基板。（２）切抜き３において、開口部５の縁が観察可能であることを特徴とする（１）に記載の貫通孔基板。 （もっと読む）

【課題】検査装置のインサートリングまたはヘッドプレートに対してプローブカードを位置ズレすることなく所定の位置に正確に装着することができ、特にプローブカードを繰り返し使用する場合でも一度だけプローブアライメントを行えば、その後のプローブアライメントを省略することができるプローブカードの位置決め機構を提供する。
【解決手段】本発明の位置決め機構１９は、プローブカード１２の外周縁部に互いに周方向に所定間隔を空けて設けられた３箇所の位置決め用のピン１９Ａと、これらのピンに対応してインサートリング１５の内周縁部１５Ａに互いに周方向に所定間隔を空けて設けられた位置決め用の孔１９Ｂと、を備え、位置決め用の孔１９Ｂは、その向きがプローブカード１２の径方向と実質的に一致する長孔として形成され、且つ、長孔１９Ｂの内周面全面がピン１９Ａの挿入方向に向けて徐々に縮小するテーパ面１９Ｂ_１として形成されている （もっと読む）

【課題】メモリセルの非アクティブ（非選択）時に定常的なリーク電流が発生するのを防止する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】ビット線（ＢＩＴ／ＢＩＴＢ）と、前記ビット線に接続されるメモリ要素（メモリセルまたはローカルセンスアンプ）と、ワード線が活性化（ＷＬ＝Ｈ）されることにより前記メモリ要素がアクティブ状態とされる直前の所定期間（ＰＲＥ＝Ｌ）だけ前記ビット線に所定電圧（ＶＤＤ）を印加するプリチャージ回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】テストプログラムの作成変更修正が効率よく行える半導体試験装置を提供すること。
【解決手段】所望の画面を選択するためのタブが設けられた画面を表示する表示部を有し、テストプログラムを作成変更修正するエディタと、このエディタで作成変更修正されたテストプログラムを解析する構文解析部と、この構文解析部の解析結果に基づき各種のマトリクス表示のＧＵＩ画面を編集作成するＧＵＩ画面編集部と、前記構文解析部の解析結果および前記ＧＵＩ画面編集部で編集作成されたＧＵＩ画面に基づきデータ検索用一覧表を作成格納するインデクサとを具備し、前記インデクサのデータ検索用一覧表を介して、前記ＧＵＩ画面におけるマトリクス表示の各交点を前記テストプログラムの構成要素にリンクさせることを特徴とする半導体試験装置である。 （もっと読む）

【課題】配線溝へのめっきの埋め込み性を安定させることができる半導体装置の製造方法等を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、めっき処理によって金属膜を埋め込んで検査パターン１０を形成する形成工程と、検査パターン１０の特性を検出する検出工程と、検出工程によって検出された検査パターン１０の特性に基づいて、前記めっき処理の条件を調整する調整工程とを含む。前記形成工程は、３層以上の配線層１１〜１３に亘って形成され、かつ中間層にスタックドビア２２を有するパターンを、前記検査パターン１０として形成する。 （もっと読む）

【課題】検査対象物に対する接触安定性の低下を防ぎ、長時間繰り返し使用することが可能な垂直型プローブ針とその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直型プローブ針は、胴部１ｂがＳｉＯ_２の絶縁皮膜２で被覆され，先端部１ａに粒状突起３ａを有する金属皮膜３が形成された線径０．０２〜０．０４ｍｍ，長さ３．０〜６．０ｍｍの金属細線１からなり、最頂部５から２０〜６０μｍの距離に絶縁皮膜２の端縁２ａが位置するとともに、最頂部５が縦断面視して２６〜４５μｍの曲率半径を有する円弧状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】載置体上に載置される被処理体を冷却する冷却機構の省スペース化及び低コスト化を実現することができる載置装置を提供する。
【解決手段】本発明の載置装置１０は、ウエハＷの電気的特性検査を行うためにウエハＷを載置するウエハチャック１１と、ウエハチャック１１を介してウエハＷを冷却する冷却機構１２と、を備え、冷却機構１２は、ウエハチャック１１の下面に設けられた熱交換器１２１と、熱交換器１２１の熱媒体１２１Ａから吸熱する吸熱部１２２Ａを有する冷却装置１２２と、を備え、冷却装置１２２は吸熱部１２２Ａを介して熱交換器１２１に固定されている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧や電源電流の変化が微小であり、通常のＯＢＩＲＣＨ法では解析が困難な故障を解析する半導体集積回路の故障解析装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の出力端子の電圧を測定する電圧測定部と、半導体集積回路の内部回路であって出力端子に接続される内部回路の状態を設定するテストパターンを半導体集積回路に与えるテストパターン発生部と、レーザービームを内部回路の所定の領域に対して走査しながら照射し、照射された部分の抵抗値を変化させるレーザー走査部と、レーザー走査部及び電圧測定部と連動し、レーザービームを照射したときに、出力端子の電圧の変化したレーザービームの照射位置を検出して表示する故障位置表示部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高い均熱性および高い剛性を有していることに加えて、温度変化に対する平面度変化が極めて小さい半導体製造装置用ヒータユニットを提供する。
【解決手段】 ウエハを載置するための載置面１ａを有する銅やアルミニウムなどの金属からなる載置台１と、載置台１を支持するセラミックス製の支持板２と、支持板２の下面側に設けられた銅やアルミニウムなどの金属からなる保持部材３と、支持板２を下側から支持する複数の支持部材４とからヒータユニットを構成する。支持板２にはその厚み方向に複数の貫通孔２ａを設けて、これら複数の貫通孔２ａにそれぞれ挿通した複数の結合部材７で載置台１と保持部材３とを結合するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 所望のオーバードライブ量を確保し、所望の針圧を確保し、かつ、所望の耐電流特性を確保しつつ、コンタクトプローブの高周波特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 本体部１及びコンタクト部２からなる垂直型プローブにおいて、本体部１が、空隙１０Ｓを介して主面を対向させた２以上の細長い板状体１０Ａ〜１０Ｃと、板状体１０Ａ〜１０Ｃの一端を互いに結合させる第１結合部１１と、板状体１０Ａ〜１０Ｃの他端を互いに結合させる第２結合部１２とを有する。このため、板状体１０Ａ〜１０Ｃの厚さを薄くすることにより、オーバードライブ時の応力を低減し、より大きく湾曲させて、オーバードライブ量を確保することができる。また、２以上の板状体１０Ａ〜１０Ｃを備えることにより、断面積を増大させ、所望の針圧や耐電流特性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの両面よりプローブを接触させて各半導体チップの特性を試験する試験装置において、所望の温度に半導体ウエハを加熱して各半導体チップを試験することができる試験装置を提案する。
【解決手段】両面にプローブを接触可能に半導体ウエハを保持し、この半導体ウエハの両面をそれぞれヒータ部により加熱し、この両面にそれぞれプローブを接続して当該半導体ウエハに設けられた半導体チップを試験する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに部分的に大きな電流が流れるのを抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極５を有する半導体チップ１と、半導体チップ１の表面に設けられ、当該表面にかかる応力を検出する応力検出用素子７とを備える。そして、半導体装置は、応力検出用素子７で検出された応力に基づいて、ゲート電極５に印加される制御信号を制御する。また、平面視において半導体チップ１の中央部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第１応力検出用素子７−１として設けられ、平面視において半導体チップ１の外周部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第２応力検出用素子７−２として設けられることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の針先平面度を高い精度で維持し、負圧による撓みを抑えて正確な検査を行う。
【解決手段】本発明の接触子は、互いに対向して設けられた２つの基板の各電極にそれぞれ接触して各電極間を電気的に接続するポゴピンと、当該ポゴピンの外周を囲繞して設けられ当該ポゴピンを支持すると共に上記２つの基板にそれぞれ当接して各基板間を設定間隔に維持する外側筒とを備えて構成した。また、検査装置の接続ユニットの各ポゴピン挿入穴に、上記接触子を備えた。 （もっと読む）

【課題】被測定素子の配置密度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】異なる層に設けられた列配線Ｍ１および行配線Ｍ２からなる単位アレイ配線２１と、異なる層に設けられた列配線Ｍ３および行配線Ｍ４からなる単位アレイ配線２２とを、互いに異なる層に設ける。複数の単位アレイ配線２１，２２には、それぞれ、複数の被測定素子１１，１２のいずれか一つを接続する。複数の単位アレイ配線２１，２２どうしを部分的に重ね合わせて（オーバーラップさせて）配置することにより、被測定素子１１，１２の配置密度を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の針先平面度を高い精度で調整し、負圧による撓みを抑えて正確な検査を行う。
【解決手段】接続ユニットが、ポゴピンブロックと、ポゴピンブロック支持部とを有し、プローブカードが、複数のプローブ針が装着された配線基板と、上記配線基板を支持して上記配線基板の上記ポゴピンブロック側を負圧に保つ配線基板支持部と、上記負圧に抗して上記配線基板を支持するアンカーとを有する上記検査装置の、上記プローブ針の針先平面度を修正する配線基板調整治具である。上記ポゴピンブロックに設けられたポゴピン装着穴と、当該ポゴピン装着穴に装着されたポゴピンと、上記配線基板の上記ポゴピンブロック側を負圧にする吸引手段とを備え、上記吸引手段で真空引きして実際の検査使用時の上記配線基板の変形を再現する。また、他の発明は上記配線基板調整治具を用いた配線基板修正方法並びに検査方法及び検査システムである。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の電気的テストにおいて、テストヘッド内の電源からプローブ等に至る比較的長い経路を介して供給される電源電圧の変動を防止するために、通常、テストボード上等に、電界コンデンサ等の大容量のバイパスコンデンサを設置している。しかし、大容量のバイパスコンデンサで吸収できる変動は、せいぜい数十ナノ秒程度の比較的短時間の変動のみであり、１００ナノ秒を超えるような比較的長時間の変動には対応できない。
【解決手段】本願発明は、半導体集積回路装置の製造工程中において、半導体集積回路装置の電気的テストを実行するに当たり、電源電圧をテストボード上に設けられた電池から供給するものである。 （もっと読む）