貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法
【課題】貫通孔内の状態を確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供。
【解決手段】（１）基板１の一面１ａから他面１ｂにかけて貫通孔４が形成され、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配された貫通孔基板であって、導電パターン２には、貫通孔４を一面１ａ側から観察可能な切抜き３が形成されていることを特徴とする貫通孔基板。（２）切抜き３において、開口部５の縁が観察可能であることを特徴とする（１）に記載の貫通孔基板。
【解決手段】（１）基板１の一面１ａから他面１ｂにかけて貫通孔４が形成され、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配された貫通孔基板であって、導電パターン２には、貫通孔４を一面１ａ側から観察可能な切抜き３が形成されていることを特徴とする貫通孔基板。（２）切抜き３において、開口部５の縁が観察可能であることを特徴とする（１）に記載の貫通孔基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として、基板の一面に配置された電極パッドと、基板の他面から一面にかけて貫通し、電極パッドと電気的に接続された貫通配線と、を備えた貫通配線基板が開示されている（特許文献１）。貫通配線は、基板の他面から電極パッドに向けて貫通孔を形成し、その貫通孔の内部に導電性物質を充填することによって形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１３３４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体装置の一層の小型化によって、基板内の貫通配線のサイズも微細化が進んでいる。これに伴い、貫通孔が基板の表面に開口する開口部の口径も小さくなっている。半導体装置を製造する一般的な方法として、基板の一面に表面配線を設けた後、基板の他面から一面へ貫通孔を形成し、該貫通孔へ導電性物質を配する方法がある。通常、金属の薄膜からなる表面配線で形成した電極パッドは、貫通孔の開口部よりも一回り以上大きく形成されるので、電極パッドによって開口部が完全に覆われた状態になる。このため、基板の一面側から電極パッドを光学的に観察した場合、微細孔中に導電性物質が配されていること、電極パッドと貫通配線とが接続していることを確認できないという問題がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、貫通孔内の状態を容易に確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の貫通孔基板は、基板の一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配された貫通孔基板であって、前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されていることを特徴とする。
この構成において、基板の二つの主面である一面から他面にわたって貫通孔が形成されており、該貫通孔が一面に開口する開口部を覆う導電パターンが配されている。そして、この導電パターンには貫通孔の内部を視認できる切抜きが形成されているので、基板の一面側から導電パターンを光学的に観察することで容易に貫通孔内の状態を観察できる。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の貫通孔基板は、請求項１において、前記切抜きにおいて、前記開口部の縁が観察可能であることを特徴とする。
この構成によれば、開口部の縁を観察することによって、切抜きを通して貫通孔内の状態を観察できると共に、貫通孔の形成不良が発生し易い開口部の縁が設計通りに形成されているか否かを検査できる。
【０００８】
本発明の請求項３に記載の貫通孔基板は、請求項２において、前記切抜きが、前記開口部の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、切抜きを通して開口部の直径の両端を観察することによって、貫通孔内の状態を観察でき、貫通孔の形成不良が発生し易い開口部の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の貫通孔基板は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記導電パターンは、前記切抜きを２つ以上有することを特徴とする。
この構成によれば、２つ以上の切抜きを通して貫通孔内を観察できるので、貫通孔内の状態をより詳細に観察できる。
【００１０】
本発明の請求項５に記載の貫通配線基板は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の貫通孔基板を用いて、該貫通孔基板の貫通孔の内部に、貫通配線が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、切抜きを通して、貫通孔内に配した導電性物質を観察できる。これによって、貫通配線の不良の有無を検査できる。
【００１１】
本発明の請求項６に記載の電子部品は、請求項５に記載の貫通配線基板から切り出された電子部品であって、前記貫通孔が少なくとも１つ含まれることを特徴とする。
この構成によれば、前記導電性パターンには切抜きが形成されているため、切抜きを通して、貫通孔内の状態を観察できる。
【００１２】
本発明の請求項７に記載の基板の製造方法は、基板の一面側に導電パターンを配置する工程Ａ１と、前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程Ａ２と、前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、前記工程Ａ１において、前記導電パターンに切抜きを形成し、前記工程Ａ３において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記切抜きを通して前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成することを特徴とする。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
【００１３】
本発明の請求項８に記載の基板の製造方法は、請求項７において、前記工程Ａ３の後に、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通孔基板を容易に選別することができる。
【００１４】
本発明の請求項９に記載の基板の製造方法は、請求項８において、前記工程Ａ３において形成した前記貫通孔の内壁及び該貫通孔の内部に露呈させた前記導電パターンの下面を絶縁層で被覆した後に、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項１０に記載の基板の製造方法は、請求項７〜９のいずれか一項において、前記貫通孔の内部に貫通配線を形成する工程Ａ５と、次いで、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ６を有していることを特徴とする。
この構成によれば、工程Ａ５の後で、基板内に形成した貫通孔の内部に配された導電性物質を観察して、貫通配線の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通配線基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通配線基板を容易に選別することができる。
【００１６】
本発明の請求項１１に記載の貫通孔の検査方法は、請求項１〜４に記載の貫通孔基板、請求項５に記載の貫通配線基板、又は請求項６に記載の電子部品において、前記一面側から前記切抜き通して前記貫通孔の内部を調べることを特徴とする。
これにより、貫通孔基板、貫通配線基板、及び電子部品の品質を容易に把握できると共に、不具合のある製品を容易に選別することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の貫通孔基板によれば、導電性パターンに切抜きが配されているので、該切抜きを通して、貫通孔内の状態を容易に検査できる。
本発明の貫通配線基板によれば、導電性パターンに切抜きが配されているので、該切抜きを通して、貫通孔の内部に配された導電性物質の状態を検査できる。これにより、貫通孔内に形成された貫通配線の状態を容易に検査できる。
本発明の電子部品によれば、貫通孔内に形成された貫通配線の状態を容易に検査することができる。
本発明の基板の製造方法によれば、貫通孔の状態又は貫通配線の状態を容易に検査できるので、貫通孔基板、及び貫通配線基板の品質を容易に把握することができる。
本発明の貫通孔の検査方法によれば、前記貫通孔基板、前記貫通配線基板、前記電子部品を構成する貫通孔の状態又は貫通配線の状態を容易に検査できる。これによって、前記貫通孔基板、前記貫通配線基板、及び前記電子部品の品質を容易に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明にかかる貫通孔基板１０の外形を示す模式図である。
【図２】本発明にかかる貫通孔基板１０Ａの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図３】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｂの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図４】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｃの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図５】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｄの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図６】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｅの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図７】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｆの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図８】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｇの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図９】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｈの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１０】貫通孔基板１００の開口部１０５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１１】本発明にかかる貫通配線基板２０Ａの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１２】本発明にかかる貫通配線基板２０Ｂの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１３】本発明にかかる電子部品３０Ａの断面の模式図である。
【図１４】本発明にかかる電子部品３０Ａの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１５】本発明にかかる基板の製造方法を示す、模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【００２０】
＜＜貫通孔基板＞＞
本発明にかかる貫通孔基板は、後述する電子部品３０を切り出す前のウエハ基板である。その一例である貫通孔基板１０の外形を図１に示す。
本発明にかかる貫通孔基板には、その一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配されている。つまり、基板の一面と他面とを結ぶように貫通孔が形成され、該貫通孔が前記一面に開口する開口部上に、導電パターンが配されている。また、前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されている。
【００２１】
＜貫通孔基板の第一態様＞
本発明にかかる貫通孔基板の第一態様として、貫通孔基板１０Ａの貫通孔の拡大図を図２に示す。図２（ａ）は、基板１の一面１ａ側から貫通孔４の開口部５を見た図である。図２（ｂ）は、開口部５の直径を含む断面図である。
【００２２】
貫通孔４は、基板１の一面１ａから他面１ｂにわたって形成されている。また、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配されている。導電パターン２からなる前記電極パッドには、貫通孔４を一面１ａ側から光学的に観察可能な切抜き３が形成されている。
基板１の一面１ａには第一の絶縁層７が形成されており、その上に導電パターン２が配されている。貫通孔４の内壁には第二の絶縁層６が形成されている。導電パターン２は、電極パッドを構成するとともに、一面１ａにおいて、配線（表面配線）を構成してもよい。該配線は、一面１ａ上に形成された複数の電極パッド間を電気的に接続してもよい。
【００２３】
前記電極パッドには切抜き３が形成されているので、基板１の一面１ａ側から電極パッドを光学的に観察すると、切抜き３を通して、貫通孔４内の状態を観察できる。その結果、貫通孔４が設計通りに形成されているか否かを確認でき、形成した貫通孔４の位置ズレやエッチング残り等の不具合を発見した場合には、その貫通孔基板の使用を中止するか否かを判断できる。
【００２４】
一般に、ウエハ基板１に貫通孔４を形成する際には、後段で形成する電子部品３０を複数含む広い範囲に対して、単一のリソグラフィマスクを使用する。このため、万一、リソグラフィマスクの位置がずれたまま貫通孔４をウエハ基板１に対して形成した場合には、全ての貫通孔４が位置ズレを生じた状態で形成される。したがって、基板１に形成された貫通孔４の位置ズレの有無を調べる場合には、少なくとも二つの貫通孔４についてのみ、切抜き３を利用して、位置ズレの有無を検査すればよい。このため、本発明の貫通孔基板１０においては、形成される貫通孔４の少なくとも二つに、切抜き３が形成された導電パターン２が配されていればよい。また、切抜き３が形成された導電パターン２の、互いの離間距離が大きいほど、位置ズレの方向やズレ幅などのより正確な情報を得ることができる。
【００２５】
一方、前記位置ズレではなく、前記エッチング残りを検査する場合には、少なくとも一つの貫通孔４を検査する必要がある。よって貫通孔基板１０において、切抜き３が形成された導電パターン２が少なくとも一つ配されていればよい。切抜き３が形成された導電パターン２が複数配されていれば、なおよい。全ての貫通孔４に対して切抜き３が形成された導電パターン２が配されていれば、さらによい。つまり、切抜き３が形成された導電パターン２が多く配されているほど、より多くの貫通孔を検査することができ、不具合の発生頻度や、基板面内における分布等の情報をより正確に得ることができる。
【００２６】
貫通孔基板１０を構成する基板１（ウエハ基板）の材料は特に制限されず、例えばシリコン等の半導体基板、石英やパイレックス（登録商標）等のガラス基板、サファイア基板、樹脂基板等が挙げられる。
基板１が半導体基板である場合は、通常、その基板表面に絶縁層（酸化膜）を配する。例えばシリコン基板１の基板表面にはＳｉＯ２からなる酸化膜を配すればよい。一方、基板１がガラス基板等の絶縁性基板である場合は、絶縁層は不要である。
【００２７】
図２に示した第一態様の貫通孔基板１０Ａにおいて、矩形状の切抜き３の領域内の開口部５には第一の絶縁層７が描かれていない。これは、貫通孔４及び開口部５の形成時に第一の絶縁層７を除去したからである。本発明にかかる切抜き３内において、開口部５を覆う第一の絶縁層７はあってもよいし、無くてもよい。通常、第一の絶縁層７は光透過性であるため、その有無に関わらず、一面１ａ側から切抜き３を通して貫通孔４内を観察可能である。
【００２８】
一面１ａ上に配された導電パターン２の材料は、透明導電膜を適用することも可能であるが、金属層からなる導電パターン２が好適である。
前記金属層は、電極パッドや配線として使用される周知の金属が適用可能であり、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする合金等が挙げられる。前記電極パッドや前記配線は、スパッタ法やめっき法で形成した金属層を、例えばエッチング法やダマシン法等でパターニングしたものが適用できる。
【００２９】
切抜き３の形状は、貫通孔４内を観察可能な形状であれば特に制限されず、例えば矩形、楕円形、円形、星形、三日月形、円弧形、種々の多角形等が挙げられる。
【００３０】
切抜き３の面積は、開口部５の面積の１〜６０％が好ましく、５〜４０％がより好ましく、１０〜３０％がさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、貫通孔４内を観察することがより容易であり、上記範囲の上限値以下であると、電極パッド上に半田バンプやワイヤボンディングを形成した場合に、両者の電気的接続をより確実に取ることができる。
【００３１】
切抜き３を配する位置は、貫通孔４内を観察することができる位置、すなわち開口部５上であれば特に制限されず、例えば以下に示す第二〜第八態様の切抜き３の位置が例示できる。
【００３２】
図３に示した第二態様の貫通孔基板１０Ｂにおいて、矩形状の切抜き３は、開口部５の縁が観察可能なように、開口部５の直上に形成されている。
この構成によれば、開口部５の縁を観察することによって、切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察できると共に、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査できる。
【００３３】
図４に示した第三態様の貫通孔基板１０Ｃにおいて、円弧状の切抜き３は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上に形成されている。また、導電パターン２の切抜き３内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、切抜き３及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
【００３４】
なお、本発明の図（例えば図４）では、貫通孔４の内壁に形成した第二の絶縁層６の存在を示すために、第二の絶縁層６を誇張して厚く描いてある。実際に形成する第二の絶縁層６は薄い層（数ミクロン程度）であり、且つ透光性の層であるため、基板の一面１ａから切抜き３を通して貫通孔４内を観察する際に、第二の絶縁層６が妨げとなることはない。
【００３５】
図５に示した第四態様の貫通孔基板１０Ｄにおいて、矩形状の第一の切抜き３ａ（３）及び第二の切抜き３ｂ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上に形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ及び第二の切抜き３ｂ、並びに第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、２つの切抜き３ａ，３ｂを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３６】
図６に示した第五態様の貫通孔基板１０Ｅにおいて、円弧状の第一の切抜き３ａ（３）、第二の切抜き３ｂ（３）、第三の切抜き３ｃ（３）、及び第四の切抜き３ｄ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上にそれぞれ形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ〜第四の切抜き３ｄ、及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、４つの切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３７】
図７に示した第六態様の貫通孔基板１０Ｆにおいて、矩形状の第一の切抜き３ａ（３）、第二の切抜き３ｂ（３）、第三の切抜き３ｃ（３）、及び第四の切抜き３ｄ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上にそれぞれ形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ〜第四の切抜き３ｄ、及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、４つの切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３８】
図８に示した第七態様の貫通孔基板１０Ｇにおいて、導電パターン２からなる電極パッドは、第一の導電パターン２ａ（２）、第二の導電パターン２ｂ（２）、及び第三の導電パターン２ｃ（２）の三層からなる。各層はビアで電気的に接続されているので、最上層の導電パターン２ｃにワイヤボンディングや半田バンプを配した場合、それらは最下層の導電パターン２ａとも電気的に接続される。各導電パターン２ａ，２ｂ，２ｃからなる電極パッドには、同じ位置に、矩形状の第一の切抜き３ａ（３）、及び第二の切抜き３ｂ（３）が形成されている。これらの切抜きは、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上にそれぞれ形成されている。また、各導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ〜第四の切抜き３ｄ、及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、２つの切抜き３ａ，３ｂを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３９】
図９に示した第八態様の貫通孔基板１０Ｈにおいて、Ｔ字状の第一の切抜き３ａ（３）及び第二の切抜き３ｂ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上に形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ及び第二の切抜き３ｂ、並びに第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、２つの切抜き３ａ，３ｂを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００４０】
貫通孔基板１０Ｈで例示したように、本発明における切抜きの形状は、閉じた形状（周囲が導電パターンで完全に囲まれている形状形状）であってもよいし、開いた形状（周囲が導電パターンで部分的に囲まれている形状）であってもよい。
本発明にかかる切抜きの形状が前記開いた形状である場合、切抜きの周囲が導電パターンで囲まれる割合（切抜きが実際に導電パターンで囲まれている周囲長÷その切抜きが閉じた形状であると仮定した場合の導電パターンで囲まれている周囲長×１００％）としては、２０〜９９％が好ましく、４０〜９０％が好ましく、６０〜８０％がさらに好ましい。この範囲であると、電極パッドが半田バンプやワイヤボンディング等の外部接続端子と電気的に接続する際の、該電極パッドの実効面積を低くする程度が少なく、電気的接続に悪影響を与える虞が殆どない。
【００４１】
なお、図１０に示した貫通孔基板１００において、導電パターン１０２からなる電極パッドには、切抜きが配されていない。導電パターン１０２からなる電極パッドの面積は、開口部１０５よりも小さい。このため、該電極パッド上にワイヤボンディングや半田バンプ等の外部接続端子を載せるためには精度の高い作業が必要となり、それらの電気的接続が適切に行われない虞が高まる。
【００４２】
したがって、本発明における導電パターン２からなる電極パッドの面積は、開口部５の面積の１００〜５００％が好ましく、１２０〜４００％がより好ましく、１５０〜３００がさらに好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、電極パッドの上に前記外部接続端子をより確実に搭載することができる。上記範囲の上限値以下であると、電極パッドが基板の一面１ａで不必要に多くの面積を占有することを避けることができ、他の配線と短絡することをより確実に防げる。
【００４３】
また、上記範囲の面積を有する導電パターン２からなる電極パッドを開口部５上に配することによって、開口部５の直上だけでなく、開口部５の近傍にも導電パターン２を配することになる。ここで、「開口部の近傍」とは、開口部の周縁から、該開口部の直径に相当する距離の範囲内を指すものとする。
【００４４】
以上では、本発明にかかる貫通孔基板において、導電パターン２は開口部５の直上で電極パッドを形成している場合を説明した。しかし、開口部５の直上で導電パターン２が形成するものは、電極パッドに限定されず、例えば単なる配線であってもよい。該配線は、開口部５の直上において、前述の切抜き３を有することは言うまでもない。
【００４５】
また、以上では、貫通孔基板の一面１ａのみに、切抜き３を形成した導電パターン２を配した場合を説明した。しかし、貫通孔基板の一面１ａ及び他面１ｂの両方に、切抜き３を形成した導電パターン２を配してもよい。すなわち、切抜き３を形成した導電パターン２を配するのは、貫通孔４の一端側の開口部５のみでもよいし、貫通孔４の一端側の開口部５および他端側の開口部の両方であってもよい。
【００４６】
＜＜貫通配線基板＞＞
本発明にかかる貫通配線基板は、前述の本発明にかかる貫通孔基板１０を用いて、該貫通孔基板１０の貫通孔４の内部に、貫通配線８が形成されているものである。すなわち、後述する電子部品３０を切り出す前のウエハ基板である。その一例である貫通配線基板２０Ａ（２０）を図１１に示す。
【００４７】
本発明にかかる貫通配線基板２０Ａには、その一面１ａから他面１ｂにわたって貫通孔４が形成され、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配されている。貫通孔４内には導電性物質からなる貫通配線８が形成されている。貫通配線８の一端は導電パターン２に電気的に接続し、貫通配線８の他端は他面１ｂに露呈している。導電パターン２には、貫通孔４を一面１ａ側から観察可能な、２つの切抜き３ａ（３）及び切抜き３ｂ（３）が形成されている。
この構成によれば、切抜き３ａ，３ｂを通して、貫通孔４内に配した貫通配線８の一端をなす導電性物質を観察できる。これによって、貫通配線の不良の有無を検査できる。例えば、切抜き３が配された導電パターン２からなる電極パッドと貫通配線８とが電気的に接続されていることを検査できる。
【００４８】
貫通配線基板２０Ａでは、切抜き３内に第一の絶縁層７が配されている。さらに、導電パターン２からなる電極パッドは第一の絶縁層７と同じ高さに形成されている。
本発明にかかる貫通配線基板は、図１２に示す貫通配線基板２０Ｂの様に、貫通配線８の一端の一部が、切抜き３を通して、一面１ａに露呈していてもよい。また、導電パターン２からなる電極パッドは第一の絶縁層７の上に積層して形成されていてもよい。このことは、前述の本発明にかかる貫通孔基板１０においても同様である。
【００４９】
貫通配線８を構成する導電性物質は特に制限されず、例えばめっき法等で貫通配線８を形成する場合には、銅（Ｃｕ）が好適である。
【００５０】
＜＜電子部品＞＞
本発明にかかる電子部品は、前述の本発明にかかる貫通配線基板２０から切り出された電子部品３０であって、前述の貫通配線８が少なくとも１つ含まれるものである。貫通配線基板２０には通常、電子部品３０を切り出すためのダイシングラインが形成されている。図１の基板の一面１ａに描いた網目線は、このダイシングラインを表し、該網目線で区画された個々の領域が、本発明にかかる個々の電子部品３０に相当する。本発明にかかる電子部品３０には、切り出される前に、種々の半導体装置等が実装されていてもよい。
この構成によれば、導電性パターン２からなる電極パッドには切抜き３が形成されているため（不図示）、切抜き３を通して、電極パッドと貫通配線８とが電気的に接続していることを検査できる。
【００５１】
本発明にかかる電子部品３０の一例である電子部品３０Ａを図１３に示す。また、図１４に、電子部品３０Ａに配された貫通配線８付近を拡大した上面図（ａ）及び断面（ｂ）を示す。
【００５２】
電子部品３０Ａの基板１には、一面１ａから他面１ｂにわたって貫通配線８が２本配されている。各貫通配線８は貫通孔４内に形成されており、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５の直上には、導電パターン２からなる電極パッドが開口部５を覆うように配されている。該電極パッドに対して貫通配線８の一端が電気的に接続している。前記電極パッドの上には樹脂からなる接着層３１が配され、さらに樹脂又はガラスからなる透光性の支持層３２（透明基板３２）が一面１ａの全面を覆っている。一方、他面１ｂには貫通孔４の他端４ｂが開口部をなし、該開口部において他面１ｂに露呈する貫通配線８の他端は、表面配線を介して外部接続端子３４と電気的に接続している。また、他面１ｂには表面配線を封止する封止樹脂層３３が配されている。一面１ａと透明基板３２との間隙には、受光部３５が実装されており、該受光部３５と導電パターン２及び貫通配線８とは電気的に接続されている。つまり、電子部品３０Ａは受光素子である。
【００５３】
この電子部品３０Ａにおいて、開口部５の直上の導電パターン２には切抜き３ａ，３ｂが形成されている。したがって、一面１ａ側から、透明基板３２、接着層３１、第一の絶縁層７、及び切抜き３ａ，３ｂを通して、貫通孔４内に配された貫通配線８の状態を光学的に観察することができる。
透光性の支持層３２（透明基板３２）及び接着層３１は、透光性（光透過性）の材料からなる。該材料は、透明（無色）であっても透明でなくてもよく、特定波長の光を透過するものであってもよい。前記材料が着色している場合であっても、光が透過する程度に厚さが薄くなっていれば用いることができる。透光性の支持層３２及び接着層３１は、それぞれ透明な材料（無色の材料）からなるものが好ましい。透明な材料からなるものであると、基板１の一面１ａ側から、透光性の支持層３２、接着層３１、第一の絶縁層７及び切抜き３ａ，３ｂを通して貫通孔４を観察することがより容易にできる。
よって、電子部品３０Ａに限らず、本発明にかかる電子部品３０、貫通配線基板２０、及び貫通孔基板１０の一面１ａ又は他面１ｂに、透明基板３２や接着層３１等の透明な支持部材（透光性の支持層）を配してあってもよい。
【００５４】
電子部品３０Ａでは、２本の貫通配線８の開口部５の各々に、切抜き３ａ，３ｂが形成された導電パターン２が配されているが、必ずしも両方（全て）の貫通配線８に切抜き３ａ，３ｂが形成された導電パターン２が配されている必要はない。本発明にかかる電子部品３０には、貫通孔４の開口部５に切抜き３が形成された導電パターン２を配した貫通配線８が、少なくとも１つ含まれていればよい。
また、導電パターン２に複数の切抜き３が形成されている場合、それらの切抜き３の形状は同一であってもよく、異なっていてもよい。このことは、本発明にかかる電子部品３０、貫通配線基板２０、及び貫通孔基板１０のすべてに共通する。
【００５５】
＜＜基板の製造方法＞＞
本発明にかかる基板の製造方法は、基板の一面側に導電パターンを配置する工程Ａ１と、前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程Ａ２と、前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、前記工程Ａ３において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成するものである。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
【００５６】
＜基板の製造方法の第一態様＞
本発明にかかる基板の製造方法の第一態様は、図１５に示すように、基板１の一面１ａ側に導電パターン２を配置する工程Ａ１と、導電パターン２上に透光性の支持層３２を配置する工程Ａ２と、基板１の一面１ａから他面１ｂまで貫通孔４を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、工程Ａ１において、導電パターン２に切抜き３を形成し、工程Ａ３において、貫通孔４が一面１ａに開口する開口部５を導電パターン２の直下に形成すると共に、切抜き３を通して、開口部の一部を支持層３２の上から観察可能なように形成するものである。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を、切抜きを通して観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
【００５７】
［第一態様の工程Ａ１］
まず、シリコン（Ｓｉ）からなるウエハ基板１を用意して、一面１ａの表面に酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる第一の絶縁層７を形成する。酸化膜を形成する方法は特に制限されず、例えばＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法等の公知の方法を適用できる。
【００５８】
つづいて、第一の絶縁層７の上に、所望の形状の電極パッド又は配線をなす導電パターン２を配する〔図１５（ａ）〕。導電パターン２を形成する領域は、後段の工程Ａ３で形成する貫通孔４の開口部５の直上となる領域５ａを少なくとも含む。該領域５ａには、切抜き３を形成する。切抜き３の形状や配置は、前述の貫通孔基板１０で説明した通りである。
【００５９】
導電パターン２を構成する材料は特に制限されないが、金属が好ましく、なかでもアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする合金等がより好ましい。ＡｌやＣｕは、導電性が高く、加工も容易である。つまり、導電パターン２は金属薄膜で構成することが好ましい。
【００６０】
導電パターン２を形成する方法は特に制限されず、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法等の公知の成膜方法が適用できる。また、導電パターン２を所望の形状にパターニングする方法は特に制限されず、例えば公知のリソグラフィ法が適用可能である。このパターニングによって、所望の形状の切抜き３を導電パターン２に形成できる。
【００６１】
［第一態様の工程Ａ２］
つぎに、導電パターン２上及び／又は基板１上に、接着層３１（接着剤）を配する。
接着層３１の材料は、基板１と透光性の支持層３２とを接着できるものであれば特に制限されないが、透光性の樹脂が好適である。透光性であれば、導電パターン２に形成した切抜き３を通して一面１ａ側から貫通孔４内を光学的に観察することを妨げない。
非透光性の接着層３１を使用する場合は、切抜き３の上に該接着層３１が配されることを避ける必要がある。この場合、例えば切抜き３の直上にマスクを配し、一面１ａ上の所定位置に接着層３１となる硬化性樹脂を塗布した後、前記マスクを除く方法が例示できる。
【００６２】
つづいて、透光性の支持層３２（透明基板）を、接着層３１を介して一面１ａに接着して配置する〔図１５（ｂ）〕。
透光性の支持層３２の材料は、貫通孔４内を観察する手段の光を透過するものであれば特に制限されない。好適なものとしては、例えば、ガラスや透明な樹脂が挙げられる。
透光性の支持層３２は、接着層３１を介して導電パターン２に形成された切抜き３の上に配置することが好ましい。これにより支持層３２が切抜き３を固定又は支持できるので、後段の工程Ａ３で貫通孔４を形成する際に、切抜き３の形状を保護（保持）することができる。つまり、工程Ａ３において、切抜き３又は導電パターン２を損傷せずに、確実に貫通孔４を形成することが容易となる。
【００６３】
［第一態様の工程Ａ３］
つぎに、基板１の他面１ｂから一面１ａまで貫通孔４を形成する〔図１５（ｃ）〕。
貫通孔４が一面１ａに開口する開口部５を、切抜き３が形成された導電パターン２の直下に形成すると共に、該切抜き３を介して、開口部５の一部を支持層３２の上から観察可能なように形成する。
工程３Ａ後に得られる基板は、本発明にかかる貫通孔基板１０に相当する。
【００６４】
貫通孔４を形成する方法は特に制限されず、基板の材料に応じて、公知の方法を適用すればよい。例えばウェットエッチング法、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching)法、ＤＲＩＥ(Deep Reactive Ion Etching)法、レーザー改質およびウェットエッチングを用いたプロセス等が適用可能であり、適宜フォトリソグラフィを併用できる。
【００６５】
図１５（ｃ）では、ＳｉＯ２からなる酸化膜（第一の絶縁層７）を除去して、貫通孔４内に導電パターン２の下面２ｐが露呈した状態になっている。このように露呈させることによって、後段の工程Ａ５で貫通孔４内に配した導電性物質と導電パターン２の下面２ｐとを電気的に接続することができる。
本発明にかかる貫通孔基板１０を製造する場合、導電パターン２の下面２ｐにある前記酸化膜は除去されていてもよいし、除去しなくてもよい。貫通孔基板１０の製造段階で除去しない場合は、貫通配線８を形成する際に、前記酸化膜を除去すればよい。
【００６６】
［第一態様の工程Ａ４］
本発明にかかる基板の製造方法としては、工程Ａ３の後に、基板１の一面１ａ側から貫通孔４の内部を検査する工程Ａ４を有していることが好ましい。
一面１ａには接着層３１及び支持層３２が配置されているので、これらを通して、支持層３２の上から切抜き３を通して貫通孔４内の状態又は開口部５の一部及び周辺を検査する。
この検査によって、エッチングの状態、貫通孔４の位置精度、又は貫通孔４の状態等について、不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板１０の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通孔基板１０を容易に選別することができる。
【００６７】
貫通孔４内を検査する具体的な方法としては、例えば他面１ｂ側から貫通孔４内に可視光を照射して、一面１ａ側から切抜き３を通過してくる前記可視光を、ＣＣＤカメラを搭載した顕微鏡等で観察する方法が挙げられる。また、別の方法としては、例えば一面１ａ側から貫通孔４内又は開口部５の一部及び周辺に可視光を照射して、切抜き３を通して開口部５周辺から反射してくる前記可視光を、ＣＣＤカメラを搭載した顕微鏡等によって、一面１ａ側から観察する方法が挙げられる。
【００６８】
［第一態様の工程Ａ５］
工程Ａ３又は工程Ａ４につづいて、貫通孔４の内部に貫通配線８を形成する〔図１５（ｄ）〕。
基板１が半導体基板である場合は、貫通配線８を形成する前に、貫通孔４の内壁を第二の絶縁層６（酸化膜）で覆う必要がある。第二の絶縁層６を形成後、導電パターン２の下面２ｐを覆う領域のみ、該第二の絶縁層６を除去する。第二の絶縁層６の形成及び除去は公知の方法が適用できる。例えば、第二の絶縁層６の形成には、ＰＥＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition）を適用できる。第二の絶縁層６の除去には、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を適用できる。貫通孔４内に導電性物質を配して貫通配線８を形成する方法としては特に制限されず、例えば公知の方法が適用できる。例えば、めっき法、スパッタ成膜法、ＣＶＤ法、溶融金属充填法、等の手法を適用できる。
【００６９】
貫通孔４の内部を検査する工程Ａ４は、第二の絶縁層６を形成した後に行ってもよい。一般的に、第二の絶縁膜６の材料はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜であり、また、その厚さも数ミクロンである。そのため、第二の絶縁膜６を通して貫通孔４の内部を検査することができる。第二の絶縁層６を形成した後であれば、導電パターン２の下面２ｐが第二の絶縁層６によって被覆された状態で工程Ａ４を行うことができる。したがって、導電パターン２の下面２ｐが長時間に渡って大気に曝されることがないため、導電パターン２の下面２ｐが酸化して劣化する不具合を防止することができる。
【００７０】
［第一態様の工程Ａ６］
本発明にかかる基板の製造方法としては、工程Ａ５の後に、基板１の一面１ａ側から貫通孔４を検査する工程Ａ６を有していることが好ましい。
一面１ａには接着層３１及び支持層３２が配置されているので、これらを通して、支持層３２の上から切抜き３を通して貫通孔４内の状態を検査する。
この検査によって、エッチングの状態、貫通孔の位置精度、貫通配線８の状態、又は貫通配線８と導電パターン２との電気的接続等について、不具合の有無を検査できる。これにより、貫通配線基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通配線基板を容易に選別することができる。
【００７１】
貫通孔４内を検査する具体的な方法としては、例えば一面１ａ側から貫通孔４に可視光を照射して、切抜き３を通して開口部５周辺から反射してくる前記可視光を、ＣＣＤカメラを搭載した顕微鏡等によって、一面１ａ側から観察する方法が挙げられる。
この貫通孔４の検査方法は、本発明の貫通孔基板１０、貫通配線基板２０、又は電子部品３０において、一面１ａ側から切抜き３通して貫通孔４の内部を調べること方法として適用可能である。
【００７２】
＜基板の製造方法の第二態様＞
本発明にかかる基板の製造方法の第二態様は、基板１の一面１ａ側に導電パターン２として透明導電膜を配置する工程Ａ１と、導電パターン２上に透光性の支持層３２を配置する工程Ａ２と、基板１の一面１ａから他面１ｂにわたって貫通孔４を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、工程Ａ３において、貫通孔４が一面１ａに開口する開口部５を導電パターン２の直下に形成すると共に、開口部の一部を支持層３２の上から観察可能なように形成するものである。
導電パターン２に透明導電膜を採用しているので、切抜き３を形成しなくとも、透明導電膜を透過する可視光線を用いて、一面１ａ側から開口部５の一部又は貫通孔４内を観察することができる。
前記透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化インジウムスズ膜）やＦＴＯ膜（フッ素ドープ酸化スズ膜）が適用可能である。工程Ａ１〜Ａ３の具体的な方法は、第一態様と同様である。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明にかかる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、及び基板の製造方法は、受光素子を備えた電子回路等の製造に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１…基板、１ａ…基板の一面、１ｂ…基板の他面、２，２ａ，２ｂ，２ｃ…導電パターン、２ｐ…導電パターンの下面、３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ…切抜き、４…貫通孔、４ａ…貫通孔の一端、４ｂ…貫通孔の他端、５…開口部、６…第二の絶縁層、７…第一の絶縁層、８…貫通配線、１０，１０Ａ〜１０Ｈ…貫通孔基板、２０，２０Ａ，２０Ｂ…貫通配線基板、３０，３０Ａ…電子部品、３１…透光性の接着層、３２…透光性の支持層（透明基板）、３３…封止樹脂、３４…外部接続端子、３５…受光部、１００…貫通孔基板、１０１…基板、１０１ａ…基板の一面、１０１ｂ…基板の他面、１０２…導電パターン、１０４…貫通孔、１０６…第二の絶縁膜、１０７…第一の絶縁膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として、基板の一面に配置された電極パッドと、基板の他面から一面にかけて貫通し、電極パッドと電気的に接続された貫通配線と、を備えた貫通配線基板が開示されている（特許文献１）。貫通配線は、基板の他面から電極パッドに向けて貫通孔を形成し、その貫通孔の内部に導電性物質を充填することによって形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１３３４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体装置の一層の小型化によって、基板内の貫通配線のサイズも微細化が進んでいる。これに伴い、貫通孔が基板の表面に開口する開口部の口径も小さくなっている。半導体装置を製造する一般的な方法として、基板の一面に表面配線を設けた後、基板の他面から一面へ貫通孔を形成し、該貫通孔へ導電性物質を配する方法がある。通常、金属の薄膜からなる表面配線で形成した電極パッドは、貫通孔の開口部よりも一回り以上大きく形成されるので、電極パッドによって開口部が完全に覆われた状態になる。このため、基板の一面側から電極パッドを光学的に観察した場合、微細孔中に導電性物質が配されていること、電極パッドと貫通配線とが接続していることを確認できないという問題がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、貫通孔内の状態を容易に確認できる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の貫通孔基板は、基板の一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配された貫通孔基板であって、前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されていることを特徴とする。
この構成において、基板の二つの主面である一面から他面にわたって貫通孔が形成されており、該貫通孔が一面に開口する開口部を覆う導電パターンが配されている。そして、この導電パターンには貫通孔の内部を視認できる切抜きが形成されているので、基板の一面側から導電パターンを光学的に観察することで容易に貫通孔内の状態を観察できる。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の貫通孔基板は、請求項１において、前記切抜きにおいて、前記開口部の縁が観察可能であることを特徴とする。
この構成によれば、開口部の縁を観察することによって、切抜きを通して貫通孔内の状態を観察できると共に、貫通孔の形成不良が発生し易い開口部の縁が設計通りに形成されているか否かを検査できる。
【０００８】
本発明の請求項３に記載の貫通孔基板は、請求項２において、前記切抜きが、前記開口部の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、切抜きを通して開口部の直径の両端を観察することによって、貫通孔内の状態を観察でき、貫通孔の形成不良が発生し易い開口部の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の貫通孔基板は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記導電パターンは、前記切抜きを２つ以上有することを特徴とする。
この構成によれば、２つ以上の切抜きを通して貫通孔内を観察できるので、貫通孔内の状態をより詳細に観察できる。
【００１０】
本発明の請求項５に記載の貫通配線基板は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の貫通孔基板を用いて、該貫通孔基板の貫通孔の内部に、貫通配線が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、切抜きを通して、貫通孔内に配した導電性物質を観察できる。これによって、貫通配線の不良の有無を検査できる。
【００１１】
本発明の請求項６に記載の電子部品は、請求項５に記載の貫通配線基板から切り出された電子部品であって、前記貫通孔が少なくとも１つ含まれることを特徴とする。
この構成によれば、前記導電性パターンには切抜きが形成されているため、切抜きを通して、貫通孔内の状態を観察できる。
【００１２】
本発明の請求項７に記載の基板の製造方法は、基板の一面側に導電パターンを配置する工程Ａ１と、前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程Ａ２と、前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、前記工程Ａ１において、前記導電パターンに切抜きを形成し、前記工程Ａ３において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記切抜きを通して前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成することを特徴とする。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
【００１３】
本発明の請求項８に記載の基板の製造方法は、請求項７において、前記工程Ａ３の後に、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通孔基板を容易に選別することができる。
【００１４】
本発明の請求項９に記載の基板の製造方法は、請求項８において、前記工程Ａ３において形成した前記貫通孔の内壁及び該貫通孔の内部に露呈させた前記導電パターンの下面を絶縁層で被覆した後に、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項１０に記載の基板の製造方法は、請求項７〜９のいずれか一項において、前記貫通孔の内部に貫通配線を形成する工程Ａ５と、次いで、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ６を有していることを特徴とする。
この構成によれば、工程Ａ５の後で、基板内に形成した貫通孔の内部に配された導電性物質を観察して、貫通配線の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通配線基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通配線基板を容易に選別することができる。
【００１６】
本発明の請求項１１に記載の貫通孔の検査方法は、請求項１〜４に記載の貫通孔基板、請求項５に記載の貫通配線基板、又は請求項６に記載の電子部品において、前記一面側から前記切抜き通して前記貫通孔の内部を調べることを特徴とする。
これにより、貫通孔基板、貫通配線基板、及び電子部品の品質を容易に把握できると共に、不具合のある製品を容易に選別することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の貫通孔基板によれば、導電性パターンに切抜きが配されているので、該切抜きを通して、貫通孔内の状態を容易に検査できる。
本発明の貫通配線基板によれば、導電性パターンに切抜きが配されているので、該切抜きを通して、貫通孔の内部に配された導電性物質の状態を検査できる。これにより、貫通孔内に形成された貫通配線の状態を容易に検査できる。
本発明の電子部品によれば、貫通孔内に形成された貫通配線の状態を容易に検査することができる。
本発明の基板の製造方法によれば、貫通孔の状態又は貫通配線の状態を容易に検査できるので、貫通孔基板、及び貫通配線基板の品質を容易に把握することができる。
本発明の貫通孔の検査方法によれば、前記貫通孔基板、前記貫通配線基板、前記電子部品を構成する貫通孔の状態又は貫通配線の状態を容易に検査できる。これによって、前記貫通孔基板、前記貫通配線基板、及び前記電子部品の品質を容易に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明にかかる貫通孔基板１０の外形を示す模式図である。
【図２】本発明にかかる貫通孔基板１０Ａの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図３】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｂの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図４】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｃの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図５】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｄの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図６】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｅの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図７】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｆの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図８】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｇの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図９】本発明にかかる貫通孔基板１０Ｈの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１０】貫通孔基板１００の開口部１０５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１１】本発明にかかる貫通配線基板２０Ａの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１２】本発明にかかる貫通配線基板２０Ｂの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１３】本発明にかかる電子部品３０Ａの断面の模式図である。
【図１４】本発明にかかる電子部品３０Ａの開口部５周辺の、上面（ａ）及び断面（ｂ）の模式図である。
【図１５】本発明にかかる基板の製造方法を示す、模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【００２０】
＜＜貫通孔基板＞＞
本発明にかかる貫通孔基板は、後述する電子部品３０を切り出す前のウエハ基板である。その一例である貫通孔基板１０の外形を図１に示す。
本発明にかかる貫通孔基板には、その一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配されている。つまり、基板の一面と他面とを結ぶように貫通孔が形成され、該貫通孔が前記一面に開口する開口部上に、導電パターンが配されている。また、前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されている。
【００２１】
＜貫通孔基板の第一態様＞
本発明にかかる貫通孔基板の第一態様として、貫通孔基板１０Ａの貫通孔の拡大図を図２に示す。図２（ａ）は、基板１の一面１ａ側から貫通孔４の開口部５を見た図である。図２（ｂ）は、開口部５の直径を含む断面図である。
【００２２】
貫通孔４は、基板１の一面１ａから他面１ｂにわたって形成されている。また、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配されている。導電パターン２からなる前記電極パッドには、貫通孔４を一面１ａ側から光学的に観察可能な切抜き３が形成されている。
基板１の一面１ａには第一の絶縁層７が形成されており、その上に導電パターン２が配されている。貫通孔４の内壁には第二の絶縁層６が形成されている。導電パターン２は、電極パッドを構成するとともに、一面１ａにおいて、配線（表面配線）を構成してもよい。該配線は、一面１ａ上に形成された複数の電極パッド間を電気的に接続してもよい。
【００２３】
前記電極パッドには切抜き３が形成されているので、基板１の一面１ａ側から電極パッドを光学的に観察すると、切抜き３を通して、貫通孔４内の状態を観察できる。その結果、貫通孔４が設計通りに形成されているか否かを確認でき、形成した貫通孔４の位置ズレやエッチング残り等の不具合を発見した場合には、その貫通孔基板の使用を中止するか否かを判断できる。
【００２４】
一般に、ウエハ基板１に貫通孔４を形成する際には、後段で形成する電子部品３０を複数含む広い範囲に対して、単一のリソグラフィマスクを使用する。このため、万一、リソグラフィマスクの位置がずれたまま貫通孔４をウエハ基板１に対して形成した場合には、全ての貫通孔４が位置ズレを生じた状態で形成される。したがって、基板１に形成された貫通孔４の位置ズレの有無を調べる場合には、少なくとも二つの貫通孔４についてのみ、切抜き３を利用して、位置ズレの有無を検査すればよい。このため、本発明の貫通孔基板１０においては、形成される貫通孔４の少なくとも二つに、切抜き３が形成された導電パターン２が配されていればよい。また、切抜き３が形成された導電パターン２の、互いの離間距離が大きいほど、位置ズレの方向やズレ幅などのより正確な情報を得ることができる。
【００２５】
一方、前記位置ズレではなく、前記エッチング残りを検査する場合には、少なくとも一つの貫通孔４を検査する必要がある。よって貫通孔基板１０において、切抜き３が形成された導電パターン２が少なくとも一つ配されていればよい。切抜き３が形成された導電パターン２が複数配されていれば、なおよい。全ての貫通孔４に対して切抜き３が形成された導電パターン２が配されていれば、さらによい。つまり、切抜き３が形成された導電パターン２が多く配されているほど、より多くの貫通孔を検査することができ、不具合の発生頻度や、基板面内における分布等の情報をより正確に得ることができる。
【００２６】
貫通孔基板１０を構成する基板１（ウエハ基板）の材料は特に制限されず、例えばシリコン等の半導体基板、石英やパイレックス（登録商標）等のガラス基板、サファイア基板、樹脂基板等が挙げられる。
基板１が半導体基板である場合は、通常、その基板表面に絶縁層（酸化膜）を配する。例えばシリコン基板１の基板表面にはＳｉＯ２からなる酸化膜を配すればよい。一方、基板１がガラス基板等の絶縁性基板である場合は、絶縁層は不要である。
【００２７】
図２に示した第一態様の貫通孔基板１０Ａにおいて、矩形状の切抜き３の領域内の開口部５には第一の絶縁層７が描かれていない。これは、貫通孔４及び開口部５の形成時に第一の絶縁層７を除去したからである。本発明にかかる切抜き３内において、開口部５を覆う第一の絶縁層７はあってもよいし、無くてもよい。通常、第一の絶縁層７は光透過性であるため、その有無に関わらず、一面１ａ側から切抜き３を通して貫通孔４内を観察可能である。
【００２８】
一面１ａ上に配された導電パターン２の材料は、透明導電膜を適用することも可能であるが、金属層からなる導電パターン２が好適である。
前記金属層は、電極パッドや配線として使用される周知の金属が適用可能であり、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする合金等が挙げられる。前記電極パッドや前記配線は、スパッタ法やめっき法で形成した金属層を、例えばエッチング法やダマシン法等でパターニングしたものが適用できる。
【００２９】
切抜き３の形状は、貫通孔４内を観察可能な形状であれば特に制限されず、例えば矩形、楕円形、円形、星形、三日月形、円弧形、種々の多角形等が挙げられる。
【００３０】
切抜き３の面積は、開口部５の面積の１〜６０％が好ましく、５〜４０％がより好ましく、１０〜３０％がさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、貫通孔４内を観察することがより容易であり、上記範囲の上限値以下であると、電極パッド上に半田バンプやワイヤボンディングを形成した場合に、両者の電気的接続をより確実に取ることができる。
【００３１】
切抜き３を配する位置は、貫通孔４内を観察することができる位置、すなわち開口部５上であれば特に制限されず、例えば以下に示す第二〜第八態様の切抜き３の位置が例示できる。
【００３２】
図３に示した第二態様の貫通孔基板１０Ｂにおいて、矩形状の切抜き３は、開口部５の縁が観察可能なように、開口部５の直上に形成されている。
この構成によれば、開口部５の縁を観察することによって、切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察できると共に、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査できる。
【００３３】
図４に示した第三態様の貫通孔基板１０Ｃにおいて、円弧状の切抜き３は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上に形成されている。また、導電パターン２の切抜き３内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、切抜き３及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
【００３４】
なお、本発明の図（例えば図４）では、貫通孔４の内壁に形成した第二の絶縁層６の存在を示すために、第二の絶縁層６を誇張して厚く描いてある。実際に形成する第二の絶縁層６は薄い層（数ミクロン程度）であり、且つ透光性の層であるため、基板の一面１ａから切抜き３を通して貫通孔４内を観察する際に、第二の絶縁層６が妨げとなることはない。
【００３５】
図５に示した第四態様の貫通孔基板１０Ｄにおいて、矩形状の第一の切抜き３ａ（３）及び第二の切抜き３ｂ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上に形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ及び第二の切抜き３ｂ、並びに第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、２つの切抜き３ａ，３ｂを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３６】
図６に示した第五態様の貫通孔基板１０Ｅにおいて、円弧状の第一の切抜き３ａ（３）、第二の切抜き３ｂ（３）、第三の切抜き３ｃ（３）、及び第四の切抜き３ｄ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上にそれぞれ形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ〜第四の切抜き３ｄ、及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、４つの切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３７】
図７に示した第六態様の貫通孔基板１０Ｆにおいて、矩形状の第一の切抜き３ａ（３）、第二の切抜き３ｂ（３）、第三の切抜き３ｃ（３）、及び第四の切抜き３ｄ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上にそれぞれ形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ〜第四の切抜き３ｄ、及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、４つの切抜き３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３８】
図８に示した第七態様の貫通孔基板１０Ｇにおいて、導電パターン２からなる電極パッドは、第一の導電パターン２ａ（２）、第二の導電パターン２ｂ（２）、及び第三の導電パターン２ｃ（２）の三層からなる。各層はビアで電気的に接続されているので、最上層の導電パターン２ｃにワイヤボンディングや半田バンプを配した場合、それらは最下層の導電パターン２ａとも電気的に接続される。各導電パターン２ａ，２ｂ，２ｃからなる電極パッドには、同じ位置に、矩形状の第一の切抜き３ａ（３）、及び第二の切抜き３ｂ（３）が形成されている。これらの切抜きは、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上にそれぞれ形成されている。また、各導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ〜第四の切抜き３ｄ、及び第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、２つの切抜き３ａ，３ｂを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００３９】
図９に示した第八態様の貫通孔基板１０Ｈにおいて、Ｔ字状の第一の切抜き３ａ（３）及び第二の切抜き３ｂ（３）は、開口部５の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように、開口部５の直上に形成されている。また、導電パターン２の切抜き３ａ，３ｂ内には、第一の絶縁層７が配されている。
この構成によれば、第一の切抜き３ａ及び第二の切抜き３ｂ、並びに第一の絶縁層７を通して、開口部５の直径の両端を観察することによって、各切抜き３を通して貫通孔４内の状態を観察でき、エッチング残りが生じ易い開口部５の縁が設計通りに形成されているか否かを検査でき、更に、開口部５の大きさと位置が設計通りであることを検査できる。
また、この構成によれば、２つの切抜き３ａ，３ｂを利用できるので、貫通孔４内の観察が一層容易になる。
【００４０】
貫通孔基板１０Ｈで例示したように、本発明における切抜きの形状は、閉じた形状（周囲が導電パターンで完全に囲まれている形状形状）であってもよいし、開いた形状（周囲が導電パターンで部分的に囲まれている形状）であってもよい。
本発明にかかる切抜きの形状が前記開いた形状である場合、切抜きの周囲が導電パターンで囲まれる割合（切抜きが実際に導電パターンで囲まれている周囲長÷その切抜きが閉じた形状であると仮定した場合の導電パターンで囲まれている周囲長×１００％）としては、２０〜９９％が好ましく、４０〜９０％が好ましく、６０〜８０％がさらに好ましい。この範囲であると、電極パッドが半田バンプやワイヤボンディング等の外部接続端子と電気的に接続する際の、該電極パッドの実効面積を低くする程度が少なく、電気的接続に悪影響を与える虞が殆どない。
【００４１】
なお、図１０に示した貫通孔基板１００において、導電パターン１０２からなる電極パッドには、切抜きが配されていない。導電パターン１０２からなる電極パッドの面積は、開口部１０５よりも小さい。このため、該電極パッド上にワイヤボンディングや半田バンプ等の外部接続端子を載せるためには精度の高い作業が必要となり、それらの電気的接続が適切に行われない虞が高まる。
【００４２】
したがって、本発明における導電パターン２からなる電極パッドの面積は、開口部５の面積の１００〜５００％が好ましく、１２０〜４００％がより好ましく、１５０〜３００がさらに好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、電極パッドの上に前記外部接続端子をより確実に搭載することができる。上記範囲の上限値以下であると、電極パッドが基板の一面１ａで不必要に多くの面積を占有することを避けることができ、他の配線と短絡することをより確実に防げる。
【００４３】
また、上記範囲の面積を有する導電パターン２からなる電極パッドを開口部５上に配することによって、開口部５の直上だけでなく、開口部５の近傍にも導電パターン２を配することになる。ここで、「開口部の近傍」とは、開口部の周縁から、該開口部の直径に相当する距離の範囲内を指すものとする。
【００４４】
以上では、本発明にかかる貫通孔基板において、導電パターン２は開口部５の直上で電極パッドを形成している場合を説明した。しかし、開口部５の直上で導電パターン２が形成するものは、電極パッドに限定されず、例えば単なる配線であってもよい。該配線は、開口部５の直上において、前述の切抜き３を有することは言うまでもない。
【００４５】
また、以上では、貫通孔基板の一面１ａのみに、切抜き３を形成した導電パターン２を配した場合を説明した。しかし、貫通孔基板の一面１ａ及び他面１ｂの両方に、切抜き３を形成した導電パターン２を配してもよい。すなわち、切抜き３を形成した導電パターン２を配するのは、貫通孔４の一端側の開口部５のみでもよいし、貫通孔４の一端側の開口部５および他端側の開口部の両方であってもよい。
【００４６】
＜＜貫通配線基板＞＞
本発明にかかる貫通配線基板は、前述の本発明にかかる貫通孔基板１０を用いて、該貫通孔基板１０の貫通孔４の内部に、貫通配線８が形成されているものである。すなわち、後述する電子部品３０を切り出す前のウエハ基板である。その一例である貫通配線基板２０Ａ（２０）を図１１に示す。
【００４７】
本発明にかかる貫通配線基板２０Ａには、その一面１ａから他面１ｂにわたって貫通孔４が形成され、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５を覆う導電パターン２が配されている。貫通孔４内には導電性物質からなる貫通配線８が形成されている。貫通配線８の一端は導電パターン２に電気的に接続し、貫通配線８の他端は他面１ｂに露呈している。導電パターン２には、貫通孔４を一面１ａ側から観察可能な、２つの切抜き３ａ（３）及び切抜き３ｂ（３）が形成されている。
この構成によれば、切抜き３ａ，３ｂを通して、貫通孔４内に配した貫通配線８の一端をなす導電性物質を観察できる。これによって、貫通配線の不良の有無を検査できる。例えば、切抜き３が配された導電パターン２からなる電極パッドと貫通配線８とが電気的に接続されていることを検査できる。
【００４８】
貫通配線基板２０Ａでは、切抜き３内に第一の絶縁層７が配されている。さらに、導電パターン２からなる電極パッドは第一の絶縁層７と同じ高さに形成されている。
本発明にかかる貫通配線基板は、図１２に示す貫通配線基板２０Ｂの様に、貫通配線８の一端の一部が、切抜き３を通して、一面１ａに露呈していてもよい。また、導電パターン２からなる電極パッドは第一の絶縁層７の上に積層して形成されていてもよい。このことは、前述の本発明にかかる貫通孔基板１０においても同様である。
【００４９】
貫通配線８を構成する導電性物質は特に制限されず、例えばめっき法等で貫通配線８を形成する場合には、銅（Ｃｕ）が好適である。
【００５０】
＜＜電子部品＞＞
本発明にかかる電子部品は、前述の本発明にかかる貫通配線基板２０から切り出された電子部品３０であって、前述の貫通配線８が少なくとも１つ含まれるものである。貫通配線基板２０には通常、電子部品３０を切り出すためのダイシングラインが形成されている。図１の基板の一面１ａに描いた網目線は、このダイシングラインを表し、該網目線で区画された個々の領域が、本発明にかかる個々の電子部品３０に相当する。本発明にかかる電子部品３０には、切り出される前に、種々の半導体装置等が実装されていてもよい。
この構成によれば、導電性パターン２からなる電極パッドには切抜き３が形成されているため（不図示）、切抜き３を通して、電極パッドと貫通配線８とが電気的に接続していることを検査できる。
【００５１】
本発明にかかる電子部品３０の一例である電子部品３０Ａを図１３に示す。また、図１４に、電子部品３０Ａに配された貫通配線８付近を拡大した上面図（ａ）及び断面（ｂ）を示す。
【００５２】
電子部品３０Ａの基板１には、一面１ａから他面１ｂにわたって貫通配線８が２本配されている。各貫通配線８は貫通孔４内に形成されており、一面１ａにおける貫通孔４の開口部５の直上には、導電パターン２からなる電極パッドが開口部５を覆うように配されている。該電極パッドに対して貫通配線８の一端が電気的に接続している。前記電極パッドの上には樹脂からなる接着層３１が配され、さらに樹脂又はガラスからなる透光性の支持層３２（透明基板３２）が一面１ａの全面を覆っている。一方、他面１ｂには貫通孔４の他端４ｂが開口部をなし、該開口部において他面１ｂに露呈する貫通配線８の他端は、表面配線を介して外部接続端子３４と電気的に接続している。また、他面１ｂには表面配線を封止する封止樹脂層３３が配されている。一面１ａと透明基板３２との間隙には、受光部３５が実装されており、該受光部３５と導電パターン２及び貫通配線８とは電気的に接続されている。つまり、電子部品３０Ａは受光素子である。
【００５３】
この電子部品３０Ａにおいて、開口部５の直上の導電パターン２には切抜き３ａ，３ｂが形成されている。したがって、一面１ａ側から、透明基板３２、接着層３１、第一の絶縁層７、及び切抜き３ａ，３ｂを通して、貫通孔４内に配された貫通配線８の状態を光学的に観察することができる。
透光性の支持層３２（透明基板３２）及び接着層３１は、透光性（光透過性）の材料からなる。該材料は、透明（無色）であっても透明でなくてもよく、特定波長の光を透過するものであってもよい。前記材料が着色している場合であっても、光が透過する程度に厚さが薄くなっていれば用いることができる。透光性の支持層３２及び接着層３１は、それぞれ透明な材料（無色の材料）からなるものが好ましい。透明な材料からなるものであると、基板１の一面１ａ側から、透光性の支持層３２、接着層３１、第一の絶縁層７及び切抜き３ａ，３ｂを通して貫通孔４を観察することがより容易にできる。
よって、電子部品３０Ａに限らず、本発明にかかる電子部品３０、貫通配線基板２０、及び貫通孔基板１０の一面１ａ又は他面１ｂに、透明基板３２や接着層３１等の透明な支持部材（透光性の支持層）を配してあってもよい。
【００５４】
電子部品３０Ａでは、２本の貫通配線８の開口部５の各々に、切抜き３ａ，３ｂが形成された導電パターン２が配されているが、必ずしも両方（全て）の貫通配線８に切抜き３ａ，３ｂが形成された導電パターン２が配されている必要はない。本発明にかかる電子部品３０には、貫通孔４の開口部５に切抜き３が形成された導電パターン２を配した貫通配線８が、少なくとも１つ含まれていればよい。
また、導電パターン２に複数の切抜き３が形成されている場合、それらの切抜き３の形状は同一であってもよく、異なっていてもよい。このことは、本発明にかかる電子部品３０、貫通配線基板２０、及び貫通孔基板１０のすべてに共通する。
【００５５】
＜＜基板の製造方法＞＞
本発明にかかる基板の製造方法は、基板の一面側に導電パターンを配置する工程Ａ１と、前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程Ａ２と、前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、前記工程Ａ３において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成するものである。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
【００５６】
＜基板の製造方法の第一態様＞
本発明にかかる基板の製造方法の第一態様は、図１５に示すように、基板１の一面１ａ側に導電パターン２を配置する工程Ａ１と、導電パターン２上に透光性の支持層３２を配置する工程Ａ２と、基板１の一面１ａから他面１ｂまで貫通孔４を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、工程Ａ１において、導電パターン２に切抜き３を形成し、工程Ａ３において、貫通孔４が一面１ａに開口する開口部５を導電パターン２の直下に形成すると共に、切抜き３を通して、開口部の一部を支持層３２の上から観察可能なように形成するものである。
この構成によれば、工程Ａ３の後で、基板内に形成した貫通孔の内部を、切抜きを通して観察して、貫通孔の形成不良等の不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板の品質を容易に把握できる。
【００５７】
［第一態様の工程Ａ１］
まず、シリコン（Ｓｉ）からなるウエハ基板１を用意して、一面１ａの表面に酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる第一の絶縁層７を形成する。酸化膜を形成する方法は特に制限されず、例えばＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法等の公知の方法を適用できる。
【００５８】
つづいて、第一の絶縁層７の上に、所望の形状の電極パッド又は配線をなす導電パターン２を配する〔図１５（ａ）〕。導電パターン２を形成する領域は、後段の工程Ａ３で形成する貫通孔４の開口部５の直上となる領域５ａを少なくとも含む。該領域５ａには、切抜き３を形成する。切抜き３の形状や配置は、前述の貫通孔基板１０で説明した通りである。
【００５９】
導電パターン２を構成する材料は特に制限されないが、金属が好ましく、なかでもアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする合金等がより好ましい。ＡｌやＣｕは、導電性が高く、加工も容易である。つまり、導電パターン２は金属薄膜で構成することが好ましい。
【００６０】
導電パターン２を形成する方法は特に制限されず、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法等の公知の成膜方法が適用できる。また、導電パターン２を所望の形状にパターニングする方法は特に制限されず、例えば公知のリソグラフィ法が適用可能である。このパターニングによって、所望の形状の切抜き３を導電パターン２に形成できる。
【００６１】
［第一態様の工程Ａ２］
つぎに、導電パターン２上及び／又は基板１上に、接着層３１（接着剤）を配する。
接着層３１の材料は、基板１と透光性の支持層３２とを接着できるものであれば特に制限されないが、透光性の樹脂が好適である。透光性であれば、導電パターン２に形成した切抜き３を通して一面１ａ側から貫通孔４内を光学的に観察することを妨げない。
非透光性の接着層３１を使用する場合は、切抜き３の上に該接着層３１が配されることを避ける必要がある。この場合、例えば切抜き３の直上にマスクを配し、一面１ａ上の所定位置に接着層３１となる硬化性樹脂を塗布した後、前記マスクを除く方法が例示できる。
【００６２】
つづいて、透光性の支持層３２（透明基板）を、接着層３１を介して一面１ａに接着して配置する〔図１５（ｂ）〕。
透光性の支持層３２の材料は、貫通孔４内を観察する手段の光を透過するものであれば特に制限されない。好適なものとしては、例えば、ガラスや透明な樹脂が挙げられる。
透光性の支持層３２は、接着層３１を介して導電パターン２に形成された切抜き３の上に配置することが好ましい。これにより支持層３２が切抜き３を固定又は支持できるので、後段の工程Ａ３で貫通孔４を形成する際に、切抜き３の形状を保護（保持）することができる。つまり、工程Ａ３において、切抜き３又は導電パターン２を損傷せずに、確実に貫通孔４を形成することが容易となる。
【００６３】
［第一態様の工程Ａ３］
つぎに、基板１の他面１ｂから一面１ａまで貫通孔４を形成する〔図１５（ｃ）〕。
貫通孔４が一面１ａに開口する開口部５を、切抜き３が形成された導電パターン２の直下に形成すると共に、該切抜き３を介して、開口部５の一部を支持層３２の上から観察可能なように形成する。
工程３Ａ後に得られる基板は、本発明にかかる貫通孔基板１０に相当する。
【００６４】
貫通孔４を形成する方法は特に制限されず、基板の材料に応じて、公知の方法を適用すればよい。例えばウェットエッチング法、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching)法、ＤＲＩＥ(Deep Reactive Ion Etching)法、レーザー改質およびウェットエッチングを用いたプロセス等が適用可能であり、適宜フォトリソグラフィを併用できる。
【００６５】
図１５（ｃ）では、ＳｉＯ２からなる酸化膜（第一の絶縁層７）を除去して、貫通孔４内に導電パターン２の下面２ｐが露呈した状態になっている。このように露呈させることによって、後段の工程Ａ５で貫通孔４内に配した導電性物質と導電パターン２の下面２ｐとを電気的に接続することができる。
本発明にかかる貫通孔基板１０を製造する場合、導電パターン２の下面２ｐにある前記酸化膜は除去されていてもよいし、除去しなくてもよい。貫通孔基板１０の製造段階で除去しない場合は、貫通配線８を形成する際に、前記酸化膜を除去すればよい。
【００６６】
［第一態様の工程Ａ４］
本発明にかかる基板の製造方法としては、工程Ａ３の後に、基板１の一面１ａ側から貫通孔４の内部を検査する工程Ａ４を有していることが好ましい。
一面１ａには接着層３１及び支持層３２が配置されているので、これらを通して、支持層３２の上から切抜き３を通して貫通孔４内の状態又は開口部５の一部及び周辺を検査する。
この検査によって、エッチングの状態、貫通孔４の位置精度、又は貫通孔４の状態等について、不具合の有無を検査できる。これにより、貫通孔基板１０の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通孔基板１０を容易に選別することができる。
【００６７】
貫通孔４内を検査する具体的な方法としては、例えば他面１ｂ側から貫通孔４内に可視光を照射して、一面１ａ側から切抜き３を通過してくる前記可視光を、ＣＣＤカメラを搭載した顕微鏡等で観察する方法が挙げられる。また、別の方法としては、例えば一面１ａ側から貫通孔４内又は開口部５の一部及び周辺に可視光を照射して、切抜き３を通して開口部５周辺から反射してくる前記可視光を、ＣＣＤカメラを搭載した顕微鏡等によって、一面１ａ側から観察する方法が挙げられる。
【００６８】
［第一態様の工程Ａ５］
工程Ａ３又は工程Ａ４につづいて、貫通孔４の内部に貫通配線８を形成する〔図１５（ｄ）〕。
基板１が半導体基板である場合は、貫通配線８を形成する前に、貫通孔４の内壁を第二の絶縁層６（酸化膜）で覆う必要がある。第二の絶縁層６を形成後、導電パターン２の下面２ｐを覆う領域のみ、該第二の絶縁層６を除去する。第二の絶縁層６の形成及び除去は公知の方法が適用できる。例えば、第二の絶縁層６の形成には、ＰＥＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition）を適用できる。第二の絶縁層６の除去には、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を適用できる。貫通孔４内に導電性物質を配して貫通配線８を形成する方法としては特に制限されず、例えば公知の方法が適用できる。例えば、めっき法、スパッタ成膜法、ＣＶＤ法、溶融金属充填法、等の手法を適用できる。
【００６９】
貫通孔４の内部を検査する工程Ａ４は、第二の絶縁層６を形成した後に行ってもよい。一般的に、第二の絶縁膜６の材料はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜であり、また、その厚さも数ミクロンである。そのため、第二の絶縁膜６を通して貫通孔４の内部を検査することができる。第二の絶縁層６を形成した後であれば、導電パターン２の下面２ｐが第二の絶縁層６によって被覆された状態で工程Ａ４を行うことができる。したがって、導電パターン２の下面２ｐが長時間に渡って大気に曝されることがないため、導電パターン２の下面２ｐが酸化して劣化する不具合を防止することができる。
【００７０】
［第一態様の工程Ａ６］
本発明にかかる基板の製造方法としては、工程Ａ５の後に、基板１の一面１ａ側から貫通孔４を検査する工程Ａ６を有していることが好ましい。
一面１ａには接着層３１及び支持層３２が配置されているので、これらを通して、支持層３２の上から切抜き３を通して貫通孔４内の状態を検査する。
この検査によって、エッチングの状態、貫通孔の位置精度、貫通配線８の状態、又は貫通配線８と導電パターン２との電気的接続等について、不具合の有無を検査できる。これにより、貫通配線基板の品質を容易に把握できると共に、不具合のある貫通配線基板を容易に選別することができる。
【００７１】
貫通孔４内を検査する具体的な方法としては、例えば一面１ａ側から貫通孔４に可視光を照射して、切抜き３を通して開口部５周辺から反射してくる前記可視光を、ＣＣＤカメラを搭載した顕微鏡等によって、一面１ａ側から観察する方法が挙げられる。
この貫通孔４の検査方法は、本発明の貫通孔基板１０、貫通配線基板２０、又は電子部品３０において、一面１ａ側から切抜き３通して貫通孔４の内部を調べること方法として適用可能である。
【００７２】
＜基板の製造方法の第二態様＞
本発明にかかる基板の製造方法の第二態様は、基板１の一面１ａ側に導電パターン２として透明導電膜を配置する工程Ａ１と、導電パターン２上に透光性の支持層３２を配置する工程Ａ２と、基板１の一面１ａから他面１ｂにわたって貫通孔４を形成する工程Ａ３と、を少なくとも有し、工程Ａ３において、貫通孔４が一面１ａに開口する開口部５を導電パターン２の直下に形成すると共に、開口部の一部を支持層３２の上から観察可能なように形成するものである。
導電パターン２に透明導電膜を採用しているので、切抜き３を形成しなくとも、透明導電膜を透過する可視光線を用いて、一面１ａ側から開口部５の一部又は貫通孔４内を観察することができる。
前記透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化インジウムスズ膜）やＦＴＯ膜（フッ素ドープ酸化スズ膜）が適用可能である。工程Ａ１〜Ａ３の具体的な方法は、第一態様と同様である。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明にかかる貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、及び基板の製造方法は、受光素子を備えた電子回路等の製造に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１…基板、１ａ…基板の一面、１ｂ…基板の他面、２，２ａ，２ｂ，２ｃ…導電パターン、２ｐ…導電パターンの下面、３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ…切抜き、４…貫通孔、４ａ…貫通孔の一端、４ｂ…貫通孔の他端、５…開口部、６…第二の絶縁層、７…第一の絶縁層、８…貫通配線、１０，１０Ａ〜１０Ｈ…貫通孔基板、２０，２０Ａ，２０Ｂ…貫通配線基板、３０，３０Ａ…電子部品、３１…透光性の接着層、３２…透光性の支持層（透明基板）、３３…封止樹脂、３４…外部接続端子、３５…受光部、１００…貫通孔基板、１０１…基板、１０１ａ…基板の一面、１０１ｂ…基板の他面、１０２…導電パターン、１０４…貫通孔、１０６…第二の絶縁膜、１０７…第一の絶縁膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配された貫通孔基板であって、
前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されていることを特徴とする貫通孔基板。
【請求項２】
前記切抜きにおいて、前記開口部の縁が観察可能であることを特徴とする請求項１に記載の貫通孔基板。
【請求項３】
前記切抜きが、前記開口部の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の貫通孔基板。
【請求項４】
前記導電パターンは、前記切抜きを２つ以上有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の貫通孔基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の貫通孔基板を用いて、該貫通孔基板の貫通孔の内部に、貫通配線が形成されていることを特徴とする貫通配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の貫通配線基板から切り出された電子部品であって、
前記貫通孔が少なくとも１つ含まれることを特徴とする電子部品。
【請求項７】
基板の一面側に導電パターンを配置する工程Ａ１と、
前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程Ａ２と、
前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程Ａ３と、
を少なくとも有し、
前記工程Ａ１において、前記導電パターンに切抜きを形成し、
前記工程Ａ３において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記切抜きを通して前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ａ３の後に、
前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
前記工程Ａ３において形成した前記貫通孔の内壁及び該貫通孔の内部に露呈させた前記導電パターンの下面を絶縁層で被覆した後に、
前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする請求項８に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
前記貫通孔の内部に貫通配線を形成する工程Ａ５と、
次いで、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ６を有していることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜４に記載の貫通孔基板、請求項５に記載の貫通配線基板、又は請求項６に記載の電子部品において、前記一面側から前記切抜き通して前記貫通孔の内部を調べることを特徴とする貫通孔の検査方法。
【請求項１】
基板の一面から他面にわたって貫通孔が形成され、前記一面における前記貫通孔の開口部を覆う導電パターンが配された貫通孔基板であって、
前記導電パターンには、前記貫通孔を前記一面側から観察可能な切抜きが形成されていることを特徴とする貫通孔基板。
【請求項２】
前記切抜きにおいて、前記開口部の縁が観察可能であることを特徴とする請求項１に記載の貫通孔基板。
【請求項３】
前記切抜きが、前記開口部の直径を結ぶ線分の少なくとも両端を含むように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の貫通孔基板。
【請求項４】
前記導電パターンは、前記切抜きを２つ以上有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の貫通孔基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の貫通孔基板を用いて、該貫通孔基板の貫通孔の内部に、貫通配線が形成されていることを特徴とする貫通配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の貫通配線基板から切り出された電子部品であって、
前記貫通孔が少なくとも１つ含まれることを特徴とする電子部品。
【請求項７】
基板の一面側に導電パターンを配置する工程Ａ１と、
前記導電パターン上に透光性の支持層を配置する工程Ａ２と、
前記基板の一面から他面にわたって貫通孔を形成する工程Ａ３と、
を少なくとも有し、
前記工程Ａ１において、前記導電パターンに切抜きを形成し、
前記工程Ａ３において、前記貫通孔が前記一面に開口する開口部を前記導電パターンの直下に形成すると共に、前記切抜きを通して前記開口部の一部を前記支持層の上から観察可能なように形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ａ３の後に、
前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
前記工程Ａ３において形成した前記貫通孔の内壁及び該貫通孔の内部に露呈させた前記導電パターンの下面を絶縁層で被覆した後に、
前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ４を有していることを特徴とする請求項８に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
前記貫通孔の内部に貫通配線を形成する工程Ａ５と、
次いで、前記基板の一面側から前記貫通孔の内部を検査する工程Ａ６を有していることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜４に記載の貫通孔基板、請求項５に記載の貫通配線基板、又は請求項６に記載の電子部品において、前記一面側から前記切抜き通して前記貫通孔の内部を調べることを特徴とする貫通孔の検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−１８６２８５（Ｐ２０１２−１８６２８５Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４７７８９（Ｐ２０１１−４７７８９）
【出願日】平成２３年３月４日（２０１１．３．４）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月４日（２０１１．３．４）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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