【課題】 非破壊検査の効率を向上する。
【解決手段】 従来の被検査体上で光スポットを２次元的に走査する方法の替わりに、被検査体上で光ラインをＸ方向およびＹ方向に１回ずつ走査することにより、２つの１次元像を取得し、取得した２つの１次元像から演算により２次元像を再構築する。これにより、被検査体と光ラインの相対走査が、第１および第２の１次元像を得るための２度の走査で済むため、走査時間が従来に比べ大幅に短縮される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程でのワレの発生と相関性の高い欠陥を検出することを可能とし、非破壊で検査が可能であるウエーハのワレ検査装置およびワレ検査方法を提供する。
【解決手段】ウエーハのワレ検査装置であって、少なくとも、ウエーハに入射し、透過する光の偏光成分を検出する偏光変位量測定装置を具備し、該偏光変位量測定装置が、前記ウエーハのＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度を測定し、偏光変位量を算出して、該偏光変位量からウエーハにワレが発生するか否かを判定するウエーハのワレ検査装置。 （もっと読む）

【課題】 高速に基板の中心位置を算出することができる安価なアライメント装置および外観検査装置を提供する。
【解決手段】 投光部２２ａおよび２２ｂは基板の周縁部に光を照射する。受光部２３ａおよび２３ｂは、投光部２２ａおよび２２ｂのそれぞれから照射された光を検出する。記憶部４２は、受光部２３ａおよび２３ｂによる検出の結果と基板の位置とが対応付けられた対応情報を記憶する。アライメント制御部４１は、対応情報を用いて基板の中心位置を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＦＴ−ＩＲ法によるシリコン結晶中の炭素濃度の測定において、カーボン赤外吸収ピーク近傍のベースラインを水平化し、簡便に特定することができ、低濃度であっても、より正確に測定することができるシリコン結晶中の炭素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】被測定シリコン結晶が、ｎ型であり、抵抗率が１．５Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、０．５Ωｃｍ以上１．０Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、また、前記被測定シリコン結晶が、ｐ型であり、抵抗率が２０Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．５Ωｃｍ以上２０Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、エッチング面の反射率が３５％以上４５％以下となるように、サンプルの表面形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】赤外多重内部反射法による基板の表面状態の測定において、表面に物質が付着している物質を確実に検出することができ、簡便に表面状態を測定しうる表面状態測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１４に赤外線を入射する入射光学系１８と、ウェハ１４内部で多重反射した後にウェハ１４より放出される赤外線を検出し、検出された赤外線に基づきウェハ１４の表面の状態を測定する赤外線分析装置２０とを有し、赤外線分析装置２０は、ウェハ１４の内部で多重反射する回数の異なる第１の赤外線と第２の赤外線とをそれぞれ検出し、赤外線分析装置２０は、第１の赤外線及び第２の赤外線の検出結果に基づき、ウェハ１４上に付着した化学物質の種類を同定し、化学物質の付着量を定量化する。 （もっと読む）

【課題】 パルス光により励起された半導体に照射した電磁波の反射波若しくは透過波である測定波に基づいて半導体のキャリア寿命測定を行う場合に，励起キャリアのライフタイムが短い半導体を測定する際にも，測定時間の増大や高コスト化をもたらすことなく高精度で測定できること。
【解決手段】 測定波からその強度に応じた電流信号を生成するマイクロ波検出器８と，その生成信号から測定波の強度変化を表す電流信号を生成するＣＲ回路９と，その生成信号の電流値に応じた量の電荷をコンデンサ１０ｂに蓄積することにより，そのコンデンサ１０ｂにより生じる電圧信号（ＣＲ回路９の生成信号の積分信号）を生成し，半導体２における励起キャリアの寿命測定用信号として出力する電荷増幅回路１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 分解能の高いシリコンウエハの観察装置を提供する。
【解決手段】 ハロゲンランプからなる光源１からの光は、レンズ２によってコリメートされ、赤外線カット用フィルタ３、バンドパスフィルタ４を通って、レンズ５により平行光束となり、ハーフミラー６で反射される。反射された照明光は、対物レンズ７により、シリコンウエハ８上に集光され、シリコンウエハ８の被観察面を落射照明する。シリコンウエハ８の下面には回路パターンが形成されており、シリコンウエハ８を透過して照明された回路パターンからの反射光は、再びシリコンウエハ８を透過し、対物レンズ７を通ってハーフミラー６を透過し、結像レンズ９により、撮像装置であるＣＣＤカメラ１０の撮像面に結像する。このようにして、回路パターンの像が観察される。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶中の不純物窒素濃度を高精度に求めるためのシリコン結晶内窒素濃度評価用係数の決定方法を提供する。
【解決手段】 窒素濃度の異なる複数のシリコン結晶を準備する。シリコン結晶の各々を、第１の温度まで加熱して、結晶内欠陥反応を準熱平衡状態まで至らしめ、シリコン結晶の各々について、準熱平衡状態における結晶内欠陥濃度を維持した状態で赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペアに起因する第１の吸収ピーク強度及びＮＮＯ複合体に起因する第２の吸収ピーク強度を求める。シリコン結晶の各々について、第１のピーク強度から求められた吸収係数に第１の換算係数を乗ずることによって、ＮＮペアの密度を求める。それぞれの窒素濃度から、ＮＮペアの密度を滅ずることにより、ＮＮＯ複合体の密度を求める。複数のシリコン結晶の第２の吸収ピーク強度から求められた吸収係数とＮＮＯ複合体の密度とから、両者の関係を求める。 （もっと読む）

【課題】 赤外線を照射して、その透過光を観測することによって被検体の異常部分を検出する場合において、特に被検体の端部において適切に微少な異常部分を検出できる赤外検査装置を提供する。
【解決手段】 赤外検査装置は、被検体に赤外線を照射する赤外光源と、前記被検体を透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、前記赤外線レンズにより集光された赤外線を受光して電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、前記赤外線カメラから出力する電気信号を入力して画像信号に変換し、前記画像信号に基づいて画像を表示するモニタと、前記赤外光源と前記被検体の外周部との光路上、又は、前記被検体の外周部と前記赤外線レンズとの光路上のうち少なくとも一方の光路上に設けられ、前記赤外光源からの赤外線が前記被検体を透過することなく前記赤外線レンズに達することを妨げる赤外線漏洩防止部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複数の誘電関数を求める場合であっても、ノイズ成分の少ない正確な誘電関数を求め、それによりシリコン酸化膜の膜質を評価することができる評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の膜質を評価するシリコン酸化膜の評価方法において、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜を、膜厚をコントロールしながら複数回に分けてエッチングする複数のエッチング工程と、複数のエッチング工程の間に、シリコン酸化膜の反射率又は透過率を測定する複数の測定工程と、複数の測定工程により測定された複数の反射率又は透過率に基づいて、複数のエッチング工程後におけるシリコン酸化膜の複数の誘電関数を演算する演算工程とを有し、複数の誘電関数に基づいて前記シリコン酸化膜の膜質を評価する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶中の不純物窒素濃度を高精度に測定することが可能な窒素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】 ＮＮＯ_２複合体に対応する吸収ピークが消滅する条件で、シリコン結晶を準熱平衡状態に至るまで加熱する（第１の工程）。シリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルから、ＮＮペアに対応する第１の吸収ピークの強度及びＮＮＯ複合体に対応する第２の吸収ピークの強度を求める。第１の工程の加熱温度より高い温度で加熟し、シリコン結晶を準熱平衡状態に至らしめる（第２の工程）。シリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルから、ＮＮペアに対応する第３の吸収ピークの強度及びＮＮＯ複合体に対応する第４の吸収ピークの強度を求める。第１乃至第４の吸収ピークの強度に基づき、ＮＮペア及びＮＮＯ複合体の密度を算出する。ＮＮペア及びＮＮＯ複合体の密度に基づき、シリコン結晶中の窒素濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】 赤外線の照射により被検体の異物部分・異常部分を検出する赤外検査装置において、適切に微小な異物部分・異常部分を検出できるようにする。
【解決手段】 本発明に係る赤外検査装置は、被検体に赤外線を照射する赤外光源と、被検体を透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、前記赤外線レンズにより集光された赤外線を電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、前記赤外線カメラの出力する電気信号を入力して画像信号に変換し画像信号に基づいて画像を表示するモニタとを備える赤外検査装置であって、被検体の温度を設定温度の近傍に保つ冷却装置を更に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明はシリコン半導体基板の水素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できず、モニターした以上の元素が半導体基板中に注入されてしまう。
【解決手段】 ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。次に水素イオンが注入された後のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求め、前記で求めた水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形との差を求めることで半導体基板に注入された水素イオン量を正確に測定できる。 （もっと読む）

【課題】
特にＣＭＰ後の膜厚管理として、チップ内の様々な部分での膜厚計測実現のニーズが高まっているが、４５ｎｍノード以降ではデバイスパターンが非常に微細となったとしても、パターン上での膜厚計測を容易に可能にした。
【解決手段】
可視光を用いて光学的に膜厚を求める場合、４５ｎｍノード以降では対象パターンが検出波長の１０分の１程度の大きさとなり解像度以下となるため、被計測対象を均一な層構造と仮定することができ、仮定したモデルを用いることにより短時間での膜厚計測を実現することができる。また、被計測対象のパターンの大きさによって、膜厚計測アルゴリズムを選択する。 （もっと読む）

【課題】 多孔質材料を特徴づける方法とシステムを提供することである。
【解決手段】 多孔質材料上の処理の有効性を診断するための方法とシステムである。たとえば、多孔質材料は、多孔質低誘電率材料を含むことができる。特に、方法は、材料の多孔率を特徴づけるためにＦＴＩＲスペクトロスコピーを利用することができ、材料の孔をシーリングする有効性を評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＡＴＲ−ＦＴＩＲ測定でシリコン基板表面の微妙な変化を検出可能とする基板表面の評価方法を提供する。
【解決手段】 基板表面から得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、この基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによって基板表面の化学結合状態の微妙な変化の検出や、定量評価を可能にする。 （もっと読む）

ウェハ（４０２）の複数の層の間のオーバーレイ誤差の測定および補正を促進するシステムが開示されている。本システムは、ウェハ（４０２）の３つ以上の層間のオーバーレイを表すオーバーレイターゲット（４０６）と、オーバーレイターゲット（４０６）に存在するオーバーレイ誤差を決定し、その結果、ウェハ（４０２）の３つ以上の層の間のオーバーレイ誤差を決定する測定コンポーネント（４０８）とを含む。隣接する層の間、および、隣接しない層の間のオーバーレイ誤差を補正するために、制御コンポーネント（４１０）が提供されてよく、この補正は少なくとも一部が測定コンポーネント（４０８）が取得した測定値に基づく。
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パターン化と非パターン化ウェハの検査システムを提供する。１つのシステムは、検体を照明するように構成された照明システムを含む。システムは、検体から散乱された光を集光するように構成された集光器をも含む。加えて、システムは、光の異なる部分に関する方位と極角情報が保存されるように、光の異なる部分を個別に検出するように構成されたセグメント化された検出器を含む。検出器は、光の異なる部分を表す信号を生成するように構成されていてもよい。システムは、信号から検体上の欠陥を検出するように構成されたプロセッサを含むこともできる。他の実施形態におけるシステムは、検体を回転・並進させるように構成されたステージを含むことができる。１つの当該実施形態におけるシステムは、検体の回転および並進時に、広い走査パスで検体を走査するように構成された照明システムを含むこともできる。
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