【課題】 シリコンウエーハの表面及び内部の欠陥を透過光により検査する際に撮像手段としてエリアセンサカメラを用いると、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、均一な撮像条件でかつ高速に撮像することができない。また、電気抵抗率が低いシリコンウエーハでは、赤外光照明の光がほとんど透過せず透過検査が困難である。
【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現し、照明手段をウエーハの電気抵抗率に対応して照度を変更可能に構成することにより、低抵抗ウエーハに対しても透過検査を可能にしている。 （もっと読む）

【課題】多くの基準となる板状部材の膜厚とパラメータとの関係を用いなくても広い範囲の膜厚測定が可能となる膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供することである。
【解決手段】板状部材に含まれる膜層の厚さを測定する膜厚測定方法及び装置であって、前記板状部材の面に対して透過可能な検査光を、その波長を所定範囲にわたって変化させつつ照射し、照射される各波長の検査光が前記板状部材を透過して出てくる透過光の強度を検出し、前記検査光の各波長とその透過光の強度との関係を表す特性曲線における極大点及び極小点に基づいて注目波長を決定し、前記決定された注目波長から前記膜層の厚さを算出するようにした膜厚測定方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】ステージ上に安定して試料を搭載でき、かつ解析視野を移動させることが可能な故障解析技術を提供する。
【解決手段】ステージ１１上に解析用プレート２を介して試料１を載置する。解析用プレート２の主面２ｂには凹部２ｃが設けられており、その凹部２ｃの底面２ｃａには固浸レンズとして機能する凸部２ｄが設けられている。そして、凸部２ｄは解析用プレート２の主面２ｂよりも突出していない。試料１とは別に、固浸レンズを有する解析用プレート２を備えているため、解析視野を移動させることができる。更に、凸部２ｄが解析用プレート２の主面２ｂよりも突出していないため、解析用プレート２を間に挟んで試料１をステージ１１上に安定して搭載できる。 （もっと読む）

【課題】
多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。
【解決手段】
半導体の深さ方向の結晶化率の分布を複数の異なる結晶化率の層からなる構造と見なして、実際に測定した反射率スペクトラムと同一のスペクトラムを有する計算によって求めた反射率スペクトラムに対応する複数の結晶化率の積層構造を特定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを支持する光透過部材が撓むのを抑制することができ、更には、ウェハに何らかの外圧が作用しても、ウェハが撓むのを抑制することができるウェハ支持装置及びウェハ観察装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ支持装置５延いては観察装置１では、ベース７の開口６に臨む倒立型顕微鏡２の対物レンズ３に対して、ウェハホルダ１１の開口１２に嵌められた光透過部材１４に臨むウェハＷの位置合せが行われた後、固定機構３１によってベース７に対してウェハホルダ１１が固定される。このとき、光透過部材１４の上面とウェハＷの裏面とが面接触していると共に、ベース板９の上面と光透過部材１４の下面とが面接触しており、しかも、ベース７の開口６がウェハホルダ１１の開口１２より狭くなっている。これにより、光透過部材１４の撓み、及びウェハＷの撓みを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの厚さ、平面度、ウェーハに設けたトレンチ深さを精密に測定できるようにする。
【解決手段】ウェーハの厚さ及び平面度とウェーハにエッチングされたトレンチの深さを測定する方法と装置である。測定に当たり、トレンチをウェーハ背面から見ることによりトレンチを事実上突出部として測定する。測定は非接触式光学器械によりウェーハの前面と背面とで行われ、該非接触式光学器械がウェーハ前面及び背面の波長を同時測定し、波長間の距離は厚さの測定値に変換される。シリコン・ウェーハの厚さ及びトレンチ深さの測定には、光源として近赤外ビームを用いる。厚さ、平面度、局所形状は、１対の光学針を用いた較正法によっても測定できる。 （もっと読む）

【課題】ハードディスク装置に用いられる磁気ディスク、及び半導体製造に用いられるシリコン基板において、従来では検出できなかった微小な欠陥をも高い感度で欠陥を検出する方法を提供すること。
【解決手段】現行光学系以上に微細な結果を検出可能とするために、以下の手段を備えたシステムとして構成されるようにしたものである。
(1)レーザ及び照明光学系。
(2)プラズモン増強用ヘッド及びヘッドを基板面から浮上させるための位置制御機構。
(3)散乱光の検出光学系及び光検出器。
(4)検出光学系を微調するためのZ微動機構。
(5)基板ホルダと走査用ステージ。
(6)上記検査に先立って大異物を検出しておく前検査系。 （もっと読む）

【課題】効率的で確実にダイシングにより個片化したウェハに生じたクラックを検出可能なウェハの検査方法及びこれに用いるウェハのクラック検査装置を提供する。
【解決手段】ダイシングにより個片化したウェハの検査方法であって、主面２ａ側を封止する樹脂層７が形成されたウェハ２の裏面２ｃ側から、光軸をウェハ２の主面２ａに交差させて赤外光線Ｔを照射し、その反射光を受光しつつ撮像することによりウェハ２内部に発生したクラックＳを検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部の欠陥部をより高い精度で検出する。
【解決手段】レーザ発生装置１０は、半導体装置１５の基板を構成するシリコン等の半導体材料を透過可能なパルス状のレーザ光を発生して検査対象となる半導体装置１５に対して照射する。検出器２０は、レーザ光の照射によって半導体装置１５が発生する（遠）赤外線を検出する。信号処理装置３０は、検出器２０の出力信号の大きさからレーザ光の照射に伴う半導体装置１５の発熱状態を抽出する。ここでレーザ発生装置１０と検出器２０とは、検査対象となる半導体装置１５を挟んで対向して位置する透過型の検査装置を構成する。また、半導体装置１５内部の３次元的な所定の領域内においてレーザ光の照射位置が走査可能となるように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出にあたり、あらゆる種類の半導体材料に適用可能であり、空隙を有する半導体ウェハを早期に分別可能にする。
【解決手段】厚さ１ｃｍ〜１００ｃｍのインゴットブロック１における平坦面６が、流体状結合媒体３を介して結合された超音波ヘッド２により走査される。超音波ヘッド２は各測定点ｘ，ｙごとに、インゴットブロック１の平坦面６に向けて超音波パルス８を発生し、インゴットブロック１から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_p，ｙ_p，ｚ_pが求められる。 （もっと読む）

【課題】被検査物の傷、異物混入、クラックなどの不具合に関する検査を精度よく自動検査することができる画像検査方法およびその方法を用いた検査装置を提供する。
【解決手段】透過画像を得る第１ステップと、前記透過画像に２次微分フィルタを適用し、２次微分フィルタ画像として輝度変化の大きい部分を強調させる第２ステップと、前記２次微分フィルタ画像を所定のしきい値で２値化し、記憶させる第３ステップと、前記透過画像を別の所定のしきい値で２値化し、記憶させる第４ステップと、前記第３ステップで記憶された２値化した画像及び前記第４ステップで記憶された２値化した画像に対して２値特徴量計測を行う第５ステップと、前記２値特徴量から、被検査物２の良否判定を行う第６ステップとを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】試料の表面及び裏面に存在する欠陥を同時に検出することが可能な外観検査装置及び外観検査方法を提供する。
【解決手段】試料２の外面に現れる欠陥を検出する外観検査装置１を、試料２の表面及び裏面のうちの一方の面で反射した反射光学像に現れる第１の欠陥群と試料２を透過した透過光学像に現れる第２の欠陥群とを検出する欠陥検出部（２０ａ、２０ｂ）と、第１の欠陥群と第２の欠陥群とを比較して表面及び裏面のうちの他方の面に現れる欠陥を検出する欠陥比較部（２５）と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶性を試料を破壊することなく評価することができ、また、非前記薄膜を形成させるための製造ラインで、形成された薄膜をオンラインで迅速に評価できるような半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の所定の領域にキャリア励起光を照射する励起光照射手段と、赤外光を集光した状態で前記領域内に照射する赤外光集光照射手段と、シリコン半導体薄膜において反射された反射光の強度を検出する反射光強度検出手段と、前記検出した信号から結晶性を評価するためのデータを作成するデータ作成手段とを備えることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づきＢＭＤ密度を算出することにより、簡便な方法で正確にＢＭＤ密度を評価できるシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）密度評価方法であって、Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係を決定するステップと、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ）法によりシリコンウェーハのＦｅ以外の再結合中心密度を測定するステップと、測定されたＦｅ以外の再結合中心密度と、あらかじめ決定されたＦｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づき、シリコンウェーハのＢＭＤ密度を算出するステップを有することを特徴とするシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法。 （もっと読む）

【課題】微細なボイドとパーティクルを識別可能なシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに赤外線を照射し、透過赤外線を撮像して得られる画像から結晶欠陥を検査する。低倍率検査ステップＳ１は、低倍率の対物レンズ１４ａを用いて、シリコンウェーハの一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する。位置確認ステップＳ３は、低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する。高倍率検査ステップＳ４では、高倍率の対物レンズ１４ｂを用いて、記憶された結晶欠陥の位置を視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、視野領域の高倍率検査画像を取得する。判定ステップＳ５は、高倍率検査画像に基づいて結晶欠陥の形状を求め、円形か円形以外の不定形状かで結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの不良原因を精度よく推定する。
【解決手段】複数の半導体チップが形成された半導体ウェハの不良原因を解析する方法であって、半導体ウェハ上に形成された複数のテストパターンに電流を流して、２次元輝度画像を取得するステップ（Ｓ１００）と、２次元輝度画像に基づき、テストパターン毎にレベル付けを行うステップ（Ｓ１０４）と、各レベルに対応付けられたテストパターンの数量に応じて、当該半導体ウェハの不良原因が配線形成不良およびビア形成不良のいずれであるかを判断するステップ（Ｓ１１０〜Ｓ１１４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反りに起因した検査時のウェーハの損傷等を防止する。
【解決手段】検査前にエッジグリップ方式で搬送されるウェーハの反り量をその縁部が支持台によって支持された状態で測定し（ステップＳ２）、その反り量をしきい値と比較して（ステップＳ３）、しきい値未満である場合に、さらにそのウェーハの縁部を把持して搬送し、検査を行うようにした（ステップＳ４）。検査前の反り量が一定の条件を満たすウェーハのみを検査に進めることができるため、エッジクリップ方式を採用する検査工程において、検査直前のウェーハの落下や検査装置側との干渉によるウェーハの損傷を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 検査途中における平行度調整を容易にすることにある。
【解決手段】 プロービング装置１０は、受け台２０に受けた被検査体１２をこれと平行の面内の互いに交差するＸ方向及びＹ方向並びに該両方向に交差するＺ方向の少なくとも３方向に移動させる検査ステージ２２と、プローブの針先４４ａが検査ステージ２２の側に向くように検査ステージ２２からＺ方向に間隔をおいて支持されたプローブカード３０と、検査ステージ２２に受けられた被検査体１２と前記プローブカード３０との平行度の調整のためにプローブカード３０と検査ステージ２２とを相対的に変位させる変位機構２８と、検査ステージ２２及びプローブカード３０のいずれか一方にＸ方向及びＹ方向に間隔をおいて配置された複数の測定器７０と、各測定器７０により測定された間隔を記憶する制御部５２とを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉウエハの品質低下や特性劣化を伴うことなく、２００℃以下の低温条件下においても、Ｓｉウエハの表面温度を正確に測定することができるＳｉウエハの温度測定方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉウエハ１の加工表面１ａの反対側の面１ｂに、ＳｉＯまたはＳｉＯ₂ からなる酸化膜２を０．３μｍ以上、好ましくは１．０〜２．０μｍの範囲の厚さに形成し、その酸化膜２から放射される赤外光のうち、波長範囲が９〜１０μｍの放射赤外光を赤外線放射温度計３に入射させることにより、その赤外光の放射エネルギー量からＳｉウエハ１の加工表面温度を測定する。
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【課題】 厚さの薄いＳｉウエハが測定対象であっても、低温下においてそのＳｉウエハの温度を正確に測定することができるＳｉウエハの温度測定方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉウエハ１の肉厚内で該ウエハ１の主として径方向に沿ってから放射される赤外光のうち、中心波長が９〜１０μｍ、波長範囲が８〜１６μｍの放射赤外光を、Ｓｉウエハ１の端部に該Ｓｉウエハ１の表面に対してほぼ４５°に傾斜するように形成された斜面１ｅで全反射させて略垂直方向へ導いて赤外線放射温度計２に入射させることにより、その赤外光の放射エネルギー量からＳｉウエハ１の温度を算出する。
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