【課題】ピンホール検査の検査精度を維持するために行う画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハにおいて、表面にハードレーザーマークを施すことで、効率的に校正を行うことができる校正用サンプルウエーハを提供する。
【解決手段】シリコンウエーハのピンホール欠陥を画像処理により検査する画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハであって、校正用サンプルウエーハの表面にハードレーザーマークが施されたものであることを特徴とする画像検査装置の校正用サンプルウエーハである。 （もっと読む）

【課題】 撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。
【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現する。また、ウエーハの比抵抗の値を取得する手段を設けることにより、取得した比抵抗の値に応じた照明手段の照度に設定することにより欠陥の撮像に適切な照明を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚をより高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】モデル化部７２１Ａは、フィッティング部７２２Ａからのパラメータ更新指令に従って第１層の膜厚ｄ_１を順次更新し、この更新後の第１層の膜厚ｄ_１に従って理論反射率を示す関数を更新する。さらに、モデル化部７２１Ａは、更新後の関数に従って、各波長における理論反射率（スペクトル）を繰返し算出する。このような手順によって、第１層の膜厚ｄ_１がフィッティングによって決定される。フィッティングが規定回数以内に収束しなかった場合には、フーリエ変換を用いて、第１層の膜厚ｄ_１が決定される。 （もっと読む）

【課題】大規模なコンタクトチェーン又は大規模な配線パターンにおける複数のテスト素子の電気測定を行う際により少ない測定用電極パッドでより短時間に断線箇所の特定を行う。
【解決手段】半導体装置では、第ｎ（ｎ≧１）段目の被測定回路のそれぞれには互いに並列に接続された第（ｎ＋１）段目の被測定回路が接続されており、第１段目の被測定回路には測定用電極パッド１０１が接続されており、最後段の被測定回路には測定用電極パッド１０２が接続されている。何れかの被測定回路で断線が発生した場合、断線が発生する被測定回路が異なれば測定用電極パッド１０１と測定用電極パッド１０２との間の総抵抗値が相異なるように、各被測定回路の抵抗値は設定されている。 （もっと読む）

【課題】短時間で故障箇所の特定を行える半導体装置の検査方法及び半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の被観測領域に対してレーザ光を走査しながら複数箇所に局所的に照射し、同時に半導体装置を試験動作させ、この試験結果とレーザ光の照射位置とを対応付けて二次元画像化した良否判定像を生成して故障箇所を特定する半導体装置の検査方法であって、一画面あたりに許容された最大画素数で良否判定像を生成した場合に対して、レーザ光走査範囲は同じとしたまま照射点数は減らし且つ照射点間隔を広げて、レーザ光照射を行う。 （もっと読む）

【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】赤外反射法を用いて、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。 （もっと読む）

【課題】配線ルールやレイアウトなどのスペックが決まった時点でパッド電極下にどのようなクラックが発生しても検出可能なボンディング条件出し専用のＴＥＧチップを提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された絶縁膜１３に埋め込まれた少なくとも一層の金属層からなる金属配線と、絶縁膜１３表面に形成された少なくとも２つの電気特評価用パッド電極２と、絶縁膜表面上に形成された少なくとも１つのボンディング評価用パッド電極３とを具備している。金属配線は、前記絶縁膜を介して対向する１対の櫛歯状金属層９、１０、１１が間隔をおいて積層されるように配置され、これら積層された１対の金属層は前記ボンディング評価用パッド電極３下に配置する。１対の電気特性評価用パッド電極２間に電圧を印加して前記ボンディング評価用パッド電極下３の電気特性を測定し評価する。 （もっと読む）

【課題】光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタを提供する。
【解決手段】メモリに形成されたテスト端子と連結される複数のニードル、ニードルと連結された複数の第１端子、外部に連結され、第１端子と対応する複数の第２端子、第１端子及び第２端子を連結する光学伝送手段を具備するプローブカードである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極を形成していない非電極面に電圧を印加する場合であっても、非電極面へ照射される赤外線、又は非電極面から放射される赤外線を用いて、半導体装置の欠陥部位を容易に判別できる半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置を提供すること。
【解決手段】赤外線を用いて半導体装置１０の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、半導体装置１０の電極を形成していない非電極面１０ａに透明電極２１ｂを当接する工程と、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに電圧を印加すると共に、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに赤外線のスポット光３１を照射する工程と、赤外線のスポット光３１で半導体装置１０の非電極面１０ａを走査して、半導体装置１０の電流変化ΔＩを測定し、半導体装置１０の欠陥部位を判別する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ光学検査システムのプロセス監視能力改良方法の提供。
【解決手段】サンプルオブジェクトの表面を特徴化するための方法であって、パラメータ変動によって特徴化される画素に表面を分割するステップと、表面のブロックを画素のそれぞれのグループとして定義するステップとを含んでいる。さらに異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射２２によって表面の複数の走査の際に画素を照射するステップと、走査の各々に応答して画素からのはね返り放射を検出する４８，５０，６６ステップとを含んでいる。走査ごとに、ブロックのそれぞれのブロック署名が、各ブロックにおける画素グループからの該はね返り放射に応答して構築される。また、走査ごとに、ブロックのそれぞれのブロック署名を使用してブロック署名変動が判断される。ブロック署名変動に応答して、テストオブジェクトの次の調査に使用するために偏向タイプのうちの１つ以上が選択される。 （もっと読む）

【課題】設計データ領域での検査データに位置を決めるための様々な方法と装置を提供する。
【解決手段】一つのコンピューター実施の方法はウエハーの画像化により得られる位置合わせ標的の画像を用いてウエハー上に形成される位置合わせ標的の図心を決める工程を含む。その方法はまたその図心をその位置合わせ標的を表わす幾何学的形状の図心と位置合わせすることを含む。さらに、その方法は位置合わせ標的の図心の設計データ領域での位置を設計データ領域での幾何学的形状の図心の位置として割り当てる工程を含む。その方法はさらに位置合わせ標的の図心の設計データ領域での位置に基づいて設計データ領域でのウエハーについて得られる設計データの位置を決める工程を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。
【解決手段】励起光レーザ３と、赤外光レーザ４と、赤外光の波長よりも小さな直径の小孔６ａを有し、当該小孔６ａの一方の開口に照射された赤外光を、当該孔６ａの他方の開口から滲み出る近接場光Ｌ１としてシリコン半導体薄膜２ｂに照射することが可能な金属膜６と、赤外光レーザ４から放射された赤外光のうち孔６ａの他方の開口の手前側で反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器２３と、前記検出信号に基づいて薄膜２ｂの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光透過性を有する基材の厚み寸法のバラつきに伴い結晶性評価精度が悪化するのを抑制することができる半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体薄膜の所定の照射領域にキャリア励起光を照射する励起レーザ１と、赤外光を放射する半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に対し強度変調された電流を供給することにより、当該半導体レーザ１０に波長の異なる複数種の赤外光を照射させることが可能な高周波パルス電源１８と、シリコン半導体薄膜５ａ又は基材５ｂにおいて反射された反射光であって、前記複数種の赤外光のうちの少なくとも２種の赤外光を含む反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器１３と、前記検出信号に基づいて前記シリコン半導体薄膜５ａの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置９とを備えている。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、半導体基板の欠陥を検出するための方法であって、半導体基板を提供し、基板の検査画像Iを作成し、画像処理により画像Iから画像Kを作成し、画像Kを二値化することで画像Bを作成し、画像Bを使って画像Iを調べる工程を有し、画像Kを作成する工程は、画像Iにハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一のウエイト画像W1とを乗算することを含む、検出方法に関する。本発明は、またこの方法を応用するのに適した装置にも関する。 （もっと読む）

【課題】先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】赤外散乱トモグラフィー法による結晶欠陥の検出方法において、測定に用いるシリコン単結晶ウェーハと、該シリコン単結晶ウェーハとは別のシリコン単結晶ウェーハを準備し、該２枚のシリコン単結晶ウェーハを重ね合わせ、該重ね合わせた２枚のシリコン単結晶ウェーハの間に、シリコン単結晶ウェーハの屈折率と同等の屈折率の液体を介在させ、前記赤外線レーザービームは前記測定用のウェーハとは別に準備した前記シリコン単結晶ウェーハの重ね合わせた面とは反対の面より入射させることによって測定用のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度調整を局所的に行うことにより、試料ドリフトを抑制することができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体試料１１８を保持する試料ステージ１０９と、半導体試料１１８上の半導体素子の電気特性測定に用いる複数のプローブ１０６と、プローブ１０６に前記プローブに電圧及び／又は電流を印加する電源と、前記プローブが接触した前記試料上の半導体素子の電気特性を測定する検出器と、半導体試料１１８の測定対象箇所に電磁波を照射する電磁波照射機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの故障を解析する際に、外部との端子接続を不要とし、サブミクロンの空間分解能で電流経路と欠陥の可視化を可能にすること。
【解決手段】ＬＳＩチップ１を光電流発生用レーザビーム２で固定照射する工程と、ＬＳＩチップ１の被観測領域を加熱用レーザビーム３で走査して照射する工程と、光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射によりＬＳＩチップ１で発生した電流変化をＳＱＵＩＤ磁束計４で検出する工程と、ＳＱＵＩＤ磁束計４で検出された電流変化に基づいてＬＳＩチップ１の故障を解析する工程と、を含む。光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射は、ＬＳＩチップ１の裏面側から行い、ＳＱＵＩＤ磁束計４による検出は、ＬＳＩチップ１の表面側で行う。ＬＳＩチップ１の故障の解析では、ＳＱＵＩＤ磁束計４から出力された信号を走査点に対応させる画像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】観察窓の大きさを大きくしても、ウェハの周縁形状を正確に測定できるウェハ方向検出装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１０を支持して回転駆動するウェハ回転手段３０と、ウェハの周縁形状を検出するウェハ周縁検出手段４０と、略箱形状で光線を遮断する素材で構成された遮光手段５０を備えるウェハ方向検出装置２０において、ウェハ周縁検出手段は、互いに向かい合いかつ互いの間にウェハの周縁が存するように配置される投光部４１および受光部４３、ウェハと受光部の間に介在される受光フィルタ４２、テーブル駆動部と投光部を制御する制御部４４を有し、受光フィルタは、投光部が投光する検出光線の波長の範囲の少なくとも一部の範囲を含む第１の範囲の波長の光線のみを透過し、遮光手段は、第１の範囲の波長の光線は遮断するが可視光線の少なくとも一部の範囲を透過する観察窓５１を有し、受光部は、受光フィルタが透過した光線のみを受光する。 （もっと読む）

【課題】作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率を向上させることのできる膜質評価方法および膜質評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜シリコン系デバイスに用いる結晶質シリコン膜に光を照射し、結晶質シリコン膜で反射された反射光を検出し、検出した反射光の輝度に係るパラメータを計測し、該輝度に係るパラメータが予め設定されている適正範囲内であるか否かに応じて、該結晶質シリコン膜の膜質評価を行う。 （もっと読む）