【課題】本発明は基板の内部欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
まず基板の側面に、少なくとも光源を提供する。光源は、側面に向かって基板を透過する光線を発する。さらに基板の上表面のイメージを取得するイメージセンサモジュールを提供する。光線が側面に相対する入射角度は、光線が基板内で全反射によって伝達される第１所定角度内に制限する。これにより、光線が基板内を伝わり内部欠陥に遭遇した場合、欠陥部分に明点が形成され、イメージセンサモジュールがこの欠陥の位置を検出する。この種の方法は、内部欠陥の好適なイメージ解像度を確実に向上させる。このほか、本発明はさらに、上述の基板の内部欠陥検査方法に基づいた、基板の内部欠陥検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体加熱装置において、赤外放射温度計が、半導体加熱装置によって加熱されるウエハの温度をより正確に測定できる温度測定用ウエハ及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】半導体加熱装置１において、物体から放射される赤外線の強度を測定して温度を測定する赤外放射温度計４０を用いて、炭化珪素からなる基板２０ａと、基板２０ａの表面に形成された反射防止膜２０ｂとからなり、反射防止膜２０ｂは、炭化珪素からなり、反射防止膜２０ｂの表面粗さは、Ｒａ０．８μｍ以上である温度測定用ウエハ２０の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のＬＯフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射してＬＯフォノンバンド波数を測定し、前記複数の試料のそれぞれについてＸ線回折の成長表面に垂直な方向の歪により半導体化合物結晶層の残留応力を測定し、ＡＦＭ像を用いて前記複数の試料のそれぞれの半導体化合物結晶層の結晶性を評価し、前記評価において結晶性が良好と判断された前記試料のうち前記ＬＯフォノンバンド波数が最も低いものを基準値とし、評価対象の化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射して得られたＬＯフォノンバンド波数が前記基準値超の場合に、評価対象の化合物半導体結晶層が良好な結晶性に達していると判断することを特徴とする化合物半導体結晶層の結晶性評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハー、特にそのエッジ部に生じたクラック等の欠陥を高速度でかつ確実に検出できるシリコンウエハー検査装置を提供する。
【解決手段】一対のコンベヤベルト２、３を前後に間隔４をあけて配置し、その間隔のエリアを挟んでラインセンサカメラ８および光源５を上下に対向配置し、一対のコンベヤベルトによってシリコンウエハーを順次搬送しながら、ラインセンサカメラによってシリコンウエハーの透視像を取り込み、その透視像に基づいて欠陥を検出する。ラインセンサカメラおよび光源の少なくとも一方の直前にシリコンウエハーと同じ材質のフィルター７を配置し、光源からラインセンサカメラに直接照射される光をシリコンウエハーからの透過光と同じ波長帯に制限する。 （もっと読む）

【課題】マクロ検査ツールの適用性を広げ、高スループットで半導体ウェハからより詳細な検査情報を得る。
【解決手段】ウェハ検査方法は、ウェハ上に繰り返し配列されている個々の微細構造を解像するには不十分な結像解像度でウェハの全表面を結像させるステップを含む。本発明によれば、微細構造のフィーチャの特性は、微細構造を結像において直接解像することができないとしても、被選択検出信号群からの１若しくは複数の値の計算によって決定される。このようにして、記録される画像にマスク（１０９）が施され、画像の非マスク部分（１１１）は平均化によってさらに処理される。非マスク部分（１１１）は、ウェハのメモリ部分を含むように選択される。フィーチャ特性は、線幅、側壁の角度、微小寸法（ＣＤ）などを含むことができる。互いに異なる照明波長または偏光状態で撮影した複数の画像を組み合わせることもできる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの内部欠陥及び表裏面の欠陥検査を簡素化することにある。
【解決手段】光源と撮像器と光学系を備える２組の光源・撮像ユニット４、５をウェーハ１を挟んで対向して配置し、光源・撮像ユニット４、５の少なくとも一方からウェーハ１に赤外光を照射してウェーハ１からの透過光を受光してウェーハ１の透過画像を撮像する第１撮像工程と、光源・撮像ユニット４、５からウェーハ１に赤外光又は可視光を照射してウェーハ１からの反射光を受光してウェーハ両面の反射画像をそれぞれ撮像する第２撮像工程と、透過画像と両面の反射画像に基づいてウェーハ１の欠陥を抽出する抽出工程を有し、ウェーハの内部欠陥と表裏面の欠陥を同一時に検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高スループットかつ高感度の欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】広帯域波長の照明を用いて結像性能を向上させることが有効である。そこで、従来の屈折型光学系より広帯域波長の照明が使用可能な反射型光学系を用い、更に良好な収差状態を得られるレンズ外周部の円弧形状のスリット状視野にする。しかしこの方式は、受光面での各検出画素寸法の違いによる明るさの差と、センサの出力配列を視野内の位置座標に対応付けることが課題である。課題を解決するために、明るさの差及び座標を画素位置に応じて個別に補正する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置から得られた半導体集積回路の異常信号と関連する回路を精度よく抽出する半導体集積回路の故障解析方法、故障解析装置、及び故障解析プログラムを提供する。
【解決手段】半導体検査装置より得た半導体集積回路の解析データに含まれる異常信号データについて解析データにおける装置座標系の座標を求める信号検出工程と、半導体集積回路の複数の基準点について装置座標系の座標と半導体集積回路の設計データにおける設計座標系の座標との対応を求め、装置座標系と設計座標系との座標変換式を求める座標変換工程と、座標変換式による装置座標系の座標と設計座標系の座標との位置誤差を求める誤差算出工程と、座標変換式と位置誤差とを用いて、装置座標系における異常信号の座標から、設計データにおける異常信号に関連する回路を抽出する回路抽出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】組立工程前の半導体集積回路におけるレーザ光照射対象箇所に対する明瞭な画像を取得できるようにする手段を提供する。
【解決手段】半導体集積回路解析装置１０は、半導体集積回路９０へレーザ光を照射して発生した光誘起電流による場を場検出器によって検出するレーザ顕微鏡２２を備え、レーザ２１の波長は、半導体集積回路を構成する半導体を１光子励起するには不十分であって２光子励起するには十分である範囲の１．２μｍ以上であって、２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】研磨前のＳＲ法による先行抜き取り評価を最適化することで、非拡散層厚のバラツキを抑制する拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハと面抵抗モニタウェーハに不純物を拡散する第１の拡散工程と、不純物を更に深さ方向に拡散する第２の拡散工程と、面抵抗モニタウェーハの面抵抗を評価する工程と、この評価結果に基づき、補正値算出用ウェーハの抜き取り枚数を決定する抜き取り枚数決定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＦＴ−ＩＲ法で測定する第１の非拡散層厚測定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＳＲ法により測定する第２の非拡散層厚測定工程と、これらの測定結果から両者の測定結果間の補正値を算出する工程と、ＦＴ−ＩＲ法による非拡散層厚測定と補正値を用いて研磨量をモニタしながら半導体ウェーハの非拡散層を研磨する研磨工程とを有することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハのパッドに接触するプローブチップのアライメントを確保する技術の提供。
【解決手段】ステップ１１００で、システムにウェハの搭載を行い、ステップ１１０５で、レーザがウェハの裏側をスキャンし、赤外線撮像装置が画像を取得する。ステップ１１１０で、ウェハのＣＡＤデータベースからデザインデータが引き出され、前記画像に位置合わせをするＣＡＤの調整をする。ステップ１１１５で、選択したコンタクトパッドが、プローブカードのピンに合うようにポイントのマークがなされる。ステップ１１２０によるウェハを止めることでウェハを取り除き、ステップ１１２５で、今度はプローブカードの撮影をする。この撮影画像を、ステップ１１３０で、マークの位置にピンが合っている？かを調べ、合っていれば、ステップ１１３５で、ウェハの再搭載を行い、合っていなければ、ステップ１１４０のカードの回転をして、ピンに合わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周部に対する高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる半導体ウェーハの品質測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの面取り部を遮光カバーにより被い、この状態で半導体ウェーハの表面のフーリエ変換分光分析を行うので、ウェーハ外周部に照射された光は、面取り部に入射されない。その結果、ウェーハ内部での測定光の減光や検出器への測定光の迷光入射が発生せず、面取り部を除く半導体ウェーハの外周部に対して、高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる量子構造を評価する方法、該評価方法を用いて量子構造を製造する方法、及び該製造方法によって製造される量子構造を提供する。
【解決手段】金属又は半導体が金属又は半導体の融点又は分解温度より高い温度の基板の表面に蒸着されることで形成された金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる薄膜と基板とからなる積層体を高温に保持することで薄膜を構成する金属又は半導体を脱離させる過程において、波長及び偏光を制御した照射光を積層体の薄膜側の面に照射し、照射光が積層体で反射されることによって得られる反射光を検出することで求められる擬誘電関数の時間変化、及び照射光の波長から薄膜の量子構造を評価する、量子構造の評価方法、該評価による結果を製造工程にフィードバックして量子構造を製造する方法、及び該方法で製造される量子構造とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながら、多様な半導体基板に対応して、高い精度でマイクロクラック等を検出することができる赤外線検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に赤外線を照射して透過した光を検出する赤外線検査装置であって、異なる波長の光を射出する複数種類の赤外線ＬＥＤを、切り替え点灯可能に備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの微小割れを検出するシステム及び方法の提供。
【解決手段】検査方法は、第１の軸に略沿ってウェーハの第１の表面から出る光を受けて、そこから第１の表面の第１の画像を得ることを含み、ウェーハは内部に形成された割れを有し、第１の画像は割れの少なくとも１つの部分を含む。検査方法は、第２の軸に略沿ってウェーハの第１の表面から出る光を受け、そこから第１の表面の第２の画像を得ることも含み、第２の画像は、割れの少なくとも１つの第２の部分を含み、第１の表面は平面に対して略平行に延び、平面上の第１の軸の正投影は、平面上の第２の軸の正投影に略直交する。検査方法は、第１および第２の画像の割れの少なくとも１つの第１の部分および割れの少なくとも１つの第２の部分のそれぞれから、第３の画像を構築することをさらに含む。より具体的には、第３の画像は、ウェーハ内の割れを検査するために略処理可能である。 （もっと読む）

【課題】反射光によるウエハ表面画像と透過光によるウエハ透過画像の模様の違いを修正して、多結晶シリコンウエハの内部クラックを検出する。
【解決手段】多結晶シリコンウエハ２の反射光から得たウエハ表面画像データと多結晶シリコンウエハ２の赤外線透過光から得たウエハ透過画像データとでは結晶粒の大きさが異なる。これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。このクラック疑い画素の隣接するもの同士を連結し、そのクラック疑い画素の分布状態からクラックを検出する。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能のイメージングおよび高い時間分解能の検出をもたらす、ホット・エレクトロン光放出の時間分解測定によるＩＣデバイス・デバッグ用の商業的に実現可能な一体型システムを提供する。
【解決手段】照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系１４５、及びフォトン・センサ１５０を含む。ナビゲーション・モードでは、光源を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）