【課題】より多くのデータを取得できるようにした半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】複数の試験チップに通常試験を実施する工程と、複数の試験チップの中から、予め設定されたサンプリング頻度に基づいて特別試験の対象となる試験チップ（即ち、特定チップ）を選択する工程と、特定チップに特別試験を実施する工程と、を含む。特別試験では、特定チップに負荷を与えてこれを破壊又は劣化させる。プローブ検査の工程で、より多くのデータを取得することができる。 （もっと読む）

【課題】素子領域の外側を一巡している周辺耐圧領域を備えた半導体装置のトレンチゲート電極の不良の有無を判定することができる検査方法を提供する。
【解決手段】トレンチゲート電極に負の電圧を印加することによって、素子領域の耐圧を周辺耐圧領域の耐圧（耐圧直線２９）よりも低くし、素子領域の耐圧を測定する。トレンチゲート電極に不良がある場合の耐圧直線２８の傾きは、トレンチゲート電極に不良がない場合の耐圧直線２７の傾きよりも大きい。このため、トレンチゲート電極に印加する負の電圧が等しければ、トレンチゲート電極に不良がある場合の素子領域の耐圧は、トレンチゲート電極に不良がない場合の素子領域の耐圧に比べて低い耐圧が測定される。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型半導体ウェハの面内抵抗率の測定を安定させ、この測定による信頼性を向上させることができるＮ型半導体ウェハの抵抗率測定方法を提供すること。
【解決手段】ウェハに対して紫外線照射を行い、ウェハの表面に厚みが１ｎｍ以上の酸化膜を形成する。次に、酸化膜が形成されたウェハに対してコロナ放電を行う。そして、コロナ放電により熱平衡状態となったウェハに対して光源から光を照射する。次に、測定プローブにより、ウェハの表面近傍に形成された空乏層によって検出可能となったΔＶ_ｓを検出する。そして、このΔＶ_ｓから空乏層の幅を算出し、空乏層の幅からキャリア濃度を算出し、さらに、キャリア濃度から抵抗率へ換算する。 （もっと読む）

【課題】検査用基板のバンプの洗浄が不要であり、長期間の使用に耐え得るウェハ検査用治具、並びにこの治具を用いた半導体ウェハの検査装置及びウェハレベルＣＳＰの製造装置を提供する。
【解決手段】ボール保持部下部５０ｂは、密閉空間を負圧又は真空状態にする減圧部に連通して、弾力性のある複数の導電性ボール１をそれぞれ吸着させる複数の吸着孔５１を有するウェハ検査用治具であって、吸着孔５１の内壁の一領域又は全領域が、吸着孔５１の深さ方向に延在する導電部材５１ａで被覆されており、導電性ボール１が、半導体ウェハとテスティング装置との間に介在して試験信号を伝達する検査ボードの各端子に、導電部材５１ａを介して、電気的にそれぞれ接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短い時間でテストを行うことが出来る半導体装置、試験方法及びプログラムを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置を構成する各回路ブロックをそれぞれ電源線若しくは接地線によってシールドする。また試験パッド２までの引き出し配線３をシールド配線でシールドする。また別の試験方法として、試験パッド２にそれぞれ異なる電圧を印加して電流値を検出する。更に別の試験方法として、互いに隣接していない回路ブロックへの試験パッド２に同時に電圧を印加して、電流値を検出する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度の定量的な測定や、微小領域の不純物濃度分布を測定することができる不純物濃度測定方法を提供する。
【解決手段】まず、走査型トンネル顕微鏡のステージ上に測定試料を載置する。次に、走査型トンネル顕微鏡により測定試料の測定面の傾斜角度を検出する。その後、検出した傾斜角度に基づいて走査型トンネル顕微鏡の探針のｚ方向の最大前進可能値を決める。次いで、走査型トンネル顕微鏡を使用し、探針が最大前進可能値を超えて移動しないようにし、トンネル電流値が一定の条件で探針を測定試料の測定面に沿って走査してＳＴＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】経時的絶縁膜破壊試験等のウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保する手段の提供。
【解決手段】電流Ｉ１を発生する定電流回路１１と、電流Ｉ２を発生する定電流回路１２と、プローブ３が有し、プローブ３と定電流回路１１とを接続するプローブ接続部３ａと、プローブ４が有し、プローブ４と定電流回路１２とを接続するプローブ接続部４ａと、電極Ｆ＋と接続されるプローブ１３と、電極Ｆ−と接続されるプローブ１４と、定電流回路１１とプローブ１３との間を開閉するスイッチＳ１と、定電流回路１２とプローブ１４との間を開閉するスイッチＳ２と、電極Ｆ＋及び電極Ｆ−の何れか１つの電極上において絶縁膜が成長する所定時間が経過する前はスイッチＳ１及びスイッチＳ２を開き、上記所定時間の経過後に、スイッチＳ１及びスイッチＳ２を閉じる制御回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保することが可能となる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】プローブ５を定電流回路７に接続するか、プローブ５を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ１と、プローブ３を定電流回路７に接続するか、プローブ３を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ２と、プローブ４を定電流回路７に接続するか、プローブ４を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ３と、プローブ６を定電流回路７に接続するか、プローブ６を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ４と、電極Ｆ＋、電極Ｆ−、電極Ｓ＋及び電極Ｓ−の少なくとも１つの電極上において所定時間後に絶縁膜が成長する電極に接続されたプローブを定電流回路７に接続するようにスイッチＳ１〜スイッチＳ４を制御する切替制御回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光子放出を利用して集積回路中の欠陥デバイスを検出する方法を提供する。
【解決手段】集積回路１６０の領域から放出画像（ＩＲＥＭ）を取得するステップと、集積回路の前記領域に存在する各デバイスからの放出の決定強度を提供するために、強度の値を決定するステップと、各デバイスに対応する参照強度を取得するステップと、強度が参照強度に対して描画され、曲線適合計算が実行されて計算強度と参照強度との直線関係が取得され、最大偏差が、標準偏差計算のような計算によるか、ユーザによる手動入力によって、各決定強度を対応する参照強度と比較するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの電気的特性評価方法及び電子デバイスの電気的特性評価装置に関し、実電子デバイスの電気特性を高精度でモニタリングするとともに、実測したモニタリング結果から抽出した物性値を用いて理論計算を行って精度の高いキャリア分布を取得する方法の提供。
【解決手段】電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイス試料の電気的物性値を計算する計算工程と、前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程とを用いて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する。 （もっと読む）

【課題】接触体と被検査体との接触を安定させ、電気的特性の検査を適正に行う。
【解決手段】プローブ装置１に設けられたプローブカード２は、接触体１０を支持する支持板１１と、支持板１１の上面側に設けられた回路基板１２とを有している。回路基板１２の上面には連結部材１４が設けられ、連結体１５により連結部材１４と支持板１１が連結されている。連結部材１４の上面には、接触体１０とウェハＷの電極パットＵとの接触荷重を一定に維持する複数のバネ部材２０が設けられている。連結部材１４の外周部には、支持板１１の水平方向の位置を固定する複数の板バネ２４が設けられている。回路基板１２と支持板１１の間には、当該回路基板１２と支持板１１を弾力的且つ電気的に接続する複数の中間部材３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の検査工程を含む半導体装置の製造技術において、検査の迅速性を損なうことなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウェハの主面上に中間配線層（工程ｓ０３，ｓ０５）、ビア層（工程ｓ０４，ｓ０６）、最上配線層（工程ｓ０７）を形成する。中間配線層を形成した後の電位コントラスト観察工程ｖｃ０１，ｖｃ０２と、最上配線層を形成した後の電気的検査工程ｅｃ０１とを有する。中間配線層は、平面積が大きい第１配線パターンと、面積が小さく、浮遊状態となる第２配線パターンとを有する。最上配線層は、第１配線パターンに導通する第１最上配線パターンと、第２配線パターンに導通する第２最上配線パターンとを有する。電気的検査では、第１最上配線パターンと第２最上配線パターンとの間に電位差を与えて導通状態を検査する。 （もっと読む）

裸のシリコン基板を形成する方法が記載される。裸のシリコン基板が測定され、測定は、基板上の１点で信号を得るために無接触静電容量測定デバイスによって行われる。信号、または信号によって示される厚さが制御装置に通信される。信号、または信号によって示される厚さに従って調節後の研磨パラメータが決定される。調節後の研磨パラメータを決定した後、調節後の研磨パラメータを使用して、ポリッシャ上で裸のシリコン基板が研磨される。
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【課題】デバイスウエーハ、特には撮像素子デバイスウエーハの特性悪化による歩留りを大幅に向上させることが可能なＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供する。また、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をＤＬＴＳ法によって評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であって、前記ＤＬＴＳ法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度を評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたＭＯＳキャパシターであっても、その容量を精度良く、容易に測定することのできるＭＯＳキャパシターの容量測定方法を提供する。
【解決手段】プローブに接続された測定回路にインダクターＬを直列に挿入すると共に、交流電源からプローブを介して半導体ウエハ上に形成された被測定ＭＯＳキャパシター１０に交流を印加して当該被測定ＭＯＳキャパシター１０の共振周波数を求め、この共振周波数から被測定ＭＯＳキャパシター１０の容量を計算で求める。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の半導体用ウエハの電気的特性を適切に評価すること。
【解決手段】ロットＰＬから任意に選択されたシリコンウエハ１について（Ｓ１）、Ｉ−Ｖ特性を測定し（Ｓ２，Ｓ３）、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する（Ｓ４）。一致の場合は良品であるから出荷工程に送られる（Ｓ６）。不一致の場合は、犠牲酸化膜の成長及びその除去等を行うことにより、シリコンウエハ１に付着した不純物を取り除く。同一ロットＰＬ内の別のシリコンウエハ１について再びＩ−Ｖ測定を行い、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性を短時間に測定することにより、シリコンウェーハを高感度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】シリコンウェーハ表面に酸化膜を形成すること、上記酸化膜上に複数の電極を形成すること、上記電極の表面にプローブを接触させ、該プローブとシリコンウェーハとの間に電圧を印加して酸化膜耐圧特性を測定すること、を含むシリコンウェーハの評価方法。１つあたりの電極面積は４０〜４００ｍｍ²の範囲であり、かつ上記酸化膜耐圧特性の測定を、１つの電極に対し複数のプローブを接触させて行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ検査における評価の安定性・再現性向上を図る。
【解決手段】上部及び下部電極１０，１２を有する銅の析出装置内に、表面絶縁膜３４を形成したウェーハ３０を装着して、析出装置内に銅イオンを含むメタノール溶液Ｍを注入し、上部及び下部電極１０，１２に外部電圧を印加し、ウェーハ３０の欠陥部位３５上に銅を析出させる銅析出法において、
メタノール溶液Ｍの上部電極１２−下部電極１０間における抵抗値Ｒｍを所定の値に設定した状態で銅析出処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの良、不良をより高精度に判定することができるようにした半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ内の配線について断線不良を検出する配線検査工程、を含み、この配線検査工程は、被検査部を含む回路について機能試験を開始して、被検査部を電荷が供給される状態に設定する工程と、電荷が供給された被検査部に光を照射する工程と、被検査部に光を一定時間照射した後で、機能試験の結果を出力させる工程と、を有する（ステップ（Ｓ）３〜７）。このような方法によれば、被検査部に光を照射しない場合と比べて、断線に起因した動作不良を起こし易くすることができ、断線不良の検出感度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】最小のプローブ先端の変位でのフルスケールまたは広範囲のスケールの自動の温度範囲掃引を容易にするプローブ先端を提供すること。
【解決手段】測定されるサンプルを受容するチャンバを有するプローブステーションにおいて使用するためのプローブアセンブリであって、該プローブアセンブリは、プローブ本体と、プローブ先端と、弾性部材とを備え、該プローブ先端は、該弾性部材に接続され、該プローブ先端は、該チャンバ内のサンプルと、測定される位置において接触するように動作し、該弾性部材は、該プローブ先端を該位置から動かす傾向のある力を補償するように動作可能である、プローブアセンブリ。 （もっと読む）