【課題】ベース基板およびバッファ層を含む半導体基板における正孔または電子の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に設けられたバッファ層とを有する半導体基板における漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法であって、バッファ層に、電界が印加されるとバッファ層に正孔を注入する材料からなる正孔注入電極を含む複数の電極を設ける段階と、複数の電極から選択した、少なくとも一つの正孔注入電極を含む第１の一対の電極に電圧または電流を印加した場合における、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧を測定する段階と、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧に基づいて、半導体基板における正孔の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧を測定する段階とを備える測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハあるいは複数のウェハにより構成するロット単位での検査を終了し、ロットを回収した後、検査結果に対して再検査要否の判定を行っている場合において、再検査が必要になった際の当該ロットを検査装置への再配置のような生産効率を低下させる工程を必要としない方法の提供。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造工程におけるウエハに対するプローブ・テストにおいて、単位テスト領域に対して、プローブ針をコンタクトした状態で、順にＯＰＥＮテスト１２１、ＣＫ同期テスト１２２、機能テストＡ１２３〜機能テストＤ１２６、…およびアナログテスト１２７を実行する際に、前記いずれかの機能テストでフェイルした場合には、前記機能テストＡ１２１〜の結果を参照して、再検査判定し、再検査を実行するときは、次の検査位置へ移動することなく、その場で、再コンタクト動作を実行した後、再検査を実行する。 （もっと読む）

本発明は、測定条件ＡおよびＢ下で半導体構造物中にルミネセンス放射を発生させ、半導体構造物の所定の複数の測定点につき局所キャリブレーションパラメータＣ_Ｖ，ｉを決定し、半導体構造物の所定の複数の測定点につき局所直列抵抗Ｒ_Ｓ，ｉを決定することによって半導体構造物の直列抵抗を空間分解測定するための方法に関する。重要なのは、局所直列抵抗Ｒ_Ｓ．ｉはすべての局所直列抵抗に関して同一に設定された半導体構造物のグローバル直列抵抗Ｒ_Ｓｇに依存して決定されることである。
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【課題】ウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することによりドーパント濃度を算出する測定方法において、特にウェーハ表面近傍のドーパント濃度を繰返し測定精度が高くかつ正確に算出することができるドーパント濃度測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃ−Ｖ法によりウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することによりドーパント濃度を算出するドーパント濃度測定方法であって、ウェーハ主表面の空乏層容量リアクタンスＸｃが直列抵抗Ｒｓの１５倍以上になる条件に調整して、調整した条件でウェーハのＣ−Ｖ特性を測定することを特徴とするドーパント濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】正確な温度制御を行い、かつ、ノイズカットをし、加えて接触不良を解消し、測定精度を向上させる。
【解決手段】被検査体の電極に接触する接触子を有すると共に、前記被検査体との温度差による前記電極に対する前記接触の位置ずれを補正するヒータを内蔵したプローブ装置と、検査信号を前記プローブ装置に送信すると共に、前記ヒータへ電力を供給するテスタと、当該テスタに設けた、前記ヒータへ電力を供給する電力供給系と、当該電力供給系を介して前記プローブ装置のヒータを制御する温度制御ユニットと、を備え、前記電力供給系にヒータ電源遮断用開閉スイッチを備えた。また、雄型のコネクタ部と、他方の端部に設けられた雌型のコネクタ部とからなるコネクタを備えた。さらに、前記電力供給系の着脱可能に接触する接点には導通チェック装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提
供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与え
られるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査
され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平
行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により
偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が
発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号と
して記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定
される。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の抵抗値について基準値に対するばらつきを検出する回路を提供する。
【解決手段】第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の抵抗に電流を供給する第１の電流源回路と、第２の抵抗に電流を供給する第２の電流源回路と、電流の供給により第１の抵抗に生じる電位差と第２の抵抗に生じる電位差とを比較する電圧比較回路と、第１及び第２の電流源回路の少なくとも一方の電流供給量をディジタル的に調整する制御回路と、を備え、制御回路の調整値と電圧比較回路の比較結果から第１の抵抗と第２の抵抗の抵抗値の比率を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極探針と被測定物との接触面積及び接触面の間隔それぞれをより高い精度で維持できる４探針プローブ及びそれを用いた抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る４探針プローブ１０は、本体部１１とその先端に形成された超硬ボール１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを有する電極探針と、電極探針が４本摺動可能に保持された軸受ガイド１２とを具備し、軸受ガイド１２は、粉末を用いた焼結加工によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の評価方法、半導体装置の製造方法、及びプローブにおいて、不良の原因を再現すること。
【解決手段】
素子Rを備えた半導体装置５０の絶縁膜上に導電性塗膜４０を塗布する工程と、導電性塗膜４０にプローブ１０３を接触させ、半導体装置５０が備えるシリコン基板１０とプローブ１０３との間に電位差Vを与える工程と、電位差Vが与えられた状態で、素子Rの電気的特性を評価する工程とを有する半導体装置の評価方法による。 （もっと読む）

【課題】製造装置に加工を施すことなく、半導体デバイス製造工程での汚染微粒子の発生度合いを評価できるようにする。
【解決手段】汚染評価方法には、半導体デバイス製造工程中の所定の工程の前の段階でワークの表面の汚染微粒子の形状及び分布に関する特性値を測定する第１測定ステップＳＴ２と、前記所定の工程を通されたワークの表面の汚染微粒子の形状及び分布に関する特性値を測定する第２測定ステップＳＴ３と、第１測定ステップＳＴ２及び第２測定ステップＳＴ３での測定結果に基づいて、前記所定の工程での汚染微粒子の発生度合いを評価する評価ステップＳＴ４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】データ分析に関する発明を提供すること。
【解決手段】本発明の種々の局面による半導体のテスト方法およびテスト装置は、２つ以上のデータセットからのデータを分析するよう構成された複合データ分析要素を備えるテストシステムを含んでいる。このテストシステムを、出力レポートにデータをもたらすように構成することができる。複合データ分析要素は、空間分析を適切に実行して、複合データセット内におけるパターンおよび不規則性を特定する。さらに、複合データ分析要素は、複合データ分析を洗練させるため、クラスタ検出システムおよび除外システムなど、他のさまざまな分析システムと関連して動作できる。さらに、複合データを、他のデータとマージすることができる。 （もっと読む）

【課題】 電気特性評価等に用いるショットキー接合を簡便に形成することができ、かつ、良好なショットキー特性を有し、安定性が高い電極、及び、そのような電極を形成する方法等を提供する。
【解決手段】 半導体シリコンウェーハ上にショットキー接合された電極であって、前記電極は、仕事関数が４．０ｅＶ以下の物性を有する元素を一種又は複数種含有するＡｌ基合金からなるものである電極、及び、そのような電極を真空蒸着により形成する電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属配線断線の際の活性化エネルギーを短時間で直接求めることができる、金属配線評価用パターン、半導体装置及び評価方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に配設した絶縁膜１２上の金属配線評価用パターン１であって、狭窄部２と、狭窄部２の一端に接続した第１配線部３と、狭窄部２の他端に接続した第２配線部４とからなる。金属配線評価用パターン１へランプ電圧を繰り返し印加し、流れる電流から狭窄部２のコンダクタンスを計算し、コンダクタンスが１００Ｇ_０から数百Ｇ_０の相１の状態からコンダクタンスが１０〜６０Ｇ_０の相２の状態を経て、狭窄部２を破壊しナノ接合を形成し、相２の臨界接合電圧（Ｖｃ）のヒストグラムを作成し、ヒストグラムの最頻値の電圧からエレクトロマイグレーションの活性化エネルギーを求めることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの種類に対応した荷重の制御及び下降速度の制御について調整の最適化を自動で行う半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハの抵抗率を測定する測定装置において、測定に際して４探針抵抗率測定器の４探針プローブが半導体ウェーハに接触するまでの下降速度及び該半導体ウェーハに対する荷重量を設定する自動設定手段を備え、該自動設定手段は、予め設定した荷重量範囲及び下降速度範囲において、下降速度を設定最小値に固定した状態で荷重量を最小値から最大値まで順次増加し各荷重量毎に予め設定した測定種目について測定を行って最適な荷重量を決定し、次に４探針プローブ荷重量を決定された最適値に固定した状態で下降速度を最小値から最大値まで順次増加し各下降速度毎に予め設定した測定種目について測定を行って最適な下降速度を決定する。 （もっと読む）

【課題】 検査コストを低減し、製品化までの時間を短縮し、欠陥デバイスが合格デバイスとして通過してしまう誤りの率を低下できる集積回路の検査の方法、装置及びシステムを提供する。
【解決手段】 本発明の装置では、共通の基板に、複数の被検査デバイス（ＤＵＴ）と、複数の比較装置が設けられる。この複数のＤＵＴは、すべて同一の入力刺激で動作し、各々が実行結果を発生する。この実行結果は比較装置で比較されて、比較特徴が生成され、その特徴により、欠陥のある被検査デバイスを検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】データ解析のための方法および装置、特に半導体試験データ解析に適したデータ解析のための方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の種々の側面にしたがうデータ解析のための方法と装置は、コンポーネントに対する試験データのようなデータ内の統計的外れ値（大きなデータ母集団のサブセット内の外れ値を表す混成外れ値を含む）を識別する。本発明の種々の側面にしたがう方法および装置は、半導体をテストするための自動テスト設備（ＡＴＥ）のようなテスタを有するテストシステムと協働し得る。外れ値は、データの分布に従って識別および分類することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を検査する検査治具のプローブ端子を損傷することなく、低接触抵抗値を維持し、信頼性の高いプローブカードの洗浄方法を得る。
【解決手段】ウエハ一括コンタクトボード６０を構成するニッケル（Ｎｉ）からなる半球状のバンプ（プローブ端子）２２を備えたバンプ付きメンブレンリング１０を、フッ素濃度が１ｗｔ％未満の酸性フッ化アンモン水溶液に浸漬する。これにより、半導体素子を検査した時にアルミニウムパッドから剥がれてバンプ２２に付着したアルミニウムや酸化アルミニウムを、バンプ２２を損傷することなく除去することが可能である。また、バンプ２２を構成するニッケル（Ｎｉ）を溶解すること無く、バンプの表面に形成されたニッケル酸化物（ＮｉＯ）を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスの影響によって発生するシリコン基板の結晶欠陥を高感度に検出できるモニター用結晶欠陥検出素子、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るモニター用結晶欠陥検出素子は、シリコン基板に形成された素子分離膜１１と、素子分離膜１１の内側の素子領域１０ｃに形成された複数のトランジスタとを有するモニター用結晶欠陥検出素子であって、複数のトランジスタそれぞれのゲート電極１２が互いに電気的に接続されており、複数のトランジスタそれぞれのソース領域の拡散層１０ａが互いに電気的に接続されており、複数のトランジスタそれぞれのドレイン領域の拡散層１０ｂが互いに電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ウエハ表面の欠陥分析のためにウエハ欠陥部位にイオンデコレーションを行う際に、デコレーション作業とイオン抽出作業とを別に分離し、イオン抽出の完了した電解液を循環させることで、デコレーション作業時に面倒で長い時間がかかる過程を最小化し、全体デコレーションにかかる時間を画期的に短縮させて、終局としてウエハ欠陥分析時間の短縮と欠陥分析の効率性を向上させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。 （もっと読む）