【課題】実際のデバイスの絶縁破壊寿命に適合する精度の良いシミュレーションを行って、正確な絶縁膜の絶縁破壊寿命を求めることで、実測データとの対比で欠陥種、欠陥の大きさ等を正確に解析できる絶縁破壊寿命シミュレーション方法及びシリコンウェーハ表面の品質評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】前記シミュレーションする構造における、前記シリコンウェーハと前記絶縁膜の界面及び前記絶縁膜と前記金属電極の界面に、及び／又は、前記絶縁膜中に予め欠陥を組み込み、該欠陥を組み込んだ構造において、前記絶縁膜中に欠陥を乱数にて発生させて前記絶縁膜の絶縁破壊寿命を求める絶縁破壊寿命シミュレーション方法。 （もっと読む）

【課題】ｐチャネル型電界効果トランジスタのＮＢＴＩをウエハ面内において漏れなく評価することにより、信頼性評価の充実を図り、信頼性の高いｐチャネル型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】劣化過程、回復過程、および再劣化過程をストレス試験の１サイクルとし、１つのｐチャネル型電界効果トランジスタに対して上記１サイクルを複数回繰り返し行い、複数の劣化過程におけるしきい値電圧の劣化量または動作電流の劣化量を抽出して回復レス劣化評価を行い、複数の回復過程におけるしきい値電圧の劣化量および動作電流の劣化量を抽出して回復レス劣化評価を行う。 （もっと読む）

【課題】プローブ検査においても、理想の電源環境を提供する。
【解決手段】試験装置は、ウエハ上に形成されたＤＵＴ１を試験する。電源補償回路２０は、制御信号Ｓ_ＣＮＴ１、Ｓ_ＣＮＴ２に応じて制御されるソーススイッチＳＷ１、シンクスイッチＳＷ２を含み、それぞれがオンした状態において補償パルス電流Ｉ_ＳＲＣ、Ｉ_ＳＩＮＫを生成し、補償パルス電流Ｉ_ＳＲＣをメイン電源とは別経路からＤＵＴ１の電源端子Ｐ１に注入し、またはメイン電源からＤＵＴ１へ流れる電源電流から、補償パルス電流Ｉ_ＳＩＮＫをＤＵＴ１とは別経路に引きこむ。電源補償回路２０のうち、ソーススイッチＳＷ１、シンクスイッチＳＷ２を含む一部は、ウエハＷ上に形成される。ウエハには、ウエハ上に形成される電源補償回路２０の一部に信号を印加するためのパッドＰ５〜Ｐ７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ウェハテストのテスト時間を増加させることなく、検出された不良セルがいずれの不良パターンで不良となったのかを検知できるようにすること。
【解決手段】ウェハテスト装置は、第１および第２のテストプログラムを保持する記憶部と、第１のテストプログラムを用いてロット内の複数のウェハのうちの一部のウェハに対するテストを行なうとともに、第２のテストプログラムを用いてロット内の複数のウェハのうちの残部のウェハに対するテストを行なう演算部とを備え、第１のテストプログラムは、ウェハに対して複数の動作テストを実行し、各動作テストが終了するごとにウェハに含まれる不良メモリセルの累積情報を装置の外部に出力し、第２のテストプログラムは、ウェハに対して複数の動作テストを実行し、すべて動作テストが終了した後にウェハに含まれる不良メモリセルの累積情報を装置の外部に出力する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板の放熱性が低いプローブカード用基板を提供する。
【解決手段】 第１および第２主面Ｓ１，Ｓ２を有し、厚み方向に貫通する複数の第１貫通孔３を有する第１絶縁基板１と、第３および第４主Ｓ３，Ｓ４有し、厚み方向に貫通する複数の第２貫通孔４を有するとともに、第３主面Ｓ３が第２主面Ｓ２と一定の距離の空間を間に挟んで対向し合うように配置された第２絶縁基板２と、第１絶縁基板１の複数の第１貫通孔３のそれぞれから第２絶縁基板２の複数の第２貫通孔４のそれぞれにかけて貫通して配置され、側面が第１および第２貫通孔３、４の内側面に接合されている棒状の金属材料５とを備えることを特徴とするプローブカード用基板である。第１および第２基板１，２の間の空間部分において熱の伝わりを抑えることができるため、放熱性を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜（アルミニウム膜１０ｂ）を形成する工程と、（ｂ）上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、（ｃ）上記配線の上部に第１絶縁膜（第１保護膜）を形成する工程と、を有する。さらに、（ｄ）上記第１絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域（Ｐｄ）を露出する工程と（ｅ）上記パッド領域（Ｐｄ）に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記パッド領域（Ｐｄ）にプローブ針を当接し、上記パッド領域（Ｐｄ）に通電する工程と、を有する。上記（ｅ）工程により、上記パッド領域（Ｐｄ）に窒化アルミニウム層（１５）が形成され、パッド領域（Ｐｄ）とプローブ針（Ｎ）との接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のトンネル絶縁膜の電荷分布を評価することが可能な半導体記憶装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。時間の対数の変化に対する前記半導体記憶装置のメモリセルの閾値電圧Vtの変化率に、ε*Cr*2k/Tox/qを乗じる。なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)²)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】深さが深く幅が狭い溝の深さを把握できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に平面視環状の複数の環状溝２を形成する環状溝形成工程と、環状溝２の下端よりも下層に配置された半導体基板１を介して、複数の環状溝２から選ばれた第１環状溝２ａの平面視内側表面と、第１環状溝２ａとは別の環状溝２である第２環状溝２ｂの平面視内側表面との間の抵抗を測定し、実測抵抗値を得る抵抗測定工程と、実測抵抗値を用いて環状溝２の深さを算出する算出工程とを備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂塗布装置Ｍ４において、マップデータ１８と樹脂塗布情報１４に基づき適正塗布量の樹脂を基板に実装された各ＬＥＤ素子に塗布する。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報１２とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂が塗布された完成品を対象として発光特性検査装置Ｍ７によって検査され樹脂塗布装置Ｍ４にフィードバックされた検査結果に基づいて樹脂塗布情報１４を更新する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供する。
【解決手段】表面光電圧測定装置により求められる光照射前後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を定量する分析方法の定量分析限界決定する。前記分析方法によりＦｅ−Ｂペアを実質的に含まないブランクウェーハの鉄濃度を求め、求められた鉄濃度から定量分析限界値を決定することを、少数キャリア拡散長の水準の異なる２つ以上のブランクウェーハに対して行い、上記２つ以上のブランクウェーハにおいて決定された定量分析限界値と少数キャリア拡散長の水準に基づき、定量分析限界値と少数キャリア拡散長との相関関係式を求めるか、または相関関係をグラフ化すること、前記相関関係式またはグラフを用いて少数キャリア拡散長に依存する定量分析限界を決定する。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】フェイルビットマップを速やかに表示し、半導体装置の検査コストの増大を防止できる半導体装置の不良解析システムを提供する。
【解決手段】不良解析システムは、物理フェイルビットマップをメッシュ分割して、一部ビット不良領域のフェイルビットマップ画像データを縮約率毎、チップ毎、レイヤ毎に分類して第１画像データ記憶領域３２に記憶する。また、不良解析システムは、フェイルビットマップ画像データを不良モードの種類毎、縮約率毎、チップ毎、レイヤ毎に分類して第２画像データ記憶領域３４に記憶する。さらに、不良解析システムは、ユーザからの表示形式及び／又は表示領域の指示に基づいて、第１画像データ記憶領域３２又は第２画像データ記憶領域３４からフェイルビットマップ画像データを抽出して結合し、表示部４４に表示する。 （もっと読む）

【課題】地球環境への負荷を低減し、かつ、試験装置や試験のための設備を複雑にすることなく、高電圧試験を実現する。
【解決手段】この試験装置１は、圧力容器１０と、圧力容器１０の内部空間１３に配置され、被試験体１２が載置される載置台３０と、圧力容器１０の内部空間１３に配置され、載置台３０に載置された被試験体１２に試験電圧を供給する試験電極２６，２７と、圧力容器１０の内部空間１３の気圧を上昇させる加圧手段と、を有し、加圧手段により圧力容器１０の内部空間１３の気圧を上昇させた状態で、載置台３０に載置された被試験体１２に試験電極２６，２７から試験電圧を供給して、被試験体１２の試験を行う。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流モニタ、リーク電流モニタ方法、及び、半導体装置の製造方法に関し、複数種類のデバイス特性をできるかぎり同じ構造のモニタで評価する。
【解決手段】 形状或いはしきい値電圧の少なくとも一方が異なる複数種類のトランジスタを異なった領域に同じ間隔で配置するとともに、前記複数種類のトランジスタの内、設計データにおける設置頻度の比を反映した数のトランジスタのゲート電極同士、ソース電極同士、及び、ドレイン電極同士を電気的に共通に接続する。 （もっと読む）

【課題】より正確な設定温度下で、半導体装置の温度特性を測定することが可能な技術を提供する。
【解決方法】温度特性測定装置１は、半導体ウェハ３１の温度特性を測定する装置である。温度特性測定装置１は、絶縁性を有する液状の熱媒体２１に半導体ウェハ３１の少なくとも一部が浸漬した状態で、熱媒体２１と半導体ウェハ３１とを保持可能な容器１０を備える。また、容器１０に保持されている熱媒体２１を加熱する加熱装置１１を備える。また、熱媒体２１が沸騰している状態において、半導体ウェハ３１の温度特性を測定する特性測定器１２を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの発熱解析画像における撮像位置ずれの影響を抑制することが可能な半導体故障解析装置及び方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳにバイアス電圧を印加する電圧印加部１４と、画像を取得する撮像装置１８と、画像処理を行う画像処理部３０とを備えて故障解析装置１Ａを構成し、撮像装置１８は、電圧印加状態での発熱像をそれぞれ含む複数の解析画像と、電圧未印加状態での複数の背景画像とを取得する。画像処理部３０は、解析画像及び背景画像のそれぞれでの撮像位置を算出する撮像位置算出部３２と、撮像位置に対して用意された領域分割単位に基づいて解析画像及び背景画像をＮ個の画像グループに分類する画像分類部３３と、Ｎ個の画像グループについて個別に解析画像と背景画像との差分画像を生成する差分画像生成部３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のプローブ試験で、プローブ針の数を必要最小限にすることと、半導体装置への電力供給マージンを提供する。
【解決手段】内部回路に電源を供給する隣り合う第１の電源パッド電極２１及び第２の電源パッド電極２２と、内部回路にグランドを供給する隣り合う第１のグランドパッド電極２３及び第２のグランドパッド電極２４と、前記第１及び第２の電源パッド電極のうち、一方の電源パッド電極はプローブ針４によって接続されていると共に、前記第１及び第２のグランドパッド電極のうち、一方のグランドパッド電極はプローブ針４によって接続されており、前記第１の電源パッド電極と前記第２の電源パッド電極はメタル配線１０によって接続されて、同様に前記第１のグランドパッド電極と前記第２のグランドパッド電極はメタル配線１０によって接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的画素欠陥検査と、画像分析による画素欠陥検査を行うことができ、歩留まりを向上させる固体撮像素子の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子検査装置は、複数の画素が形成された固体撮像素子２に対して電気的欠陥検査を行う接触型のプローブ１２１ｂを備えるテスタ１１と、テスタ１１による欠陥画素の検出結果に基づき、欠陥画素が検出された固体撮像素子を撮像する撮像部１２３、及び、撮像部１２３からの出力画像を基に異物の有無を検出する画像分析部（例えば、画像分析部１１２）を備えるプローバ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】高太陽強度及び高温（ＨＩＨＴ）環境で操作される多−接合太陽電池のスクリーニング方法を説明する。
【解決手段】各太陽電池が、重なり合って積層された少なくとも２つのｐｎ−接合（２，３，６）を備え、ｐｎ−接合の１つ（６）が、均一なｐｎ−接合である。ＨＩＨＴ環境における有用性についてスクリーニングされる多数の太陽電池（１００）が提供される。所定のバイアス電流（Ｉｓｃ）で均一なｐｎ−接合のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）画像が取得される。各太陽電池において、エレクトロルミネセンス画像内の空間的強度分布が分析され、ＨＩＨＴ環境内において電力を放出する可能性がある局部的強度変化（２２）が存在するかどうかが決定される。エレクトロルミネセンス画像内に局部的強度変化（２２）を有さない太陽電池が、第１群（Ａ）に分類され、少なくとも１つの局部的強度変化（２２）を有する太陽電池が、第２群（Ｂ）に分類される。 （もっと読む）