【課題】１つの貫通配線のみの抵抗を測定できる貫通配線の検査方法、及び該貫通配線の検査方法を行う工程を含む貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】基板１の一方の面１ａに配された導電部２と、基板１を貫通し、導電部２と接続される第一貫通配線３、第二貫通配線４および第三貫通配線５とを少なくとも備えた貫通配線基板１０を用い、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第二貫通配線４に、定電流源６の一組の端子６ａ，６ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３、導電部２、第二貫通配線４の経路に電流を流すと同時に、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第三貫通配線５に、電圧計７の一組の端子７ａ，７ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３における電圧降下を測定することを特徴とする貫通配線の検査方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成される検査用トランジスタおよび製品用トランジスタのソースおよびドレインを活性化させるアニール処理を行うアニール工程と、アニール工程後における検査用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる検査用サリサイド工程と、検査用サリサイド工程後における検査用トランジスタの特性を測定する測定工程と、測定工程によって測定された特性と所望の特性との差分とに基づいて製品用トランジスタの特性を所望の特性へ近付ける特性調整アニール処理を行う特性調整アニール工程と、特性調整アニール工程後における製品用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる本サリサイド工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電源電圧や電源電流の変化が微小であり、通常のＯＢＩＲＣＨ法では解析が困難な故障を解析する半導体集積回路の故障解析装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の出力端子の電圧を測定する電圧測定部と、半導体集積回路の内部回路であって出力端子に接続される内部回路の状態を設定するテストパターンを半導体集積回路に与えるテストパターン発生部と、レーザービームを内部回路の所定の領域に対して走査しながら照射し、照射された部分の抵抗値を変化させるレーザー走査部と、レーザー走査部及び電圧測定部と連動し、レーザービームを照射したときに、出力端子の電圧の変化したレーザービームの照射位置を検出して表示する故障位置表示部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージにチップの欠けや樹脂の剥がれ等の欠陥があるかどうかを電気的に検出する。
【解決手段】外周配線１４は、回路領域１１とパッド電極Ｐ１〜Ｐ８の外の半導体基板１０の４辺の外周に沿って配置されている。外周配線１４は、パッド電極Ｐ１〜Ｐ８と同層又は上層の金属配線、もしくはポリシリコン配線により、半導体基板１０上に形成される。外周配線１４の第１の端に電源電位Ｖｃｃが印加され、外周配線１４の第２の端は抵抗Ｒ２を介して接地電位（Ｖｓｓ）が印加されている。検出回路１５は、外周配線１４と抵抗Ｒ２の接続点Ｎ１に接続され、該接続点Ｎ１の電位に基づいて、異常検出信号ＥＲＲＦＬＧを発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから得られる複数のメインチップにおいて、メインチップ毎のＯＮ電圧のバラツキを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。半導体ウェハ１０の表面全体に電子線等を照射する。ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２の中に再結合中心を形成する。測定装置１５によりトランジスタ２のＯＮ電圧を測定しつつ、ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２において規定されたライフタイムを所定のアニール処理を施すことにより回復させる。ライフタイムが回復しているとき、制御装置１６は、ＩＧＢＴ素子１のＯＮ電圧がそれぞれ所定のＯＮ電圧となるように、測定されたトランジスタ２のＯＮ電圧に基づいてアニール処理におけるアニール処理量を制御する。 （もっと読む）

【課題】単一の電源から複数の半導体主回路部に電源を供給する場合に安定した電源を供給する半導体検査システムを供給する。
【解決手段】半導体検査システムは、半導体装置１１００と、半導体検査装置１２００とを有し、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に配置された複数の半導体回路領域１１２０を有し、半導体回路領域はそれぞれ、半導体検査装置による検査の対象となる半導体主回路部１１２１と、半導体主回路部に供給される電源を検出する検出回路部１１２２と、検出回路部の出力を無線方式で出力する第１の無線回路部１１２４と、を備え、半導体検査装置は、主電源部と、プローブカードとを有し、プローブカードは、主電源部に接続された共通電源配線と、共通電源配線に接続された複数の電源回路部と、電源回路部に接続され、電源回路部を制御する制御回路部と、制御回路部に接続された第２の無線回路部１２２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体検査システムにおいて、単一の電源から複数の半導体主回路部に電源を供給する場合、各半導体主回路部に安定した電源を供給することができない。
【解決手段】本発明の半導体検査システムは、半導体装置と、半導体検査装置とを有し、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に配置された複数の半導体回路領域を有し、半導体回路領域はそれぞれ、半導体検査装置による検査の対象となる半導体主回路部と電源制御部を備え、半導体検査装置は、主電源部と、プローブカードを有し、プローブカードは、主電源部に接続された共通電源配線を備え、共通電源配線から各電源制御部に対して、第１の電源がそれぞれ供給され、電源制御部は、第１の電源を供給源として第２の電源を半導体主回路部に供給する。 （もっと読む）

【目的】載置台の表面に付着した異物を除去し易く、半導体ウエハまたは半導体チップの裏面に、キズやクラックなどの欠陥を発生させない半導体試験装置を提供する。
【解決手段】この半導体試験装置は、載置台１と、載置台１を上下に移動させる移動手段６と、半導体チップ９の図示しない表面電極（エミッタ電極やゲート電極）と接触し電流を流すプローブ４と、載置台１に付着した異物を吹き飛ばすクリーニング機構であるブローノズル５とで構成され、載置台１の表面をシリコンより硬度が高い材料である、たとえば、超硬合金で形成する。 （もっと読む）

集積回路は、プロセスセンサと温度センサと電圧センサとを含む。プロセスセンサは、集積回路が形成される半導体プロセスを示すプロセスパラメータを検知し検知されたプロセスパラメータに基づいて上記半導体プロセスの特徴をプロセスセンサの出力に与えるように構成される。温度センサは、集積回路の温度の表示を温度センサの出力に与えるように構成され、電圧センサは、集積回路の電源電圧レベルの表示を電圧センサの出力に与えるように構成される。プロセスセンサの出力は、温度センサおよび電圧センサのうち少なくとも一方に結合されて、温度の表示および電源電圧レベルの表示のうち少なくとも一方を補償する。
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【課題】自動切り替え機構の制御をプローブカード内で行ってテスタから独立させ、テスタからの制御信号数に制限されることがなく、検査対象を増やす。
【解決手段】検査対象物の電極に接触させる複数のプローブと、当該プローブとテスタとを電気的に接続する電源チャネルとを備えたプローブカード及び検査装置である。各電源チャネルをそれぞれ複数の電源配線部に分岐させて前記各プローブにそれぞれ接続させると共に、過電流等の電気的変動に基づいて前記電源配線部を遮断する自動切り替え機構と、前記検査対象物の中に不良品が存在することによって前記電気的変動が生じた場合に、その電気的変動を検出する電気的変動検出機構と、当該電気的変動検出機構で電気的変動を検出した時、当該電気的変動が生じた電源配線部を前記自動切り替え機構で遮断させる制御機構と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路特性の微調整に必要なトリミング情報を高精度に取得できると共に、測定時間の増大を防ぐことができるようにする。
【解決手段】半導体装置は、複数の被評価素子（ＴＥＧ）２と、複数の被評価素子２のそれぞれに印加される電流値又は電圧値をモニタするモニタ用素子４と、複数の被評価素子２のそれぞれの一端と接続された複数の第１の電極パッド１と、モニタ用素子４の一端と接続された第２の電極パッド３とを有している。複数の被評価素子２のそれぞれの他端は、モニタ用素子４の他端と共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】溶断ヒューズを記憶手段のビットデータ書き込みに用い、溶断ヒューズの溶断が行われたか否かを適切に判定し、パッケージング後の設定電圧の補正を高精度かつ高い歩留まりで行うことができる電圧設定回路及び電圧設定方法、並びにこれを用いた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】設定電圧に基づくビットデータを、各ビットに対応して設けられた溶断ヒューズＭＦを前記ビットデータに基づいて電気的に溶断することにより記憶する記憶手段１０と、前記溶断ヒューズＭＦが溶断により電気的に断線したか否かを判定し、該判定結果をシリアルデータとして出力する溶断判定回路２０と、該溶断判定回路２０から出力された前記シリアルデータを一時記憶し、パラレルデータに変換して出力するラッチ回路３０と、前記パラレルデータに基づいて、前記設定電圧を出力するように抵抗値の設定を行う抵抗値設定回路５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶断ヒューズを用いてビットデータの書き込みを行い、これに基づいて抵抗値を調整することにより、パッケージング後に高精度の電圧設定を実現できる電圧設定回路及び電圧設定方法、並びに二次電池用保護回路及び半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】電圧設定値のシリアルデータをパラレルデータに変換して出力するデータ変換手段１０と、該データ変換手段１０の出力線１１に並列に接続され、前記パラレルデータに基づいて各々の溶断ヒューズを溶断する複数の溶断ヒューズ回路２０、２２〜２７と、該溶断ヒューズ回路２０、２２〜２７の前記溶断ヒューズの溶断状態に基づいて抵抗値を設定し、前記電圧設定値を出力するように抵抗値設定を行う抵抗値設定回路３０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法と半導体試験装置において、潜在的に不良になる可能性のあるチップを後の工程に出す危険性を低減する方法の提供。
【解決手段】所定の試験に基づいて不良と判断された半導体ウエハW上の不良チップを第１の不良モードと第２の不良モードとに分類するステップＳ８と、所定の試験に基づいて良品と判断された半導体ウエハW上の良品チップの周囲に存在する第１の不良モードに属する不良チップの分布を調査するステップＳ９と、この分布に基づいて、良品チップを第１タイプの良品チップとするか第２タイプの良品チップとするかの判定を行うステップＳ１０とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置に対して、半導体集積回路装置が内部電圧を正確に伝える回路を備えていなくても、被試験半導体集積回路装置を高精度に試験する。
【解決手段】ＩＣチップ７の電源パッド１３に電圧を供給するための電源ユニット１１及び電源パッド用端子１３と、ＩＣチップ７のＧＮＤパッド３をＧＮＤ１５に接続するためのＧＮＤパッド用端子１７と、ＩＣチップ７の出力パッド５に接触される出力パッド用端子１９と、出力パッド用端子１９の電圧と規格電圧を比較するための比較器２１ａ，２１ｂと、規格電圧を生成するための規格電圧生成回路２３ａ，２３ｂを備えている。規格電圧生成回路２３ａ，２３ｂはＧＮＤパッド３の電圧を基準として規格電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に設ける電子ビームテスティング用のテスト端子に対して、識別マークを設けて容易に特定することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線層が絶縁層を介して多層構造になっており、最上層には該配線層がビアを介して接続された電子ビームテスティング用のテスト端子５が設けられている半導体装置１０において、該テスト端子５の近傍に該テスト端子５を識別する識別マーク６が設けられており、該識別マーク６が複数の識別パターン６１をバーコード状に並設したものであるように構成する。 （もっと読む）

【課題】検出感度の小さいセンサやセンサ部が外界から遮断された構成となっているセンサでも、動的試験を行うことができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された可動部１６ａを有する、少なくとも１つの微小構造体１６の特性を評価する微小構造体の検査装置であって、微小構造体１６の電気信号を取り出すために、微小構造体１６に形成されたパッド８ａに電気的に接続するプローブ針４ａと、微小構造体１６の可動部１６ａに振動を伝達するために、微小構造体１６に接触する接触子１１と、接触子１１を介して可動部１６ａに振動を印加するための振動制御素子１０と、振動制御素子１０から接触子１１を介して微小構造体１６に印加された振動に応答した微小構造体１６の可動部１６ａの動きを、プローブ針４ａを介して得られる電気信号によって検出し、検出結果に基づいて微小構造体１６の特性を評価する評価手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に使用する絶縁膜の電気伝導機構を短時間で評価する。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体素子の評価方法では、絶縁膜２２に電界を印加した状態で絶縁膜２２に流れる電流又は絶縁膜２２にかかる電圧の経時変化を測定し、その経時変化に基づいて過渡応答の特性時間と電流又は電圧の定常値とを抽出し、特性時間と定常値とに基づいて絶縁膜２２を流れる電流の電気伝導機構を評価する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方式で微小な可動部を有する微小構造体を精度よく検査するプローブカードおよび検査装置を提供する。
【解決手段】プローブカード６は、スピーカ２と、プローブ針４を固定する回路基板１００とを含み、回路基板１００にスピーカ２が載置される。そして、回路基板１００には開口領域が設けられ、その上にスピーカ２を載置することによりテスト音波が微小構造体の可動部に対して出力される。そして、このテスト音波に従って可動部が動くことにより変化する電気的特性の変化をプローブ針４により検出して微小構造体の特性を検査する。 （もっと読む）