【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】 検査に必要な光を容易に被検査体に照射させる構成を簡素化させることができる検査装置を提供する
【解決手段】 本発明は、受光部と電極を備える被検査体とプローブカードを用いて電気的に接続して被検査体に関する検査処理を行う検査装置に関する。そして、プローブカードは、被検査体と電気的に接続するための接触子と、接触子と電気的に接続する基板と、基板で接触子と同じ板面に配置された、被検査体に向けて光を発光することが可能な光源を備える照明部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されているフォトデバイスの光励起キャリア発生領域を非接触で検査する技術を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、フォトデバイスが形成された太陽電池パネル９０を検査する。検査装置１００は、パルス光ＬＰ１１を太陽電池パネル９０の受光面９１Ｓ側から照射する照射部１２と、該パルス光ＬＰ１１の照射に応じて発生するテラヘルツ波パルスＴＬ１の電界強度を検出する検出部１３（検出器１３２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＤＡ効果を誘起する非線形２フォトン吸収機構を利用する故障位置測定システムを提供する。
【解決手段】ＤＵＴ２１０がテストベクトルで刺激されている間に、シリコンのバンドギャップより低いフォトンエネルギーを有する波長のフェムト秒レーザパルスを関心領域に送出し、レーザパルスはＤＵＴ刺激に同期しているので、スイッチングタイミングが２フォトン吸収効果を用いて変更され、レーザ光源がなければ合格するＤＵＴが不合格になる瞬間において光線の位置が求められ、不合格の原因となっているトランジスタの位置を求める。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報１２とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂が塗布された完成品を対象として発光特性検査装置Ｍ７によって検査され樹脂塗布装置Ｍ４にフィードバックされた検査結果に基づいて樹脂塗布情報１４を更新する。 （もっと読む）

【課題】隣接するＬＥＤからの干渉がウエハステージテスト中に得た電気的および光学的データに影響しないようにすること。
【解決手段】テストを受ける半導体装置（１０）の特性をテストするためのプローブヘッドがテストを受ける少なくとも一つの半導体装置（１０）を支持する誘電体フィルム（２４）を含み、この誘電体フィルム（２４）を支持フレーム（２６）がぴんと張って支持する。第１支持体（４０）がテストを受ける半導体装置（１０）の第１側（１６）と電気的に接触するための第１プローブ（２８）を位置決めし、第２プローブ（３０）を第１位置（Ｐ１）と第２位置（Ｐ２）の間で動かすアクチュエータを有する第２支持体（３４）が第２プローブ（３０）を位置決めし、この第２位置（Ｐ２）は、このテストを受ける半導体装置の対向する第２側（１８）と電気的に接触するためである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的画素欠陥検査と、画像分析による画素欠陥検査を行うことができ、歩留まりを向上させる固体撮像素子の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子検査装置は、複数の画素が形成された固体撮像素子２に対して電気的欠陥検査を行う接触型のプローブ１２１ｂを備えるテスタ１１と、テスタ１１による欠陥画素の検出結果に基づき、欠陥画素が検出された固体撮像素子を撮像する撮像部１２３、及び、撮像部１２３からの出力画像を基に異物の有無を検出する画像分析部（例えば、画像分析部１１２）を備えるプローバ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】効率的な照明が可能であり、撮像素子などの感光回路の検査効率を向上させることが可能な照明装置及び検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上に形成された感光回路（撮像素子）を検査するための検査装置１００は、光源１１１を有し、感光回路に光源１１１からの光を照射する照明部１１と、この照明部１１を、感光回路に対して相対移動可能に支持する支持部１２と、この支持部１２を駆動させて、照明部１１を感光回路に対して移動させる駆動部１３と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ＯＢＩＲＣＨ法を行う際に、特性チェック素子の特性を容易に測定することができる、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ光が照射されることにより特性が検査される、特性チェック素子と、前記特性チェック素子よりも上層に位置し、ダミーメタルが配置された、上部配線層とを具備する。前記上部配線層は、前記特性チェック素子に重なる第１領域と、前記特性チェック素子に重ならない第２領域とを備える。前記第１領域における前記ダミーメタルの密度は、前記第２領域における前記ダミーメタルの密度よりも、小さい。 （もっと読む）

【課題】受光素子の光感度特性を高精度で、かつ、容易に測定できるようにする。
【解決手段】Ｚ軸ステージ１０４が、光軸方向（Ｚ軸方向）に光学制御部１０１を移動させながら、レーザ発生部１２１により発生されるレーザ光が受光するとき、受光出力測定部２８は、受光素子２０１が発生する出力電圧を測定する。光感度計算部３１は、出力電圧に基づいて光感度を計算する。プロット部２９は、Ｚ軸方向の移動位置と光感度をプロットする。Ｚ位置決定部３３は、光感度が最大で、かつ、平坦な状態の中央位置となるＺ位置を焦点位置として決定する。本発明は、受光素子の光感度測定装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光学アダプタとイメージセンサの位置調整を短時間に、かつ、容易に行うことができる照明装置、この照明装置を有する検査装置及び照明装置の位置調整方法を提供する。
【解決手段】照明装置１０は、光源１１からの光を出射して複数のイメージセンサ４１の検査領域に、照明光による像を形成するためのアダプタ２０と、イメージセンサ４１との相対位置関係を調整するためのアダプタ駆動部１５と、制御部６とを備え、制御部６は、複数のイメージセンサの内の少なくとも１つのイメージセンサの中心領域の位置情報を取得して初期位置情報とする初期設定部６５と、初期位置情報に基づいてアダプタの移動量を算出するアダプタ変位調整部６３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 発光装置の複雑化及び高価格化を招くことなく、多数の光源を微少なピッチで配置することを可能にすることにある。
【解決手段】 発光装置は、複数の内部配線を有する第１の基板であって、厚さ方向を上下方向とされた第１の基板と、厚さ方向を第１の基板と一致させた状態に、第１の基板の下側に配置された第２の基板であって、該第２の基板を上下方向に貫通する複数の第１の貫通穴を有する第２の基板と、厚さ方向を第２の基板と一致させた状態に、第２の基板の下側に配置された第３の基板であって、該第３の基板を厚さ方向に貫通して、第1の貫通穴に連通された複数の開口を有する第３の基板と、第１の貫通穴から開口に向かう光を発生するように第１の基板に支持された複数の光源であって、内部配線に電気的に接続された複数の光源とを含む。複数の光源は複数列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の測定において、半導体素子の搬送に伴う影響を減らして、正確な測定を行う方法の提供。
【解決手段】半導体測定支援システムは、測定位置に配置された半導体素子１１の測定を行う測定手段１２と、測定手段１２による測定の前後に半導体素子の搬送を行う搬送手段１３と、半導体素子１１が測定位置に配置されるように搬送手段１３を制御するセンサ１４と、搬送手段１３により半導体素子１１が測定位置に配置された場合に、センサ１４による搬送手段１３の制御を停止させ、測定手段１２により当該半導体素子１１の測定が終了した場合に、センサ１４による搬送手段１３の制御を再開させ、搬送手段１３により当該半導体素子１１を測定位置から搬出させる搬送制御手段１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の検査に要する処理量を低減する。
【解決手段】２次元に配置された複数の画素からなる画素領域と、前記画素領域の行方向の一方側に配置され前記複数の画素に行毎に駆動信号を供給する垂直走査回路と、を有する固体撮像素子を検査する。前記固体撮像素子に光を照射した状態で得た、前記画素領域のうちの前記垂直走査回路とは反対側に位置する一部の領域に配置された画素からの信号を、蓄積する。蓄積された信号を、行毎に、前記一部の領域のみに渡って積算する。前記積算段階で得られた行毎の積算値に基づいて、前記固体撮像素子の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】第２セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第２セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第１セル層膜厚とに基づき、第２セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。該膜厚計測方法により第２セル層の膜厚を算出する第２セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。該膜厚計測方法に基づき、基板面内の任意位置における第２セル層の膜厚を算出する工程と、第２セル層の膜厚が許容膜厚範囲から外れる場合に、第２セル層製膜条件を調整する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハスケールレンズおよびウエハスケールカメラモジュールを、ウエハレベルで検査するトレイを用いることによって、検査時間を短縮する方法の提供。
【解決手段】検査装置１００は、遮光筺体１０４内に、検査対象となるウエハスケールレンズ２を保持するウエハトレイ１と、テスト用の被写体１０１と、検査用のマスターチップである受光部１０３と、受光部１０３を保持する保持台１０２とを備えている。検査装置１００は、被写体１０１と、受光部１０３との間に配置されたウエハスケールレンズ２の撮像テストを、ウエハレベルで行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスＳのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光Ｌ１による２次元走査を行う。また、半導体デバイスＳの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスＳに対して固浸レンズ３６を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ３０により、固浸レンズ３６を介して半導体デバイスＳの検査範囲内を検査光Ｌ１によって２次元走査するとともに、半導体デバイスＳから出射された電磁波を光伝導素子４０で検出する。 （もっと読む）