【課題】 集積回路の検査精度を向上させることができる集積回路検査装置を提供する。
【解決手段】 集積回路検査装置１は、半導体基板２１、及び半導体基板２１の表面２１ａ側に形成された回路部２２を有する集積回路２０を検査するための装置である。集積回路検査装置１は、集積回路２０に照射される光Ｌを発生する光発生部３と、集積回路２０に照射される光Ｌの波長幅を調整する波長幅調整部５，１４と、集積回路２０に照射される光Ｌの照射位置を調整する照射位置調整部８と、光発生部３からの光Ｌが半導体基板２１の裏面２１ｂを介して回路部２２に照射されたときに、集積回路２０からの光Ｌを検出する光検出部１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非破壊であって測定環境をコントロールすることなく、基板上に導電性を持つ導電層を介して半導体層を形成した測定対象物における前記半導体層の結晶性を評価し得る半導体薄膜結晶性評価装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜結晶性評価装置Ｄａは、基板ＬＡ１上に導電性を持つ導電層ＬＡ２を介して半導体層Ａ３を形成した測定対象物ＷＡに、半導体層ＬＡ３の厚さよりも短い浸透長となる波長域の測定光を照射して、測定対象物ＷＡで反射した測定光の反射光を測定する測定部１と、測定部１の出力に基づいて反射スペクトルにおける所定のピークに関する情報を求め、この求めた前記情報に基づいて半導体層ＬＡ３における結晶性の評価を表す評価指標を求める演算部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高分解能な画像を求め、故障箇所を高精度に絞り込むことができるようにすること。
【解決手段】故障解析装置は、半導体集積回路にＸ線を照射するＸ線発生部と、半導体集積回路を透過したＸ線を光に変換する移動可能なシンチレータと、シンチレータによって変換された光を検出するとともに、電圧が印加された半導体集積回路から生じたフォトエミッション光を検出する光検出部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周部に対する高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる半導体ウェーハの品質測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの面取り部を遮光カバーにより被い、この状態で半導体ウェーハの表面のフーリエ変換分光分析を行うので、ウェーハ外周部に照射された光は、面取り部に入射されない。その結果、ウェーハ内部での測定光の減光や検出器への測定光の迷光入射が発生せず、面取り部を除く半導体ウェーハの外周部に対して、高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜のＧＯＩ特性を改善した半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの製造方法並びにＧＯＩの劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてウエーハを作製する工程と、該スライスしたウエーハにラッピング、エッチング、研磨のうち少なくとも１つを行う工程と、該ウエーハの表面ラフネスを測定する工程と、前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求め、前記ゲート酸化膜の厚さが前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して１／４以上の関係となる表面ラフネスを有するウエーハを合格と判定して選別する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】赤外反射法を用いて、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、前記３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層についての波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンを測定する。 （もっと読む）

【課題】簡便に試料温度に起因するラマンスペクトルのピーク位置のシフトを補償して、正確な歪量を測定する。
【解決手段】レーザ光を発するレーザ装置１０と、レーザ光を集光してウェーハ８０上に照射する集光照射機構６０と、レーザ光のウェーハ８０上への照射パワーを調整する照射パワー調整手段３０と、ウェーハ８０上にレーザ光が照射されることにより発せられたラマン散乱光を受光してラマンスペクトルを測定する分光器１１０及びＣＣＤ検出器１２０とを備える。コンピュータ１００は、照射パワー調整手段３０により調整された異なる複数の照射パワーのそれぞれについてラマンスペクトルのピーク位置を求め、求められた複数のピーク位置を線形補間して照射パワー無限小におけるラマンスペクトルのピーク位置を求め、この求められたピーク位置からウェーハ８０のレーザ光の照射位置における歪量を算出する。 （もっと読む）

【課題】精度良く半導体基板にある欠陥の画像を自動収集することができる欠陥画像自動収集方法を提供すること。
【解決手段】欠陥観察機能部２が代表欠陥を低倍率で検出するステップと、欠陥深さ測定機能部３が代表欠陥からの散乱光２６の強度と代表欠陥に入射した入射光２１の強度とを測定するステップと、散乱光２６の強度が入射した入射光２１の強度よりも大きいときに、制御部４が代表欠陥のウェハ５表面からの深さを算出するステップと、欠陥の深さが所定値以下のときに、制御部４が代表欠陥の位置情報を補正するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に存在する欠陥を効率よく、且つ高感度に検出する。
【解決手段】半導体装置の裏面から励起光１２を照射する照射手段と、励起光１２の照射により、半導体装置の裏面から発せられる光を分光検出する検出手段と、分光検出により得られた特定波長の強度を測定する測定手段と、を有する検査装置１により、半導体装置の裏面から励起光１２が照射され、励起光の照射により、半導体装置の裏面から発せられる光が分光検出され、分光検出した特定波長の強度が二次元分布として画像表示化される。これにより、ウェハスケールやチップスケールの半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、且つ高感度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の内部電場を非破壊・非接触に求めることができる窒化物半導体の評価方法及び評価装置を得る。
【解決手段】参照信号に同期した音波を窒化物半導体の試料１５に照射する。試料１５にプローブ光を照射し、試料１５で反射又は透過したプローブ光を受光して電気信号に変換する。プローブ光の電気信号を直流成分と交流成分に分離する。交流成分を、参照信号に同期したロックイン増幅器２５によりロックイン検出する直流成分を直流電圧計２４により計測する。交流成分を直流成分で除算することでプローブ光の変調スペクトルを求める。変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて試料１５の内部電場を求める。 （もっと読む）

【課題】スループット時間を大幅に増加させることなく、ＴＩＳおよび／または瞳面の中心を求める際のエラーを補償し、或いは、軽減する方法および装置を提供する。
【解決手段】スキャトロメータの非対称性を測定する方法において、ターゲット部分を、第一には０°の基板回転で、第二には１８０°の基板回転で、２回照明する。これらの像の一方を回転し、次に回転したその像を他方の像から引く。この方法で、スキャトロメータの非対称性を補正することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上のパターンのラフネスを測定するのに適した新たなラフネス評価方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に形成されるラインのラフネスを評価するラフネス評価方法であって、スキャトロメトリ(Scatterometry)法を用いて、ラインの直線方向にスキャンしながらウェハ上の異なる複数の位置に光を照射し、反射する光の状態を測定する測定工程（ステップ１，２）と、測定工程におけるスペクトラムの変動に基づいて、ラインのラフネスを評価する解析工程（ステップ３）と、を備える。ラインの直線方向にラフネスが少ないと、スペクトラムの変動も少ない。その一方、ラインの直線方向に大きなラフネスがあると、スペクトラムが変動する。スペクトラムの変動を抽出することで、ラフネスを特定することができる。 （もっと読む）

【課題】
多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。
【解決手段】
半導体の深さ方向の結晶化率の分布を複数の異なる結晶化率の層からなる構造と見なして、実際に測定した反射率スペクトラムと同一のスペクトラムを有する計算によって求めた反射率スペクトラムに対応する複数の結晶化率の積層構造を特定する。 （もっと読む）

【課題】無機物／無機化合物から成る膜またはパターンを、その物質の屈折率，消光係数、および表面反射率が持つ波長依存性に関して好適な波長範囲の光を用いて検査することにより、向上した検出能力をもつ欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】深紫外域から可視域の波長領域にある、幅が概略２００ｎｍより狭い波長範囲を挟んだ前後の波長において屈折率または消光係数が概略２倍以上変化する無機物または無機化合物で構成された膜またはパターンを、前記概略２００ｎｍより狭い波長範囲の長波長端よりも長い波長範囲の光、または前記波長範囲の短波長端よりも短い波長範囲の光を用いて検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面状態を短時間で精度良く測定できる半導体層の表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】ステップａ１において、試料の最上層に位置するアンドープＡｌＧａＮ層４の表面に対してプローブ光を照射し、ステップａ２において、光照射によってアンドープＡｌＧａＮ層４で発生する励起子に特有な光学反射スペクトルを計測する。ステップａ３において、検査試料の反射率スペクトルＲ（λ）のブロードニングファクターを解析し、ステップａ４において、抽出したブロードニングファクターに基づいて、アンドープＡｌＧａＮ層４の表面状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】 上部に形成された膜を除去した後においても、上部に形成された膜を除去する前と同様の状態が保持された膜を評価することができる、膜の評価方法および強誘電体膜の評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】化学機械的な研磨工程を実施した後、金属残留物の残留有無及び残留する厚さを迅速かつ効果的に検出することのできる金属残留物の検査装置及びこれを用いた検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る金属残留物の検査装置は、化学機械的な平坦化工程が進行したウェーハの上部層に一定の波長の光を放出する光放出器と、前記ウェーハの上部層からの反射光を受光する光検出器と、前記光検出器によって受光された反射光が伝達され、前記反射光から派生した情報をイメージで出力するイメージ出力器とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料の温度を常に一定に保つための温度調整機構や多くの余分な工程を要することなく、周囲温度及び材料自体の温度変化にかかわらず、所定の応力測定を高精度かつ高速に行なえるようにする。
【解決手段】 単結晶シリコン基板３Ａ上にＳｉＧｅ層３Ｃ及び歪みシリコン層３Ｄを積層して作製された半導体材料３に単結晶シリコン基板３Ａにまで到達する波長の励起光を照射し、その照射に伴う基板３Ａからのラマンスペクトルのピークシフト量から半導体材料３の温度を推定し、その推定温度を用いて歪みシリコン層３Ｄ及びＳｉＧｅ層３Ｃのラマンスペクトルのピークシフトを補正し、その補正されたラマンスペクトルのピークシフト情報により、それら各層３Ｄ，３Ｃの内部応力を算出する。
（もっと読む）

【課題】外部ノイズの存在下でも、簡易に基板割れを検出する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板割れ検出方法は、（１）基板に振動を与えることにより音を発生させ、（２）発生した音をマイクロフォンを用いて捉え、捉えた音について音響解析を行うことにより、パワースペクトルを求め、（３）所定の周波数領域のスペクトル強度に基づいて、基板割れの有無を判断する工程を備え、マイクロフォンは、基板に面した開口部を有する覆いで覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）