【課題】本発明は、複数枚のウエハの表面粗さの測定を連続で自動的に行うことができ、測定効率を向上させることができる表面粗さ測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のウエハ７０を載置できる回転駆動可能なステージ１０と、
該ステージ上で前記複数のウエハを同心円状に位置決め固定する位置決め手段５０と、
上下方向及び水平方向に直線的に移動可能に支持された接触子２１を、所定の測定位置にあるウエハの表面に接触させて水平方向に直線移動させることにより、該ウエハの表面粗さを測定する表面粗さ測定手段２０と、
測定対象となる測定対象ウエハを前記所定の測定位置に前記ステージを回転させて移動させ、前記表面粗さ測定手段により該測定対象ウエハの表面粗さを測定する一連の動作を前記複数のウエハに対して順次行うように前記ステージ及び前記表面粗さ測定手段を制御する制御手段４０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハの平坦度検査を高精度かつスループットの高い方法で実現する。
【解決手段】回転運動および直線運動機構の運動誤差を補正することの可能な３点法を、ウエハ１０１と検出器９の相対的な回転運動によるウエハ外周の形状測定と、ウエハ１０１と検出器９の相対的な直線運動によるウエハ直径方向の形状測定に適用し、両者の組み合わせによりウエハ全体の形状を測定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】
鏡面検査装置において，高感度にかつ定量的に表面の凹凸を検出することが，困難であった。
【解決手段】
光源から発射された照明光を略平行光にして鏡面状の表面を有する試料に照射し、照明光が照射された試料からの反射光を集光レンズで集光し、集光レンズで集光した試料からの反射光をピンホールを通過させて反射光以外の光を遮光し、ピンホールを通過した試料からの反射光を集光レンズの焦点位置からずれた位置に配置された検出器で検出し、検出器で検出した信号を処理する鏡面検査方法において、検出器はピンホールを通過した試料からの反射光を異なる複数の条件で検出し、検出器で異なる複数の条件で検出した反射光の検出信号を用いて試料上の局所的な凹凸度の分布を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの裏面粗さ評価方法に関し、簡便に裏面の粗さを評価することができるようにする。
【解決手段】エッチングされた半導体ウェーハの裏面の凹凸成分のうちの特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度を反映する特定入射角で測定された光沢度を求める光沢度取得工程（Ａ１０〜Ａ３０）と、その光沢度が許容範囲内に収まっているか否かを判定することによりウェーハ裏面の粗さを評価する評価工程（Ａ４０）とを備え、このとき、特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度は、ウェーハ裏面と静電チャックプレートの吸着面との間に熱交換媒体として供給される不活性ガスのリーク量と相関するパワースペクトル密度であり、許容範囲は上記リーク量の範囲と相関する許容範囲であるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来に比べて、より優れた平坦度及び均一なエピタキシャル膜厚分布を有するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル膜２０形成前の第１平坦化処理されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の平坦度、エピタキシャル膜２０形成後のエピタキシャルウェーハ３０（図１(ａ)）の平坦度及びエピタキシャル膜２０の膜厚分布を測定し、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハ３０の第２平坦化処理を行う（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗視野検査装置の測定結果を微小領域まで保証できる技術を提供する。
【解決手段】表面に不規則な凹凸パターンのマイクロラフネスが精度よく形成され、その表面のマイクロラフネスの粗さが保証されたバルクウエハを基準ウエハとして暗視野検査装置の校正を行う。マイクロラフネスは、薬液による化学処理により精度よく形成することができる。このようなマイクロラフネスをＡＦＭを用いて測定し、測定値を基にヘイズ期待値を求める。その後、校正する暗視野検査装置で基準ウエハの表面のヘイズを測定してヘイズ実測値を求め、ヘイズ期待値とヘイズ実測値との差を求める。この差を基にヘイズ実測値がヘイズ期待値と合致するように暗視野検査装置のヘイズ測定パラメータを調整する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面の計測特性を評価するシステムであって、このシステムは、光学的な基板測定システムと、基板上の評価領域内のデータを解析するとともに、特徴特有のフィルタを適用して基板の表面を特性評価するとともに、対象の特徴を特性評価及び定量化するための表面特有の測定基準を発生させるデータ解析システムとを備える。前記表面特有の測定基準は、前記評価領域内の最大及び最小偏差を定量化するためのレンジ測定基準と、評価領域に適合する基準平面からの偏差量である一組の点偏差において最大値を有する点偏差を定量化する偏差測定基準と、パワースペクトル密度から計算する二乗平均平方根測定基準とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程の状態を管理する上で、より有用で、より精度の高いウェーハの平坦度を取得する方法の提供。
【解決手段】計測データ処理装置１０は、集積回路のマスク形状データに基づきＣＭＰ工程で生じる可能性のある窪み部の位置を予測し（窪みデータ生成部１０２）、その窪み部の上層で生じる可能性のある欠陥の位置を予測し（欠陥候補位置抽出部１０２）、欠陥のあることが予測される窪み部の中から、ＡＦＭ２０が表面形状データを取得すべき計測位置を決定し（計測位置決定部１０３）、その計測位置データを付して、ＡＦＭ２０に表面形状データの取得を指示する（表面形状データ取得部１０４）。また、計測データ処理装置１０は、ＡＦＭ２０により計測された表面形状データを、ＡＦＭ２０から取得し（表面形状データ取得部１０４）、表示装置４０に表示する（表示部１０５）。 （もっと読む）

【課題】酸化膜形成前のシリコンウェーハの表面、及び／又は、表面層の状態によって酸化条件を調整することができ、それにより例えば極薄の酸化膜でも精度良く形成することができる酸化膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、測定値よりシリコンウェーハの酸化条件を調整して、調整した酸化条件下でシリコンウェーハに酸化膜を形成するシリコンウェーハの酸化膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】全面で良好な平坦度をもつエピタキシャルウェーハを製造する技術の提供。
【解決手段】種々の成膜条件で実際にウェーハサンプル上にエピタキシャル膜を成長させてみて、成長前後のウェーハの全面での厚み形状を測定し、その差から、種々の成膜条件下でのエピタキシャル膜の全域での膜厚形状を把握し記憶する。その後、素材ウェーハの全域での厚み形状を測定し、それに、記憶しておいた種々の成膜条件下での膜厚形状をそれぞれ加算して、種々の成膜条件下での製品ウェーハの平坦度を予測する。そして、予測された平坦度が要求仕様を満たす１種類の加工条件を選択し、その加工条件で実際に素材ウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 被検査物の表面の平坦度を高感度で簡易に検出する。
【解決手段】 被検査物２を乗せるステージ１と、被検査物の上面に対して任意に選択した角度方向からその上面に光を照射する光源５と、光源によって照射されるその上面の領域のエッジに光軸が合うように、被検査物の上面に対して選択した角度方向に置かれ、被検査物の上面の領域のエッジからの反射光を受光するライン・センサ９とを備える、マクロ検査装置１００である。 （もっと読む）

【課題】チャックトップの高さのバラツキを小さくして常に一定のオーバードライブを掛けることができるチャックトップの高さを求める方法及びこの方法を記録したプログラム記録媒体を提供する。
【解決手段】チャックトップ１１の上面の中心及びその上下左右の５点の理想座標面で座標値ｘ、ｙを指定し、上カメラによって５点に対応するチャックトップ１１の高さを計測する工程と、ＸＹ座標面の所定の象限の上記各指定座標値に対応するチャックトップ１１の中心Ｏ以外の隣り合う２点Ａ、Ｂの計測値がチャックトップ１１の中心Ｏを中心として形成される円周上を変化して得られる点であるとする円錐モデルを設定する工程と、所定の象限内の任意の一点を指定し、この指定座標値、所定の座標変換式及び上記円錐モデルに基づいてチャックトップ１１の任意の点の高さＺを求める工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの表面構造を、広範囲に短時間で評価できる半導体ウェーハの評価方法および評価装置を提供する。
【解決手段】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの評価方法であって、近接場光を、半導体ウェーハ上を走査しながら照射する手順と、半導体ウェーハから生じるラマン散乱光を受光する手順と、受光したラマン散乱光を分光器により分光しラマンスペクトルを導出する手順と、導出したラマンスペクトルから平坦面の幅（テラス幅）を算出する手順を有することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法およびこれを実現する評価装置。 （もっと読む）

本発明は、ウエハの特性を決定するための方法とシステムに関する。一つの方法は、検査システムを用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステムは、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。
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【課題】電子デバイスにおいて、下地導電膜の上部表面の平坦性および極薄のトンネル絶縁膜の膜厚を、一度に、低コスト・短時間・簡便・非破壊で、それぞれ定量的に評価することが必要である。
【解決手段】導電性基板１０上にトンネル絶縁膜３０および上部電極４０をその順に設けてなる第１評価用テスト素子５０を形成し、同じ導電性基板１０上に下地導電膜２０、上記トンネル絶縁膜３０、および上部電極４０をその順に設けてなるＭＩＭキャパシタ構造の第２評価用テスト素子６０を形成し、これら評価用テスト素子５０，６０のインピーダンスをそれぞれ測定する。この測定結果に基づいて、下地導電膜２０の上部表面の平坦性を推定するとともに、評価用テスト素子５０，６０におけるトンネル絶縁膜の膜厚を算出する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する
【解決手段】 窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶。 （もっと読む）

【課題】
ドライエッチング工程などで用いられる静電チャックにおいて脱離特性に優れると共に、ドライエッチング品質のバラツキを抑制できるウェーハを供給するために、ウェーハの背面粗さを適切に評価できる方法及び装置を提供すること並びに前記ウェーハの背面粗さの評価方法を利用したウェーハの製造方法及びウェーハの選別方法を提供する。
【解決手段】
チャンバー内に設置されたウェーハステージに評価すべきウェーハの被評価面である背面を保持させる工程と、前記チャンバー内を真空状態にする工程と、前記チャンバー内に評価用ガスを導入する工程と、前記ウェーハステージと前記ウェーハの背面との隙間から該ウェーハの背面側にリークする前記評価用ガスの量を測定する工程と、前記測定された評価用ガスのリーク量に基づいて前記ウェーハの背面の粗さを評価する工程とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板自体のうねりや反り、さらには機械的な精度等による測定誤差等の疑似段差成分を精度良好に除去することができ、これにより高精度な表面段差分布を得ることが可能な表面段差測定方法を提供する。
【解決手段】基板の表面段差分布を測定する表面段差測定方法であり、表面段差分布を測定する測定領域とその周辺領域とを含む領域において表面段差のない平坦部における基板の表面高さを測定することにより、測定領域に関して表面段差の影響を含まない第１の表面段差分布を得る（Ｓ１）。測定領域内の全面において基板の表面高さを測定することにより、測定領域に関して前記表面段差の影響を含む第２の表面段差分布を測定する（Ｓ２）。第２の表面段差分布から第１の表面段差分布を取り除くことにより、測定領域における基板の表面段差分布を得る（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】 半導体表面ラフネスから、電子部品が完成時の移動度を類推できる、半導体を使用する電子部品の評価方法の提供。
【解決手段】 半導体を使用する電子部品の表面ラフネスを、X軸、Y軸は平面、Z軸は半導体表面ラフネスの大きさという形で測定する第１の工程と、第１の工程で得られた結果を用いてZ軸方向に対してフーリエ変換を行う第２の工程と、第２の工程で得られた値を数値的に定量化する第３の工程と、第３の工程で数値的に定量化された表面ラフネスの大きさを周波数で積分する第４の工程と、第４の工程で得られた積分値と移動度との相関関係を求める第５の工程とを具備し、第１乃至第５の工程から予め、第４の工程で得られた積分値と移動度の関係を調べておくことで、半導体表面のラフネスの大きさから、その半導体を用いた電子部品の移動度を類推することを特徴とする、半導体を使用する電子部品の評価方法。 （もっと読む）

【課題】
静電チャックにおいて脱離特性に優れると共に、ドライエッチング工程等の精密なウェーハ温度制御を必要とする工程の品質のバラツキを抑制できるウェーハを供給するために、ウェーハの背面状態を適切に評価できる方法、この評価方法によってウェーハ製造工程を管理する方法、ウェーハ背面につき所定の面状態を有するウェーハの製造方法及びウェーハを提供する。
【解決手段】
表面が鏡面化されたウェーハの背面粗さの評価方法であって、温度調節が可能であるウェーハ保持プレート上にウェーハをその背面が接するように保持し、該ウェーハ保持プレートを所定の温度に調整すると同時に該ウェーハを加熱手段によって加熱しつつ該ウェーハの表面温度を測定することにより、該ウェーハの背面の粗さを評価するようにした。 （もっと読む）