【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンに損傷を与えることなく欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、半導体基板を測定光学系によって表面観察し、観察結果に基づいて前記半導体基板の欠陥検査を行う基板検査部を備えている。また、前記欠陥検査装置は、前記測定光学系のうち前記表面観察を行う際に前記半導体基板の表面に近接する底部近傍を撮像し、撮像した画像である第１の撮像画像を用いて前記底部近傍の状態検査を行う測定光学系検査部を備えている。前記測定光学系検査部は、前記基板検査部が前記半導体基板の欠陥検査を行っていない間に、前記底部近傍の状態検査を行う。また、前記測定光学系検査部は、前記状態検査の基準となる基準画像と、前記第１の撮像画像と、を比較し、比較結果に基づいて、前記底部近傍の状態検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の故障解析方法及び故障解析装置に係り、故障箇所を位置精度よく特定して解析することにある。
【解決手段】コントローラに、半導体素子への電力供給により該半導体素子の裏面から発せられる光を撮像手段にて検出させることにより該半導体素子の故障箇所を特定させる。次に、半導体素子の表面電極側に配置された圧痕用プローブを該半導体素子の表面電極に接触させ、かかる状況において、半導体素子の表面電極側から該表面電極へレーザを走査照射した場合に得られる走査位置と電流量との関係を示した電流像に基づいて、半導体素子の表面電極上で圧痕用プローブが接触する接触箇所を特定させる。そして、半導体素子上で特定した故障箇所と接触箇所との位置ズレ量に基づいて、圧痕用プローブを前記半導体素子の表面電極に接触させる位置を変更させる。 （もっと読む）

【課題】一つのＴＥＧで複数方向の位置ずれを検出できるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、ＴＥＧ３００を有している。ＴＥＧ３００は、プラグ及び配線のいずれか一方である第１要素と、プラグ及び配線の他方である第２要素を有している。第２要素は、互いに異なる方向から第１要素に面しており、第１要素から離間している。本実施形態において、第１要素はプラグ３２０であり、第２要素は配線３３０である。プラグ３２０は、コンタクトであってもよいし、ビアであってもよい。またプラグ３２０は、配線３３０の上に位置していてもよいし、下に位置していてもよい。 （もっと読む）

【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】パターン形状の測定精度を向上させた検査装置を提供する。
【解決手段】下地層の上に所定のパターンを有するウェハ５のパターンを検査する検査装置であって、対物レンズ７の瞳面もしくは該瞳面と共役な面における領域毎の光の強度情報を検出する撮像素子１８と、パターンの形状変化に対しては強度情報の変化が異なり、下地層の変化に対しては強度情報の変化が同程度である、瞳面もしくは該瞳面と共役な面内の第１領域と第２領域の位置情報をそれぞれ記憶する記憶部と、撮像素子１８で検出される、第１領域の強度情報と、第２領域の強度情報との差異に基づいてパターンの形状を求める演算処理部２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】測定のスループットが低下するのを防ぎ、測定感度の高い半導体計測装置を提供する。
【解決手段】一定の偏光状態の光を多入射角に分解する第１のレンズ３１と、第１のレンズ３１から出射される光が計測対象物で反射した、多反射角の反射光を同軸の平行光に変える第２のレンズ３２と、第２のレンズ３２を透過した光の所定の成分を波長および入射角に対応して分光する分光器４０と、分光器４０から照射される光の波長および入射角をパラメータとして表される光強度分布を検出して電気信号に変換する２次元検出器５０と、２次元検出器５０から受信する電気信号に基づく光学パターンを解析し、計測対象物の構造を特定する情報処理装置７０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
欠陥密度の差の信頼性を高く維持した状態で、より少ない時間でステマティック欠陥判別を可能にする。
【解決手段】
半導体デバイスの特定レイヤの回路パターンをサンプリングし、このサンプリングされた回路パターンと特定レイヤ以外の１つ以上のレイヤの回路パターンとの重なり方をデザインデータを用いて判定し、その重なり方に応じて分類し、その比率を基準比率として算出し、この特定レイヤを他の検査装置で検査して検出された欠陥位置に対応するデザインデータ上のパターンと特定レイヤ以外のレイヤの欠陥の位置に対応する位置におけるパターンの重なり方を判定し、判定した重なり方を該重なり方に応じて分類し、この分類した比率を検査結果比率として算出し、この算出した基準比率と算出した検査結果比率とを比較し、基準比率と検査結果比率とを比較した結果に基づいてシステマティック欠陥を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】
鏡体電流ノイズで発生する電子ビーム走査ずれを低減した電子ビーム式計測および検査装置と計測および検査方法を提供する。
【解決手段】
電子ビームを被検査対象物に照射する電子照射系と、前記電子照射系から出射され該被検査対象物に照射されるまでの電子ビームを通す鏡体と、前記鏡体を通って出た電子ビームを該被検査対象物に照射して発生した二次電子を検出する二次電子検出系と、前記二次電子検出系にて検出した二次電子に基づく信号を信号処理する信号処理系と、前記電子照射系より出射した電子ビームが前記鏡体を通る際に前記鏡体に流れる電流値を計測し、該電流値と予め定めた電流値とビーム位置ずれとの関係に基づき電子ビームの照射位置を補正する補正手段と、を備える計測または検査装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された半導体集積回路の、特にプローブ検査時間を短縮することができる検査工程を提供する。
【解決手段】 検査対象となる半導体基板には、半導体集積回路本体を含む回路領域２ａと、それに隣接するスクライブエリアにＴＥＧ３ａが形成され、回路領域２ａには第１パッド電極５ａ、５ｂの列が、またＴＥＧ３ａには第２パッド電極６の列が設けられる。ここでＴＥＧ３ａに隣接している方の第１パッド電極５ａが第２のパッド電極６に対向しないように配置される。このような状態の第１パッド電極５ａ、５ｂおよび第２パッド電極６にプローブ針８ａ、８ｂ、９を接触させて半導体集積回路の検査とＴＥＧの測定とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】円板状の２組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、素子形成などにあたって、基板中心位置のズレ量を一括して求められるようにする。
【解決手段】輪郭測定手段３によって、貼合わせ基板２の厚み方向の投影像から２組の基板２１，２２を合わせた輪郭形状を検出する一方、エッジ形状測定手段４によって、周方向の複数点において、貼合わせ基板２の接線方向の投影像から２組の基板２１，２２それぞれのエッジ形状を検出する。そして、演算手段６が、輪郭測定手段３の検出結果から、いずれか一方の組の基板の形状データを検出し、直径および中心位置を求める一方、他方の組の基板については、その一方の組の基板の形状データを基準に、エッジ形状測定手段４で検出された２組の基板間の相対的な位置関係から、形状データを求め、直径および中心位置を求める。その後、２組の基板間の中心位置の距離から、前記ズレ量を求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不感帯等の存在に依らず、高速且つ安定した位置決めを行う試料ステージの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料ステージのテーブルと駆動機構との間の結合を機械的に分離可能な結合部と、当該結合部を駆動機構によるテーブルの移動停止の前に分離するように制御する制御装置と、テーブル位置の位置を検出する位置検出器を備え、制御装置は、テーブルの粗動時には位置検出器によるテーブルの位置情報に基づいて、フィードバック制御を実施し、微動時には予め設定した速度変位パターンを用いて前記駆動機構をオープン制御するシーケンス制御を実施する試料ステージを提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ形成に係るマスクパターン、及び、複数種類のＴＥＧ形成に係るマスクパターンが、新規なデザインで配置されたレチクルを提供する。
【解決手段】レチクルは、半導体チップを形成するためのマスクパターンが形成されたチップ領域とチップ領域の周りに配置されたスクライブ領域とを含み、スクライブ領域内にＴＥＧ配置用遮光帯が配置された、チップパターニング領域と、第１のＴＥＧを形成するためのマスクパターンが形成された第１ＴＥＧ領域を含み、第１ＴＥＧ領域は、ＴＥＧ配置用遮光帯に内包される大きさである、第１ＴＥＧパターニング領域と、第２のＴＥＧを形成するためのマスクパターンが形成された第２ＴＥＧ領域を含み、第２ＴＥＧ領域は、ＴＥＧ配置用遮光帯に内包される大きさである、第２ＴＥＧパターニング領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。
【解決手段】検査対象を撮像して光学画像を得る。また、パターンの設計データから参照画像を作成する。１つ以上のテンプレートと、検査に必要なパラメータセットとを備えた検査レシピを用意する。パターンとテンプレートを照合して、テンプレートに対応する参照画像を選択する。選択した参照画像について、任意の座標を基準としてパラメータセットにしたがい第１のエッジと第２のエッジを検出する。選択した参照画像に対応する光学画像について、第１のエッジに対応するエッジと、第２のエッジに対応するエッジとを検出する。光学画像と参照画像との差または光学画像で検出したエッジ間の線幅を測定することにより、光学画像と参照画像との線幅の差から検査値を求める。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域をデータ点の分布領域を横切る分割用直線によって２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割領域内のデータ点のうち分割用直線が延びる２方向でそれぞれ最も外側に位置するデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）