【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Ｄａは、光源部１ａおよび変調部２ａによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体ＳＭに照射し、測定波生成部６で生成された測定波をイオン注入半導体ＳＭに照射し、検出部１０ａによってイオン注入半導体ＳＭで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部１４２ａによって、検出部１０ａの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ｘａは、波長の異なる第１および第２光を、被測定試料ＳＷの半導体における互いに異なる第１および第２領域に照射する光照射部１と、第１および第２領域のそれぞれに所定の測定波を照射するとともに、第１領域での測定波の第１反射波または第１透過波と第２領域での測定波の第２反射波または第２透過波との差である差測定波を、第１反射波または第１透過波のままで用いるとともに第２反射波または第２透過波のままで用いることによって生成する測定波入出力部２と、測定波入出力部２の差測定波を検出する検出部３と、検出部３の検出結果に基づいて被測定試料ＳＷの半導体におけるキャリア寿命を求める演算制御部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガラスや樹脂の基板の上の半導体材料、特に光導電特性をもつポリシリコンやアモルファスシリコンの品質を人の目で管理している。製品の流れを止めずに、基板に針で接触することなく品質管理行うことが課題であった。
【解決手段】光が照射されると、光がキャリアーを生成して半導体薄膜には光導電層ができる。金属の筒を半導体薄膜の付いた基板に接触または近づけて空洞を作り、空洞に光を照射しながら高周波を放射すると光導電膜の特性に応じて高周波の電力透過率が変る。この変化を測定すると半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】組立工程前の半導体集積回路におけるレーザ光照射対象箇所に対する明瞭な画像を取得できるようにする手段を提供する。
【解決手段】半導体集積回路解析装置１０は、半導体集積回路９０へレーザ光を照射して発生した光誘起電流による場を場検出器によって検出するレーザ顕微鏡２２を備え、レーザ２１の波長は、半導体集積回路を構成する半導体を１光子励起するには不十分であって２光子励起するには十分である範囲の１．２μｍ以上であって、２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】コストを低減して化合物半導体結晶の導電率を測定する、導電率測定方法および導電率測定装置を提供する。
【解決手段】円柱形状の化合物半導体結晶１０を準備する工程と、マイクロ波を用いて化合物半導体結晶１０の導電率を測定する工程とを備えている。化合物半導体結晶１０は、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下の直径を有し、５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の厚みを有することが好ましい。化合物半導体結晶１０は、側面に平坦面１１を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の温度といった情報を検出または解析する基板、基板保持装置、解析装置、プログラム、検出システム、半導体デバイス、表示装置、および半導体製造装置であって、基板が高温になる環境でも用いることができ、かつ、この基板に対する加工作業の自由度の低下を防止できるものを提供する。
【解決手段】ウエハＷに、複数の共振器５を載置する。共振器５は、平面視矩形状の基体と、この基体５１に形成されたキャパシタ５２、およびインダクタ５３と、を備え、ＬＣタンク回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたＭＯＳキャパシターであっても、その容量を精度良く、容易に測定することのできるＭＯＳキャパシターの容量測定方法を提供する。
【解決手段】プローブに接続された測定回路にインダクターＬを直列に挿入すると共に、交流電源からプローブを介して半導体ウエハ上に形成された被測定ＭＯＳキャパシター１０に交流を印加して当該被測定ＭＯＳキャパシター１０の共振周波数を求め、この共振周波数から被測定ＭＯＳキャパシター１０の容量を計算で求める。 （もっと読む）

【課題】高周波においてもインダクタの高精度な回路特性を解析する。
【解決手段】解析対象となるインダクタの信号配線とは別個の抵抗測定用配線に関する高周波特性を示す抵抗測定用配線高周波特性データ１２Ｂに基づいて、当該インダクタの等価回路パラメータのうち、信号配線の配線抵抗に関するパラメータである配線抵抗パラメータ１３Ａを算出し、当該インダクタに関する高周波特性を示すインダクタ高周波特性データ１２Ａおよび配線抵抗パラメータ１３Ａに基づいて、インダクタ高周波特性データ１２Ａからインダクタの配線抵抗の影響を差し引いた差分高周波特性データ１２Ｃを算出し、差分高周波特性データ１２Ｃに基づいて、当該インダクタの等価回路パラメータのうち、基板とインダクタとの電磁気的結合に関する電磁気的結合パラメータ１３Ｂを算出する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスＳのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光Ｌ１による２次元走査を行う。また、半導体デバイスＳの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスＳに対して固浸レンズ３６を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ３０により、固浸レンズ３６を介して半導体デバイスＳの検査範囲内を検査光Ｌ１によって２次元走査するとともに、半導体デバイスＳから出射された電磁波を光伝導素子４０で検出する。 （もっと読む）

【課題】表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発振器１からイオン注入物である試料６に対しマイクロ波波を照射し，励起レーザ光源１２から，試料６に対する浸透長がその試料６におけるイオン注入深さよりも短く，かつ試料６のバンドキャップ以上のエネルギーを有する励起光を試料６に照射し，励起光の照射により変化する，試料６からの反射マイクロ波の強度をミキサ１０により検出し，その検出強度の信号からロックインアンプ１５により光励起キャリアのライフタイムの指標値を検出し，その指標値から計算機１６によりイオン注入量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 従来、サンプル中における電荷分布の変化自体を直接的に観察することはできなかった。
【解決手段】 電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置１００であって、ペンタセンＦＥＴ５０に基本波を照射する照射部１と、ペンタセンＦＥＴ５０における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部１５と、第１信号に基づき前記照射部よりペンタセンＦＥＴ５０に前記基本波を照射させ、第２信号に基づきペンタセンＦＥＴ５０に電圧を印加する制御信号出力部３０と、を備え、制御信号出力部３０は、前記第１信号の出力時点と前記第２信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】検温素子を有するダミー用基板の温度を、より多くの箇所で精度よく検知／測定することができる検知シートおよび温度測定システムを提供し、ダミー用基板の温度を精度よく測定することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】水晶振動子ＸにコイルＣが接続されてなる検温素子ｓを有するダミー用基板ＷＤを、センサコイル１３が設けられている樹脂シート１１上に載置する。検温素子ｓにセンサコイル１３を十分近い距離まで近接させることができるので、センサコイル１３は、検温素子ｓとの間で感度よく無線で送受信することができるとともに、対向していない検温素子ｓから出力される電磁波を受信することがない。よって、ダミー用基板ＷＤのより多くの箇所の温度を、精度よく検知することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換器を不要にできて自動化に適し、耐熱性を高め、ウェハの温度分布を測定できるウェハ型温度センサと、これを用いた温度測定装置、温度測定機能を有する熱処理装置および温度測定方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１と、ウェハ１の上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置された複数の温度センサ２ａ，２ｂ…とを備えてウェハ型温度センサ１０を構成し、各温度センサ２ａ，２ｂ…は、電源電圧が入力されたことに応じて、各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく周波数信号を発振する発振回路を備える。 （もっと読む）

【課題】電源を供給する必要がなくて自動化に適し、耐熱性を高め、簡単な回路でウェハの温度分布を測定できるウェハ型温度センサとこれを用いた温度測定装置、温度測定機能を有する熱処理装置および温度測定方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１と、ウェハ１の上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置された複数の温度センサ２ａ，２ｂ…とを備えてウェハ型温度センサ１０を構成し、各温度センサ２ａ，２ｂ…は、高周波信号が入力されたことに応じて、各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく周波数信号を送り返す表面弾性波素子を備える。 （もっと読む）

【課題】測定値のばらつきを少なくすることが可能なエピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の抵抗率の測定方法並びにウェーハの抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成させたエピタキシャル層に金属電極を接触させてエピタキシャル層の抵抗率を測定する際のエピタキシャル層の前処理方法であり、前記エピタキシャル層に炭素含有化合物を付着させ、酸素含有雰囲気中で紫外光を照射することを特徴とするエピタキシャル層の前処理方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 パルス光により励起された半導体に照射した電磁波の反射波若しくは透過波である測定波に基づいて半導体のキャリア寿命測定を行う場合に，励起キャリアのライフタイムが短い半導体を測定する際にも，測定時間の増大や高コスト化をもたらすことなく高精度で測定できること。
【解決手段】 測定波からその強度に応じた電流信号を生成するマイクロ波検出器８と，その生成信号から測定波の強度変化を表す電流信号を生成するＣＲ回路９と，その生成信号の電流値に応じた量の電荷をコンデンサ１０ｂに蓄積することにより，そのコンデンサ１０ｂにより生じる電圧信号（ＣＲ回路９の生成信号の積分信号）を生成し，半導体２における励起キャリアの寿命測定用信号として出力する電荷増幅回路１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】電子部品における破断等の欠陥状態をより詳しく検出し得る欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｃにフェムト秒レーザを照射するレーザ照射器１と、フェムト秒レーザの照射により発生されたテラヘルツ電磁波を検出する電磁波検出器６と、この電磁波検出器で検出された検出信号を入力して半導体基板に断線等の欠陥が存在するか否かを判断するコンピュータ装置とを具備した装置であって、電磁波検出器６を、電磁波の偏向面に対する検出指向特性を有するボウタイ型の第１および第２アンテナ２３，２４と、これら両アンテナを保持するとともに電磁波の検出位置に順次移動させ得る可動ステージ２１とから構成したものである。 （もっと読む）

【課題】 大きいＳ／Ｎ比を得ることができ、簡便に、短時間で、精度良く半導体試料のライフタイムを測定できるライフタイム測定装置およびライフタイム測定方法を提供する。
【解決手段】 反射板２４を用いて検出用電磁波２２の入射波と反射波により形成される定在波２５を形成し、半導体試料２３が配置される位置で定在波の電界強度が極大位置３４、または、その付近に半導体試料２３が配置されるように保持部が制御される。これによって検出手段２９によって検出される反射波強度を可及的に大きくすることができる。したがって検出手段２９は、検出用電磁波２２の反射波強度信号のＳ／Ｎ比を可及的に大きくすることができる。これによって簡便に短時間で精度良く半導体試料２３のライフタイムを測定することができる。 （もっと読む）