【課題】 ３次元集積化構造中の不良を超音波スキャンによって検出することであって、シリコンウエハなどのボードに配列されているシリコン貫通配線（ＴＳＶ）においてプロセス中に発生してしまう可能性のあるボイドの存在を非破壊的に検出すること。
【解決手段】 ボード面にわたって超音波スキャンをすると、（はんだ）バンプ等が物理的な遮蔽物として超音波を散乱させてしまい、超音波スキャンによる測定を妨げてしまう。そこで、これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すにあたって、物理的な遮蔽物を少なく存在するように選び出す。 （もっと読む）

【課題】十分に高い精度で貼り合せ不良部分を検出することができる貼り合せウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】貼り合せウェーハの貼り合せ不良部分の有無を検査する方法であって、貼り合せウェーハに対して超音波を照射した際の貼り合せウェーハ内部からの反射波を用いて貼り合せ不良部分を検出する超音波検査工程と、超音波検査工程を実施した後の貼り合せウェーハに対して粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥離して貼り合せ不良部分を検出するピーリング検査工程とを含むことを特徴とする貼り合せウェーハの検査方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハのクラックを確実に検出できるクラック検出装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１３を、弾性素材を介在させて支柱部材１１と音響センサ１５とで挟み込んで位置決め保持し、この挟持状態において、弾性素材２２を被着した加振部１９を、ウェーハ１３に衝突させて加振し、その際にウェーハ１３に伝わる振動波形を音響センサ１５で検出し、この振動波形の共振周波数よりも高い周波数成分に基づいてクラック検出を行うように構成した。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハをダイシングする前にウエーハの割れを確認可能なウエーハの割れ検出方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの割れを検出するウエーハの割れ検出方法であって、ウエーハに超音波付与手段を接触させてウエーハに超音波を付与する超音波付与工程と、該超音波付与手段を接触させた位置から離間した位置のウエーハに超音波検出手段を接触させてウエーハを伝播した超音波を検出する超音波検出工程と、該超音波検出工程において、該超音波検出手段で検出した超音波の状態に異変がある場合はウエーハに割れが存在し、異変が無い場合は割れが存在しないと判定する判定工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で精度良くウエハのクラックの有無を検査できるクラックの検出方法及びその検出装置を提供すること。
【解決手段】ウエハを一方向に湾曲させたときに発生する所定周波数の音の強度をモニターすることにより、前記ウエハのクラックの有無を判定すること。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な例示的実施形態において、システムおよび関連の方法は、基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬に関する。システムは、基板操作機構などの半導体処理ツール内に組み込むことができる。システムは、１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器を備える。機械的パルスは、基板操作機構を通して基板に結合される。複数のセンサが、変換器の遠位に配置されており、音響的または機械的に基板に結合されるよう構成される。複数の遠位センサは、さらに、機械的パルスとパルスの任意の歪みとの両方を検出するよう構成されている。信号解析器が、複数の遠位センサに接続されており、検出されたパルスおよびパルスの任意の歪みをベースライン応答と比較する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハのボイド検査方法に関し、ボイドの検知条件を最適化し、ボイドの検知に係る作業負荷を軽減するとともに、ボイドの発生要因別に貼り合わせウェーハの良否を判定することができるようにする。
【解決手段】２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて製作される貼り合わせウェーハの、貼り合わせ工程で発生するボイドの検査方法において、ボイドは発生要因により発生位置が異なることを利用してボイドの検知条件を設定し、ボイドの有無を検査する。 （もっと読む）

ウエハーの反りを定量化するための配置構造に関する。プラズマ処理システム内に位置する配置構造が提供される。配置構造はウエハーを保持するための支持機構を含む。配置構造は、ウエハー上の複数のデータポイントの第１測定データセットを収集するように構成された第１センサセットをも含む。第１測定データセットは、第１センサセット及びウエハーの間の最小ギャップを表す。第１センサセットは、プラズマ処理システムの処理モジュールの外部にある第１位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価を行うことができる原子空孔の定量評価装置及び定量評価方法を提供する。
【解決手段】定量評価装置１は、超音波発振部27と超音波受信部28とを有する検出手段５と、完全結晶シリコンで構成されたシリコンウェーハ26に前記超音波発振部27と前記超音波受信部28とを形成したシリコン試料６と、前記シリコン試料６に対し外部磁場を印加する磁力発生手段４と、前記シリコン試料６を５０Ｋ以下の温度域に冷却・制御可能な冷却手段３とを備える。前記超音波発振部27と超音波受信部28とは、前記温度域で温度降下に伴うシリコンウェーハ26の膨張に追随できる物性をもち、電場を印加したまま温度を下げると分子軸が電場方向に配向される高分子材料で形成した薄膜振動子31と、前記薄膜振動子31に電場を印加する電極32,33とを有するトランスデューサ30を備える。 （もっと読む）

【課題】各種の処理が施される半導体ウェハ等の処理対象物の温度を，汚染を回避しつつ高精度で測定することができること。
【解決手段】ウェハステージ２に形成された導波路１３を通じてウェハ１に対し超音波を出力し，ウェハ１に反射して前記導波路１３を通じて戻る反射超音波を検出し，その検出信号と予め設定されたウェハ１の厚みとに基づいて，ウェハ１の温度を算出する。例えば，超音波の周波数掃引を行い，超音波の掃引周波数と超音波の周波数掃引に応じて変化する反射超音波の検出信号の強度とに基づいて，ウェハ１内での超音波の共振周波数を特定し，その共振周波数とウェハ１の厚みとに基づいてウェハ１の温度を算出する。 （もっと読む）

製造プロセスを評価するための方法を記載する。該方法は、光学ポンプビームパルスを生成することと、該光学ポンプビームパルスを試料の表面に向けることと、を含む。プローブパルスを生成し、該プローブパルスを該試料の該表面に向ける。プローブパルス応答信号を検出する。音響信号に応じて変化する該プローブパルスの変化は、プローブパルス応答信号を形成する。該試料を作るために使用される、１つ以上の製造プロセスステップの評価は、該プローブパルス応答信号に基づいて行われる。さらに、該方法は、ＣＭＰプロセスのプロセス制御に使用されてもよい。また、装置も記載される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の板状部材にシートを貼付した状態を検査することのできる検査装置及びシート貼付装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷに接着シートＳを貼付する貼付手段１３と、シート貼付後の半導体ウエハ及び接着シートの総厚、或いは、接着シートの面状態を検出する検査装置２１とを備えてシート貼付装置１０が構成されている。検査装置２１は、厚み、面状態を検出する検査手段として、光センサ５１や、カメラ７０を含む。検査手段による検出データは第１の情報記憶処理手段５２に出力されるとともに、当該第１の情報記憶処理手段５２で所定処理されたデータは、半導体ウエハＷを収容するケース６０に取り付けられた第２の情報記憶処理手段５３に入力される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出にあたり、あらゆる種類の半導体材料に適用可能であり、空隙を有する半導体ウェハを早期に分別可能にする。
【解決手段】厚さ１ｃｍ〜１００ｃｍのインゴットブロック１における平坦面６が、流体状結合媒体３を介して結合された超音波ヘッド２により走査される。超音波ヘッド２は各測定点ｘ，ｙごとに、インゴットブロック１の平坦面６に向けて超音波パルス８を発生し、インゴットブロック１から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_p，ｙ_p，ｚ_pが求められる。 （もっと読む）

【課題】シリコン試料の表面に、適正化を図った薄膜振動子を形成することにより、シリコンウェーハ中の原子空孔濃度を、その濃度を高める等の加速処理を行うことなく、定量的に評価することができる、ウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置等を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハから所定の部位を切り出したシリコン試料５に対し外部磁場を印加する磁力発生手段２と、シリコン試料５を50Ｋ以下の温度域に冷却・制御可能な温度制御手段３と、シリコン試料５の表面に対し超音波パルスを発振し、発振させた超音波パルスをシリコン試料５中を伝播させ、伝播した超音波パルスの音速変化を検出する超音波発振・検出手段４とを有し、シリコン試料５の表面に、前記温度域でシリコン試料５の膨張に追随できる物性をもち、かつＣ軸が所定の方向に揃った薄膜振動子８を直接形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】解析対象試料を破壊又は切断することなく、また、解析対象試料に非接触で、解析対象試料の内部構造を精度良く解析する解析装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、解析対象試料となる半導体基板を水平に保持するステージ2と、解析対象試料に対して出射超音波の周波数を可変に発振する電磁超音波送信部4と、電磁超音波送信部4から発振されて解析対象試料から反射されてきた反射超音波を受信する電磁超音波受信部4と、ステージ2及び電磁超音波送受信部4のうちの少なくとも一方を水平方向に移動可能に制御すると共に該少なくとも一方の水平方向の位置情報を取得する位置制御部1bとを備える。そして、出射超音波と解析対象試料の非解析物質との共鳴により振幅が大きくなった反射超音波の周波数と位置情報から得られる解析位置情報とに基づいて解析対象試料を解析する。 （もっと読む）

【課題】外部ノイズの存在下でも、簡易に基板割れを検出する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板割れ検出方法は、（１）基板に振動を与えることにより音を発生させ、（２）発生した音をマイクロフォンを用いて捉え、捉えた音について音響解析を行うことにより、パワースペクトルを求め、（３）所定の周波数領域のスペクトル強度に基づいて、基板割れの有無を判断する工程を備え、マイクロフォンは、基板に面した開口部を有する覆いで覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）