【課題】コンタクトプラグ／ビアプラグ形成過程のエッチング不足による非導通等によるビアチェーン導通不良等を精度良く短時間で効率的に検出する。
【解決手段】ビアチェーン欠陥試験構造とウエハ回転無しに検査方向を変更して連続で検査できる電子線式欠陥装置により電位コントラスト法の性質を活かして高速に欠陥検出し、致命的な電気的欠陥の捕捉効率および欠陥箇所の探索効率を向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で検査するデバイスの温度を正確に設定できるウエハテストシステムの実現。
【解決手段】テスタ21と、プローバと、テスタとプローバを接続する通信経路25と、を備え、ウエハ上に形成された半導体装置の電気的検査を行うウエハテストシステムであって、プローバは、プローブ18を有するプローブカード17と、ウエハWを保持するウエハチャック11と、ウエハチャックの温度を調整する温度調整手段20と、制御部16と、を備え、テスタ21は、半導体装置内に形成された素子の電気的特性を検出することにより、半導体装置の温度を検出し、検出した温度データをプローバに通信経路を介して送信し、プローバの制御部16は、受信した温度データに基づいて温度調整手段20を制御する。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸のローリング誤差又は移動台のヨーイングによるウエハステージの回転誤差を低減できるプローバ及びプローバにおける回転・移動制御方法の実現。
【解決手段】プローバであって、ウエハＷの電極に接触してテスタの端子に接続するプローブニードル２５を有するプローブカード２４と、ウエハを保持するウエハステージ１６と、ウエハステージを回転すると共にＺ軸方向に移動するＺ軸移動・回転部１５と、Ｚ軸移動・回転部１５を支持するＸ軸移動台１４と、Ｘ軸移動台１４をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する移動ベース１２と、Ｘ軸移動台１４に設けられ、プローブニードル２５の先端位置を検出するプローブニードル位置検出カメラ１８と、ウエハステージ１６にプローブニードル位置検出カメラ１８で検出可能に設けられたターゲットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。 （もっと読む）

【課題】 作業時間を短縮でき、効率よく欠陥を修正できる欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】 装置内に基板を配置し（ステップＳ１）、アライメントを行う（ステップＳ２）。その後、検査データから欠陥データを取得し（ステップＳ３）、その欠陥データに基づきモニタに欠陥部を表示させる（ステップＳ４）。次に、表示された画像から欠陥を見つけて修正が必要であるか否かを判断し（ステップＳ５）、「修正必要」と判断された場合は、更に、修正が可能か否か判断し（ステップＳ６）する。そして、「修正可能」と判断されたもについて、その加工内容及び加工条件を設定する（ステップＳ７）、一方、「修正不能」と判断された場合は、その基板を廃棄し、次の基板を装置内に配置する（ステップＳ１０）。次に、修正が必要と判断された欠陥を連続して加工し（ステップＳ８）、その後、欠陥が修正されているかの判定を行う（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。
【解決手段】試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 （もっと読む）

【課題】少ない電子線の照射量で高いコントラストの露光を行わせ、かつ高精度にウェーハ上にパターンを形成させると共に、高精度な検査を行う。
【解決手段】パターン形成時は、近接効果補正処理を行い、かつ電子線の露光特性の逆特性を有するフィルタ処理結果で電子線を露光する。また、パターンの検査時は、形成したパターンのエッジ周辺を求めるフィルタ結果で電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置により予め検出された欠陥を高いスループットで再検出する。
【解決手段】解像度を変更することなく、外部の記検査装置における前記欠陥位置情報の精度分布に応じて再検出の際の画像サイズまたは画素数を変更する。 （もっと読む）

【課題】 試料に接触させた導電性プローブを介して、荷電粒子ビームとレーザビームとを試料に照射したときの試料情報を検出することのできる試料検査方法を提供する。
【解決手段】 試料５上の所定範囲を走査領域として荷電粒子ビーム１１で走査すると同時に、当該走査領域をレーザビーム１２により走査し、試料５に接触させた導電性プローブ８を介して両ビーム１１，１２の走査時における試料５からの信号を検知し、これによる検知信号に基づいてコンピュータ１７は検査画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】異物の付着や傷などが付いた半導体デバイスを不良品として判定し、検査工程を効率良く行なう。
【解決手段】プローバ装置１０は、プローブカード２０、プローブカード２０が装着されるテストヘッド２１、外観検査用カメラ２２，２３、半導体ウェハ１２を保持するウェハチャック２４、ウェハチャック２４を移動させる移動機構２５、判定回路２６、コントローラ３０とを備える。半導体ウェハ１２には、多数の半導体デバイス１１が設けられている。判定回路２６は、カメラ２２，２３で撮像した半導体デバイス１１の画像データから外観状態が良品又は不良品かの判定を行なう。外観状態が良品と判定されたとき、コントローラ３０は、テストヘッド２１を駆動してプローブカード２０から半導体デバイス１１へ電気信号を授受して電気的特性検査を行い、外観状態の判定で不良品と判定されたときには、電気的特性検査を行なわない。 （もっと読む）

【課題】 電気的接触位置検出処理に関して各種の改良を実現する。
【解決手段】 テスタ30と、プローバ10とを備えるウエハテストシステムであって、テスタとプローバは通信経路で接続され、プローブ26が半導体装置の電極に接触する位置を電気的に検出するために、電極がプローブの直下に位置するように移動した後、ウエハステージ18をプローブに対して上昇させる時に、テスタ30は、プローブが最初に電極に接触した時及びプローブのすべてが電極に接触した時を、プローバに通信経路を介して通知し、プローバはそれぞれの時点の高さ位置を記憶する。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】プローブのプリヒート時間を短縮し、プローブおよびウエハへのダメージを防止できるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】上面に半導体ウエハを載置して半導体ウエハを所定の温度に加熱または冷却するステージと、ステージを上下方向に駆動する駆動機構と、ステージの上方に設置され、半導体ウエハのボンディングパッドと接触して信号を伝達するためのプローブ針を有するプローブカードと、半導体ウエハのボンディングパッドをプローブカードのプローブ針に接触させるように駆動機構を制御する位置制御装置と、プローブ針をボンディングパッドに接触させた後の経過時間を計測する計時手段とを備え、位置制御装置は、半導体ウエハを検査する所定の温度と、プローブ針をボンディングパッドに接触させた後の経過時間とに基づいて、プローブ針にボンディングパッドが所定の歪み量で接触するように、位置補正値を加えて駆動機構の位置を制御する。 （もっと読む）

【目的】 適正な精度で試料検査を行う装置、方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【構成】 パターン形成された同一被検査試料の、複数の部分光学画像データ同士を比較する試料検査装置において、前記被検査試料の、光学画像データを取得する光学画像データ取得部１５０と、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう比較回路１０８とを備え、比較回路１０８において、所定の領域を示す領域パターンの情報に基づいて生成される領域画像データを入力し、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう場合に、前記領域画像データを参照して判定条件を変更し、試料上の欠陥の有無を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを用いたウェハ上パターンを検査する技術において、高分解能で、か
つ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハに電子線を照射し、ウェハの極近傍で反射した電子を検出する
。反射電子により得られる電位コントラスト像のうち、回路パターンのサイズや繰り返し
周期より長い周期で変化する成分のみを、レンズ８、１２、１３により結像し、画像信号
をあらかじめ設定した値と比較することにより、欠陥の有無および位置を計測する。
【効果】微細なパターン像の比較により欠陥を検出するのではなく、表面電位歪みの回路
パターンのサイズや繰り返し周期より長い周期で変化する成分のみを、パターンそのもの
の観察に必要な解像度に比べて低い解像度で観察するため、従来のＳＥＭ式検査に比べ検
査のスループットを飛躍的に高速化することができる。 （もっと読む）

【課題】
複数ある検査条件の中から高感度に検査可能な条件を早く簡単に求める欠陥検査方法とその装置を提供する。
【解決手段】
検査対象となる欠陥種(形状,材料,近接するパターンなど)に対応して、多様な光学機能を備えており、各光学機能別に検出したい欠陥及び検出したくない擬似欠陥の濃淡差などを蓄積し、高感度、低擬似率検査に有利な条件を効率的に選択する。光学系としては、明視野・暗視野・明暗視野複合照明方式や照明波長帯及び、偏光フィルタや空間フィルタなどの条件の選択が可能である。 （もっと読む）

【課題】プロービング装置において、探針の誤選択による探針の破損を回避して、微小素子の電気的特性の測定効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】操作画面に映し出されるＳＥＭ像を見ながら選択された探針を移動させる際に、操作画面に映し出されるＳＥＭ像の変化値をモニタし、ＳＥＭ像の変化値がノイズレベルよりも大きければ、正しい探針が選択されていると判断されて選択された探針の移動を続行し、ＳＥＭ像の変化値がノイズレベルと同等またはノイズレベルよりも小さければ、誤った探針が選択されていると判断されて選択された探針の移動を停止する。 （もっと読む）

【課題】ローコストで、安定かつ安全に受光デバイスを検査する。
【解決手段】受光デバイス６Ａの端子に電気的接続をとる接続部（プローブ４等）と、受光デバイス６Ａに光を照射する光源部９と、振動を検出する加速度センサ２２と、加速度センサ２２の出力から所定周波数の振動成分を抽出する重み付けフィルタ２３Ａ,２３Ｂと、光を照射し、受光デバイス６Ａの端子にバイアスを印加したときに受光デバイス６Ａの端子から出力された受光信号レベル値の有効性を、所定周波数の振動成分のレベル値から判断可能な検査部（ＬＳＩテスタ１）とを有する。
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【課題】 プローブ位置測定においては、パッド滓やクリーニングシート滓の存在によりプローブ位置の正確な測定結果を得ることが困難であった。
【解決手段】 プローブ６１の画像、および、位置を検出するプローブ画像位置検出部と、検出されたプローブ画像を画像処理してプローブ形状を生成する画像処理部と、生成されたプローブ形状の正常性を判断する形状判断部とを備えてプローブ制御装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの回路パターン検査において、パターンの粗密により画像明るさの異なる複数の検査領域を検査するための効率的な検査レシピ作成法の提供。
【解決手段】チップ内でストライプ検査を実施する場合、領域Ａ、Ｂ、Ｃ毎にセル比較領域Ｉ〜ＶＩＩまでの組み合わせが異なってくるので、検査領域Ｉ〜ＶＩＩ毎に検査開始／終了座標、セル比較ピッチ、検査閾値を検査領域情報として登録しておき、ストライプの走査途中でこれらのセル比較ピッチ及び検査閾値を変更してパターン検査を実行する。 （もっと読む）