【課題】複数の重要領域を含むウエハやレチクルを、複数のビームを使用して走査して検査するための効果的なシステム及び方法の提供。
【解決手段】検査システム１０は、（ｉ）ビームアレイ軸により特徴付けられるビームアレイ２０２を生成するように適合されたビームアレイ発生装置２０と；（ｉｉ）ウエハ１００の少なくとも２つの選択された領域を、ビームアレイ軸に沿って位置決めされる少なくとも２本のビームが実質的に同時に走査するようにビームアレイ２０２の下のウエハ１００を位置決めするように適合されたＸステージ３０，Ｙステージ３１およびθステージ３２と；を含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】可変の形状を有する移動する目標表面上に、画像機構の焦点合わせを動的に行う方法を提供する。
【解決手段】（１）目標表面の形状のモデルを作成すること、（２）目標表面の所定数の箇所の相対位置を測定すること、（３）その目標表面の所定数の箇所を用いて、そのモデルを目標表面に適用すること、（４）そのモデルの目標表面への適用によって得られたデータを用いて、移動する目標表面上へ画像機構の焦点合わせすること、によって、目標表面上に画像機構の焦点合わせを動的に行う。 （もっと読む）

製造検査のための方法は、半導体基板及び該基板を覆って形成された非導電層を含むウェーハを受け取ることと、それに続いて、該非導電層を貫通して該基板に達するコンタクト開口のエッチングを実行することであって、該コンタクト開口が、該ウェーハ上の検査領域内に予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含むこととを含む。電子ビームは、該検査領域を照射するように向けられ、該電子ビームに反応して該基板を流れる試料電流が測定される。該試料電流は、該コンタクト開口の寸法を評価するために分析される。
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【課題】
グレインやモホロジーの誤検出や干渉光強度ムラの影響を低減して、様々なプロセスにおけるターゲット欠陥を安定に検出できるパターン欠陥検出方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】
複数波長を出力する照明手段３および４から射出された光を、ビームスプリッタ６で反射しウェハ１に照射する。ウェハ１からの回折光は対物レンズ８で集光され、光変調ユニット７、１１、１３を通して、光検出部１７にてイメージセンサに結像し、信号処理部１８にて欠陥を検出する。ここで、光変調ユニットは複数の光学部品を選択的に用いて対象欠陥に最適化する。 （もっと読む）

【課題】 プローブカードのプローブピンを回路素子の電極パッド上に再現性良く接触させることができるようにしたプローブカードの品質評価方法及びその装置、プローブ検査方法を提供する。
【解決手段】 アライメントによって支持ステージ１１の位置を祖調整した後で、プローブピン３２をＩＣチップ９０の電極パッド９２形成面に対して水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に移動させて、プローブピン３２が電極パッド９２上から落ちたときの支持ステージの座標位置をＸ方向、Ｙ方向についてそれぞれ求める。次に、求めた座標位置から、全てのプローブピン３２を電極パッド９２のうちの対応するものにそれぞれ接触させることが可能な支持ステージ１１の座標位置範囲を把握する。そして、この把握した座標位置範囲の中心を算出して、最適なコンタクトポイントとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶等の基板欠陥検査において、基板全面の電気抵抗および電気容量の分布や傾向を短時間に求めることが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ等の被検査基板９に荷電粒子ビーム１９を照射して、発生した二次電子や後方散乱電子を検出器２０に取り込み、取り込んだ電子数に比例した信号を発生させ、その信号をもとに検査画像を形成させる。一方で、荷電粒子ビームの電流値および照射エネルギー、被検査基板表面での電場、二次電子および後方散乱電子の放出効率等を考慮し、検査画像と一致させるように電気抵抗や電気容量を決定する。電子ビーム照射による帯電を利用し、正常部と欠陥部の電気抵抗値の差を十分増大させた状態で電位コントラスト像を取得して検査を行い欠陥を検出する。このようにして電気抵抗や電気容量を見積もり、基板製造過程の早期に異常対策処理を講じることで基板不良率を低減して生産性を高められる。 （もっと読む）

固浸レンズ３を支持する固浸レンズホルダ５が連結された第一腕部材７１と、この第一腕部材７１を、観察対象物に対して略平行を成すＸ−Ｙ平面内で回動させる第一腕部材回動源７２と、この第一腕部材回動源７２を保持する第二腕部材７３と、第一腕部材回動源７２の回動軸と非同軸の位置を回動軸として、第二腕部材７３をＸ−Ｙ平面内で回動させる第二腕部材回動源７４と、を具備する構成とする。そして、二個の腕部材７１，７３を回動することで、固浸レンズ３をＸ−Ｙ平面内の所望の位置に移動可能とし、直交するＸ方向、Ｙ方向に構成部品を長尺とする必要を無くし、占有領域を小とすると共に簡易な構成とする。これにより、低コスト化を図りつつ、装置の小型化を図ることが可能な固浸レンズ移動装置、及びこれを備えた顕微鏡が実現される。 （もっと読む）

検査対象の試料となる半導体デバイス上に両親媒性分子を含有する光学密着液を滴下し（Ｓ１０４）、その上に固浸レンズを設置する（Ｓ１０５）。続いて、固浸レンズの挿入位置を調整し（Ｓ１０６）、それから、光学密着液を乾燥させて（Ｓ１０８）、固浸レンズと半導体デバイスとを光学的に密着させる。これにより、試料の所望の位置への位置合わせが容易であり、試料に固浸レンズを光学的に確実に密着させることができる試料観察方法及び顕微鏡等が実現される。 （もっと読む）

固浸レンズ３の底面を開口９ｂを通して下方に突出させた状態で当該固浸レンズ３を自重方向に支えるホルダ９を具備する構成とする。これにより、固浸レンズ３が観察対象物に載置されると、当該観察対象物により固浸レンズ３は持ち上げられた状態とされ、ホルダ９に対して自由な状態とされる。また、このとき、観察対象物に過度の圧力が加わることが無くされ、且つ、固浸レンズ３が観察対象物に馴染み密着すると共に、ホルダ９側又は観察対象物側の温度ドリフトが相手側に対して遮断され温度ドリフトによる影響が無くされる。これにより、観察対象物に損傷を与えることを無くすと共に高精度の観察を可能とする固浸レンズホルダが得られる。 （もっと読む）

【課題】形成したポリシリコン膜の状態を、客観的に、非接触で、精度良く、自動的に評価することができるポリシリコン膜評価装置の提供を目的としている。
【解決手段】 アモルファスシリコン膜をアニール処理することによって形成されたポリシリコン膜を評価するポリシリコン膜評価装置１である。ステージ上のポリシリコン膜が形成された基板Ｗに可視光を照射することによって基板Ｗ上のポリシリコン膜の表面画像を撮像してオーフォーカスする可視光観察光学系４や紫外光の照射による紫外光観察光学系６などを備える。そして、紫外光観察光学系によって得られたポリシリコン膜の表面画像からポリシリコン膜の膜表面の空間構造の直線性および周期性を評価し、この直線性および周期性の評価結果に基づき、ポリシリコン膜の状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】 透明な層間絶縁膜上の微細パターンおよび同一層の欠陥を感度良く検出する一方、下層のパターンおよび同一層の欠陥をデフォーカスした状態で検出し、本来検査したい工程の欠陥のみを検出可能とすること。
【解決手段】 本来同一形状となるべきパターンが複数規則的に配置された被検査物の検査装置において、解像度０．１８μｍ以下、より好ましくは０．１３μｍ以下となる照明波長と対物レンズ開口数の関係を備えた撮像光学系と、撮像光学系の結像位置に配置された光電変換器と 撮像光学系とは別に設けられた光路からなり入射角度８５度以上、より好ましくは８８度以上で照明する自動焦点光学系と、自動焦点光学系の検出信号に基づき撮像光学系の焦点位置を調節する手段と、光電変換器の電気信号を処理する手段とを、具備した構成をとる。 （もっと読む）