【課題】より実際に即した位置関係の修正が可能で、オペレータが位置関係の修正を容易行えるようにしたプローブ位置修正方法の実現。
【解決手段】複数の電極パッドP,Qの形成されたウエハ100をプローブカード12の複数のプローブ11に対してＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向に相対的に移動して、電極パッドと前記複数のプローブを接触させる場合の接触位置を修正するプローブ位置修正方法であって、複数の電極パッドと複数のプローブを接触させ(201)、プローブ跡の画像を処理してプローブ跡を認識し(203)、±Ｘ方向と±Ｙ方向の４方向についてプローブ跡の複数の電極パッドの枠に対する余裕距離を算出し(204)、４方向のそれぞれについての最小余裕距離を算出し(205)、４方向の最小余裕距離に基づいて、複数の電極パッドと複数のプローブの接触位置を修正する。 （もっと読む）

【課題】試料にダメージを加えることなく、高分解能かつ高精度で多様な情報を取得することができる半導体評価方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の第１の面側に形成された半導体素子と、半導体素子を覆うように形成された絶縁層とを有する半導体装置より成る試料を、走査型プローブ顕微鏡を用いて評価する半導体評価方法であって、試料の絶縁層が形成されている側が試料台に接するように、試料台上に試料を固定する第１のステップＳ３と、半導体基板の第２の面側を研磨することにより、半導体基板を所定の厚さまで薄くする第２のステップＳ４と、走査型プローブ顕微鏡の探針にバイアス電圧を印加し、探針を半導体基板の第２の面側に接触させ、走査を行いながら探針に流れる電流を測定する第３のステップＳ８とを有し、第３のステップでは、バイアス電圧を順次変化させ、各々のバイアス電圧毎に探針に流れる電流を順次測定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像と参照画像との差画像から欠陥を抽出する検査装置において，位置合わせのための画素間補間演算に時間がかかっていた。また，欠陥の寸法算出や分類を行う場合もサンプリング点数が不足するため，十分な精度が得られない。
【解決手段】検査試料を搭載したステージ１の移動方向に対して２次元センサ３を所定の角度傾けて設置し，ステージ１の移動と同期して撮像，画像を再構成することにより，ウエハ２に対して，２次元センサ３の画素サイズ以下の高密度サンプリングの画像を得ることが出来る。これにより，位置合わせ時の補間演算が不要になり，また，欠陥の寸法算出，分類が高精度に行える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのチップ無効領域における自動外観検査を確実にし、プローブ検査時にチップ無効領域に付着した異物によりプローブ装置における探針が破損するのを防止することのできる外観検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ（Ｋ）の外周付近に形成されたチップ無効領域（ＨＲ）の外観検査を自動的に行う自動外観検査装置（１）であって、チップ無効領域（ＨＲ）を撮像するための撮像光学系（５）と、撮像光学系（５）の光軸（Ｊ１）に対して所定角度（φ１，φ２）傾いた方向からチップ無効領域（ＨＲ）に向けて暗視野照明を行う暗視野照明手段（８）と、暗視野照明手段（８）により暗視野照明された状態で撮像光学系（５）によりチップ無効領域（ＨＲ）を撮像したときに得られる散乱光（Ｌ１’，Ｌ２’）の画像に基づいてチップ無効領域（ＨＲ）における異物（ＩＢ）の有無を判定する判定手段（９Ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】プローブ高さをモニタして、安全かつ効率的に試料表面にプローブを接触させる方法の提供。
【解決手段】試料４にイオンビーム３を照射するイオンビーム光学系１と、イオンビーム３の照射によって試料４から放出された２次電子を検出する２次電子検出器１０と、２次電子検出器１０による検出情報を画像として表示する表示装置１２と、試料４の表面に接触させるプローブ７と、プローブ７の駆動を制御するプローブ制御装置９と、予めプローブ７を試料４に接触させて得られたプローブ先端座標を記録するプローブ基準座標記録装置と、を有し、プローブ制御装置９は、前記プローブ基準座標記録装置の記録座標とプローブ７を接触させるべき試料７上の座標に基づいて、プローブ７の駆動距離と速度とを制御する。 （もっと読む）

【課題】外乱を防止する画像採取装置、及び試料検査装置を提供することにある。特に、宇宙線などの放射線を遮断する画像採取装置、及び試料検査装置を提供すること。
【解決手段】パターンを有する試料に照射する光源と、光源から試料に照射した光を受光して、パターン画像を採取するセンサと、センサ前方に配置され、光路を曲げる光路変更体と、光路を包囲し、センサに入射する放射線を遮蔽する遮蔽体と、を備える、画像採取装置、及び試料検査装置。 （もっと読む）

【目的】参照画像生成モデルの精度をより向上させることが可能なパターン検査方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査方法は、サンプル光学画像データと設計画像データを入力し、参照画像作成モデル関数の複数の係数を取得する工程（Ｓ１０２）と、複数の係数の１つを用いて作成された参照画像データと被検査試料の実光学画像データとを比較して、欠陥候補パターンを検出する工程（Ｓ１０８）と、欠陥候補パターンを含む参照画像データについて、残りの係数を用いて、作成された残りの係数分の参照画像データと欠陥候補パターンを含む実光学画像データとを比較する工程（Ｓ１１２）と、複数の係数分の各参照画像データと欠陥候補パターンを含む実光学画像データとの複数の比較結果のうち、所定の条件に沿った比較結果を出力する工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発振器１からイオン注入物である試料６に対しマイクロ波波を照射し，励起レーザ光源１２から，試料６に対する浸透長がその試料６におけるイオン注入深さよりも短く，かつ試料６のバンドキャップ以上のエネルギーを有する励起光を試料６に照射し，励起光の照射により変化する，試料６からの反射マイクロ波の強度をミキサ１０により検出し，その検出強度の信号からロックインアンプ１５により光励起キャリアのライフタイムの指標値を検出し，その指標値から計算機１６によりイオン注入量を算出する。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの微細化に対応して検査時の画素サイズを小さくする必要がある場合にもスループットの低下を抑制する手段の提供。
【解決手段】回路パターンを有する被検査試料９に荷電粒子線を照射し、発生した信号から画像を取得し、この画像から回路パターンの欠陥を検出する検査方法及び検査装置において、被検査試料９に対して荷電粒子線を走査する方向の検査画素サイズと、被検査試料を載置して移動するステージ３１，３２，３３の移動方向の検査画素サイズをそれぞれ別個に設定して検査する構成とする。 （もっと読む）

【課題】試料ステージ及びプローブ装置の移動範囲が温度制御装置によって制限されることなく半導体試料の温度特性測定を行うことができる不良検査装置を提供する。
【解決手段】ヒータ５５によって試料ステージを加熱し、試料ステージに接続された熱伝達線３４、熱伝達線３４に接続された受熱部３６Ａ、受熱部３６Ａに対し着脱可能な受熱部３６Ｂ、受熱部３６Ａに接続された熱伝導線３５、及び熱伝導線３５に接続された熱伝達棒３７を介して冷媒容器３８に貯留した冷媒により試料ステージを冷却することによって試料ステージに保持された半導体試料２５の温度を調整する。受熱部３６Ａと受熱部３６Ｂを分離して試料ステージ及びプローブ装置の拘束を解くことにより、試料ステージ及びプローブ装置の試料室３０内における移動を可能とする。 （もっと読む）

ＸＹテーブルは、固定基準部分（Ｂ）と、該基準部分（Ｂ）に対して相対的に第１の方向（Ｙ）に移動可能に保持されている中間部分（Ｆ）と、該中間部分（Ｆ）に対して相対的に第２の方向（Ｘ）に移動可能に保持されている物体（Ｏ）とを含む。この場合、処理されるべき部品（Ｗ）が物体（Ｏ）又は基準部分（Ｂ）上に配置される。さらに、第１の方向（Ｙ）に対して、基準部分（Ｂ）と中間部分（Ｆ）との間の平面内自由度（Ｘ、Ｙ、Ｒｚ）を測定するための少なくとも１つの１Ｄプラスエンコーダ（Ｍ_１、Ｍ_２）と、第２の方向（Ｘ）に対して、物体（Ｏ）と中間部分（Ｆ）との間の平面内自由度（Ｘ、Ｙ、Ｒｚ）を測定するための少なくとも１つの１Ｄプラスエンコーダ（Ｍ_３、Ｍ_４）とを含む。これにより、部品（Ｗ）又は物体（Ｏ）におけるツール中心点（ＴＣＰ）の位置（Ｘｏ、Ｙｏ）が測定可能である。１Ｄプラスエンコーダ（Ｍ_１、Ｍ_２、Ｍ_３、Ｍ_４）は、第１及び第２（Ｙ、Ｘ）の方向に広がる平面であってツール中心点（ＴＣＰ）を含む平面内へのそれらの投影が、ＸＹテーブルの全走行領域内で部品（Ｗ）の外側に存在するように配置されている。これにより、アッベ（Ａｂｂｅ）条件が満足されるので、簡単な１Ｄプラスエンコーダを用いて物体（Ｏ）におけるツール中心点（ＴＣＰ）の正確な測定を可能にする。
（もっと読む）

【課題】半導体ウエハを撮像装置で走査して表面画像を取得し、ダイ毎にイメージ比較を行い欠陥を検出する外観検査において、半導体ウエハの表面上の十字形状領域における外観検査の検査速度を向上させる方法の提供。
【解決手段】外観検査装置１は、半導体ウエハ２を載置するための回転可能な試料台１２と、半導体ウエハ２を少なくともＸ方向に移動可能なステージ１１と、を備え、試料台１２を９０度回転させる前後のそれぞれにおいて、ステージ１１をＸ方向へ移動させて撮像部１４で半導体ウエハ２を走査することによって、半導体ウエハ２上の十字形状領域の画像を取得し、十字形状領域においてイメージ比較を行う検査モードを有する。 （もっと読む）

【課題】測定中にコンタクト位置と実際の接触位置との間に誤差が生じたとしてもこの誤差を自動的に補正して良好なるコンタクト精度を確保し、信頼度の高い測定を行うことができるプローブ装置、プローブ方法、記憶媒体を提供すること。
【解決手段】第３ステージ２３に第３スケールＥ３の基準尺Ｅ３１が固定されると共に第３ステージの非可動部に走査ヘッドＥ３２が固定され、計測性能が変化しない第３スケールＥ３によって第３ステージ２３の可動部の位置を計測する。そのため第３ステージ２３のコンタクト位置の変位を検出することが可能となり、変位量に基づいてＺ軸方向におけるコンタクト位置を補正することができる。これにより測定中に熱膨張等によってコンタクト位置に誤差が生じたとしても、この誤差を自動的に補正してプローブ３２とウェハＷの電極パッドとの良好なるコンタクト精度を確保して、電気的測定の信頼度の向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置を簡単に調整する方法を提供する。
【解決手段】光源１から出射された光をパターンが形成された試料１０に照射する、偏光子７を含む照明光学系と、その照射による試料１０の表面からの反射光を受光する、検光子１２を含む受光光学系とを有する欠陥検査装置の調整方法であって、偏光子７及び検光子１２は、照明光学系及び受光光学系にそれぞれ挿脱可能に保持され、偏光子７及び検光子１２のいずれか一方を挿入し、他方を離脱した状態で受光光学系の瞳像を取得し、取得した瞳像に生じる明暗のパターンに基づいて、挿入した偏光子７又は検光子１２を回転調整することを特徴とする欠陥検査装置の調整方法。 （もっと読む）

【課題】反復パターンが形成された試料の表面上の相互に同一であるべきパターンを撮像した検査画像と参照画像とを比較して、その相違部分を所定の検出感度の下で各々検出し、これら相違部分の存在箇所を反復パターンの欠陥として検出するパターン検査において、検査開始時に行われる検出感度の設定に要する時間を短縮する。
【解決手段】所定の第１仮検出感度の下で検査画像と参照画像との相違部分が存在する箇所を欠陥候補として検出し（Ｓ１３）、各欠陥候補の箇所における検査画像と参照画像との間の差画像を所定の記憶手段に各々記憶し（Ｓ１４）、この差画像のグレイレベル値と第２仮検出感度とを比較することによって、Ｓ１３で検出された欠陥候補の各々のうち第２仮検出感度の下で検出される欠陥候補の集合を得る。 （もっと読む）

【課題】
検査中の高速回転のウェーハに対して、リアルタイムでその反り量を検出する。
【解決手段】
被検査体に光を照射する第一の光照射部と、該被検査体からの散乱光を検出する第一の検出器と、前記被検査体に光を照射する第二の光照射部と、前記第二の光照射部の光によって前記被検査体から反射した光を検出する第二の検出器と、前記第一の光照射部の光と前記第二の光照射部の光が前記被検査物上の照射される位置を変わるように前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージと、前記光が照射される位置の位置座標の情報を出力する検査座標検査部と、前記第二の検出器からの検出信号に基づいて前記被検査体の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路と、前記検査座標検査部からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路からの高さ情報に基づいて前記被検査体のそり量を算出するデータ処理部を備えた。 （もっと読む）

【課題】
欠陥候補から擬似欠陥を効率良く探し、できるだけ少ないレビュー回数で擬似欠陥を削除できるしきい値を求める。
【解決手段】
欠陥候補をレビューし欠陥か擬似欠陥かを選択し、その擬似欠陥の特徴量以下の欠陥候補をマップ上から削除または別記号表示することにより、擬似欠陥を視覚的に判断することが可能となる。また選択した擬似欠陥以下特徴量を持つ欠陥候補は、マップ上から削除または別記号表示となっているため、しきい値設定に不必要な欠陥候補をレビューすることがなくなり、従来に比べ大幅にレビューする欠陥候補数が低減できる。さらに上記作業を繰り返すことにより、しきい値が自動で算出され、そのしきい値での検査結果マップも表示されるため、再検査が必要なくなる。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造面を検査対象とする場合であっても、フィルタ設定に手間が掛からず、欠陥を高精度に検出可能な欠陥検出方法の提供。
【解決手段】本発明は、検査画像取得工程と、検査画像を構造物間の境界を成すエッジに基づいて複数の検査領域４１〜４４に分割する領域分割工程と、検査領域をエッジに沿った方向または検査画像の端縁に沿った方向に走査し、当該検査領域の角ｐ_１〜ｐ_６を検出する角検出工程と、隣合う角同士を結ぶ領域分割線分の傾きを求める傾き取得工程と、前記領域分割線分を基準として、当該領域分割線分の傾き方向に対応したフィルタを適用するフィルタ適用領域Ｒ１等を設定するフィルタ適用領域設定工程と、フィルタ適用領域Ｒ１等毎に、対象画素の濃度値とこの対象画素から領域分割線分の傾き方向に沿って対角に配置された比較画素の濃度値とを演算するフィルタを適用するフィルタ処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 被検査物の表面の平坦度を高感度で簡易に検出する。
【解決手段】 被検査物２を乗せるステージ１と、被検査物の上面に対して任意に選択した角度方向からその上面に光を照射する光源５と、光源によって照射されるその上面の領域のエッジに光軸が合うように、被検査物の上面に対して選択した角度方向に置かれ、被検査物の上面の領域のエッジからの反射光を受光するライン・センサ９とを備える、マクロ検査装置１００である。 （もっと読む）

【課題】ステージにかかる偏荷重による位置ずれを補正できるステージの昇降装置を実現する。
【解決手段】ステージをＺ軸方向に移動させる昇降機構と、位置指令値に基づいてステージをＸ軸方向及びＹ軸方向に位置決めする位置決め部とを有するステージの昇降装置において、ステージに加わる偏荷重の大きさと、この偏荷重がステージに加わることによって生じたステージのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置ずれ量とを対応させた補正テーブルを格納し、この補正テーブルは補正テーブル用メモリと、荷重センサと、ステージのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置を検出する位置センサと、位置指令値に基づいて偏荷重が加わっているステージの位置を求め、位置に応じた補正テーブルを選択し、荷重センサの検出荷重から位置ずれ量を読み出すずれ量算出手段と、このずれ量算出手段で読み出した位置ずれ量で補正した位置指令値と、荷重による位置ずれを補正する位置制御部と、を有する。 （もっと読む）