【課題】リソグラフィーの工程で必要とされるホットスポット検査において、広い観察面積を短時間で観察できる高解像度の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数本の電子線１１８で試料１１９上を走査し、それぞれの電子線から放出される２次電子１２０を同一の検出器１１２で取り込むことで、ＳＥＭ画像は複数本の電子線間の相対距離に依存した、位置がずれた画像（ゴースト画像）となる。前記相対距離を調整し、画像処理部１０４で位置ずれを復元することで、画素サイズが大きくても高感度なホットスポット検査装置を実現することができ、広い面積を短時間で観察できる。 （もっと読む）

【課題】不感領域の影響を小さくして検査精度を向上させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１は、ステージ１０と、照明系２０と、受光系３０と、複数の受光部および受光部の周囲に設けられて受光しない不感部を有した撮像素子５０と、撮像素子５０を相対移動させる画素補完駆動部３５と、撮像素子５０が複数の受光部同士の間隔よりも小さい相対移動量で相対移動しながら複数の像を撮像するように画素補完駆動部３５および撮像素子５０の作動を制御する制御部４０と、撮像素子５０により撮像された複数の画像における各画素を画素補完駆動部３５による相対移動に応じた順に並べて合成した合成画像を生成する画像処理部４５とを備え、撮像素子５０の撮像面５０ａ上に、受光部の一部を遮蔽する遮蔽部材が設けられている。 （もっと読む）

【課題】主に、小径ウエハを確実にアライメントすることができること、ウエハを搬送してくるロボットハンドの形状に影響されることなくウエハの受け渡しが可能であることを課題とする。
【解決手段】リフト機構１７のリフトピン１８の上下動の動作が、ウエハ２０の載置部１１がＸ軸移動機構１５とＹ軸移動機構１４とによって動作する平面方向との移動動作とは無関係におこなわれるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗が同じ条件でテストを行うことができる、半導体検査装置、及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】検査対象ウエハを載置する、ステージと、前記検査対象ウエハに形成された電極と接触するプローブ、を有するプローブカードと、前記プローブカードと前記検査対象ウエハとの間の距離を調節する、距離調節機構と、制御装置とを具備する。前記制御装置は、前記プローブカードを介して前記電極と前記プローブとの間の接触抵抗を測定し、接触抵抗データを生成する接触抵抗測定部と、前記接触抵抗データに基づいて、前記接触抵抗が所望の値になるように、前記距離調節機構のオーバードライブ量を決定する、オーバードライブ量決定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】プロービング状態におけるウエハの反りを可及的に抑え、かつ十分な観測視野が得ることが可能なウエハプローバ、及び当該ウエハプローバを用いた故障解析方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１に対して固浸レンズ２３を用いた裏面解析を行うためのウエハプローバ１０であって、
ウエハ１を支持する表面に設けられた凹部１１ａと、この凹部１１ａの底面１１ａ２の一部を貫通する開口部１１ｂとを有するウエハステージ１１と、
凹部１１ａにｘ−ｙ方向に移動可能に収容され、ウエハ１を支持し、開口部１１ｂよりも小さい観測口１２ａを有する、可動プレート１２と、
を備える。 （もっと読む）

【目的】載置台の表面に付着した異物を除去し易く、半導体ウエハまたは半導体チップの裏面に、キズやクラックなどの欠陥を発生させない半導体試験装置を提供する。
【解決手段】この半導体試験装置は、載置台１と、載置台１を上下に移動させる移動手段６と、半導体チップ９の図示しない表面電極（エミッタ電極やゲート電極）と接触し電流を流すプローブ４と、載置台１に付着した異物を吹き飛ばすクリーニング機構であるブローノズル５とで構成され、載置台１の表面をシリコンより硬度が高い材料である、たとえば、超硬合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁部及び導電部を含む回路パターンが形成された基板に対して、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の検査を高精度に行うこと。
【解決手段】絶縁部及び導電部を含む回路パターンがその表層部に形成された基板（ウエハＷ）を真空容器２１内の載置台２２に載置する。次いで前記ウエハＷに対して電荷密度が６．７×１０^-３Ｃ／ｎｍ^２以下の電子線を照射し、前記電子線の照射により放出された２次電子を検出する。電子線の照射位置と載置台とを相対的に移動させて、ウエハＷの検査対象領域全体において、放出された２次電子の検出結果と、ウエハＷ上の電子線の照射位置とを対応付けたデータを取得し、このデータに基づいて、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、偏光状態の違いにより正しく欠陥と、異物との弁別を行うことができない場合も考えられる。
【解決手段】上記課題を達成するために、本発明の第１の特徴は、試料を載置する搬送系と、前記試料の第１の領域に第１の光を照射し、前記試料の第２の領域に第２の光を照射する照射光学系と、前記試料からの光を受光する受光系と、前記照射光学系での時間遅れを記憶する記憶部と、前記受光結果と、前記時間遅れとを用いて、試料に由来する欠陥と異物とを弁別する処理部とを有することにある。本発明の第２の特徴は、前記第１の光の状態と、前記第２の光の状態とを観察する光学条件観察部と、前記光学条件観察部での観察結果をフィードバックする観察結果フィードバック部と、前記フィードバックを用いて前記第１の光と、前記第２の光との光学条件を同じにする光学条件制御部とを有することにある。 （もっと読む）

【課題】暗視野光学式検査装置では、ＴＴＬにおけるリアルタイムでの合焦追従対応が困難である。また、斜め方向からの反射光の位置ズレを検出する方式では、撮像用レンズとの誤差や温度変化等の環境変化および合焦制御ユニットの経時変化によるズレ（オフセット）量を補完することが困難である。さらに検査時の環境等により合焦位置が変化してしまうため、ＴＴＬ開始時においてもある程度の合焦が保たれていなければ、高精度にするためには画像のサンプル数を増やしたりする必要があるため時間がかかってしまう。
【解決手段】ＴＴＬとＳ字カーブ制御を同時積載し、合焦位置認識はＴＴＬ、合焦位置追従動作にはＰＳＤ（ＣＣＤ）方式というように用途を切替えることで、より高精度で短時間の検査を行うことができる。また、ＴＴＬ実行時に前回の合焦位置情報をフィードバックすることにより、ＴＴＬの時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】設置面積を縮小させ、装置が有するケーブルを細くかつ短くすることが可能なウエハテスト装置を提供する。
【解決手段】テスト対象ウエハ１３が載置されるステージ１２を有する筐体１１と、ステージ１２上に配置され、複数のピン２１を有するプローブカード２０と、プローブカード２０に接続され、テスト対象ウエハ１３をテストするために必要な回路が形成されたテストボード１９と、テストボード１９が載置されたテストヘッド１５と、テストヘッド１５を旋回可能に支持するテストヘッド旋回装置１６と、を具備するウエハテスト装置であって、前記テストヘッド１５にはテスト対象ウエハ１３の静特性または動特性をテストする複数のユニット２５乃至２９が収められるとともに、テストヘッド旋回装置１６内には、電源を供給する電源ユニット２３および、テストヘッド１５を冷却する冷却ユニット２２が収められ、ケーブル２９により接続されている。 （もっと読む）

【課題】プローバステージが傾いてしまうことの防止できる、半導体検査装置、半導体ウエハの検査方法、及び半導体ウエハの検査プログラムを提供する。
【解決手段】主面の測定領域に多ピンプローブカードのピン群が当てられる半導体ウエハ、を固定するウエハ固定ステージと、前記半導体ウエハの裏面と当接する当接面を有し、前記当接面により前記半導体ウエハを支持するウエハ測定ステージとを具備する。前記ウエハ測定ステージは、前記当接面の全面が、前記測定領域に対応する領域と当接するように、前記半導体ウエハを支持する。 （もっと読む）

【課題】対外部装置通信用チャンネル数低減と正確・迅速な試験を、簡略化回路構成で可能とする技術の提供。
【解決手段】被検査体の電気試験のための信号処理回路１３０と、電気信号の受け渡しをする回路１３２とを含むテストチップを使用する。信号処理回路１３０は、外部供給パターン情報を基に、信号を発生するフォーマッタ１３４と、信号を基に被検査体駆動信号を発生するドライバー１３６と、被検査体からの応答信号を受けて、被検査体不良信号を受け渡し回路１３２に出力する比較回路１３８とを含む。受け渡し回路１３２は、レイト・ジェネレータ１４４と、不良セルを特定して、外部に出力するフェイル・キャプチャー・コントロール１４６と、基準試験周波数信号を基に、タイミング信号を発生するタイミング・ジェネレータ１４８と、パターン情報を外部から読み出すためのアドレス信号外部に出力するパターン・ジェネレータ１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の向上を図ることができる反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。
【解決手段】
本発明は除振ユニット８を介して架台２上で支持された定盤３と、定盤３上をＸ軸方向に移動するステージ７と、定盤３に連結されたマグネットシャフト４を有するステージ駆動用シャフトモータ６と、を備えるステージ装置１に設けられ、ステージ７の移動により定盤３に加えられる反力を処理するための反力処理機構２０であって、ステージ駆動用シャフトモータ６のマグネットシャフト４の周囲に配置されると共に、マグネットシャフト４との協働により定盤３に力を加える反力処理用コイルユニット２２と、反力処理用可コイルユニット２２に連結されて、反力処理用コイルユニット２２が定盤３に加えた力の反力を架台２に伝達する伝達機構２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の基板検査装置は、基板の検査エリアの設定を簡単にし、且つ検査エリア設定の自由度を確保して効率良く基板の検査を実行することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ８０における「左エッジからの距離Ｒ」と「右エッジからの距離Ｒ」とを検査エリアとする設定がされた際、全体制御部は、この設定に基づいて検査室にロードされる半導体ウエハ８０の検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路に登録する。全体制御部は、演算結果を登録した補正制御回路を用いて検査エリアとしての半導体ウエハ８０の左エッジからの距離Ｒにある領域（５）のチップ８１の斜線で示すセル８２と領域（６）のチップ８１の距離Ｒ内の斜線で示すセル８２、及び半導体ウエハ８０の右エッジからの距離Ｒにある領域（８）のチップ８１の斜線で示すセル８２と領域（７）のチップ８１の距離Ｒ内の斜線で示すセル８２の自動検査を制御する。 （もっと読む）

【課題】照明光を短波長化しなくても、確実に繰り返しピッチの微細化に対応できる表面検査装置および表面検査方法を提供する。
【解決手段】被検基板２０の表面に形成された繰り返しパターンを直線偏光Ｌ１により照明する手段１３と、表面における直線偏光Ｌ１の振動面の方向と繰り返しパターンの繰り返し方向との成す角度を斜めに設定する手段１１,１２と、繰り返しパターンから正反射方向に発生した光Ｌ２のうち、直線偏光Ｌ１の振動面に垂直な偏光成分Ｌ４を抽出する手段３８と、偏光成分Ｌ４の光強度に基づいて、繰り返しパターンの欠陥を検出する手段３９,１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを観察できる試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料観察方法は、電子ビームを用いて試料のパターンを観察する。この方法は、試料に電子ビームを照射し、電子ビームの照射によって生じるミラー電子を検出し、検出されたミラー電子から試料の画像を生成する。電子ビームを照射するステップは、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーＬＥが調整された電子ビームを試料に照射する。好適な条件は、ＬＥＡ≦ＬＥ≦ＬＥＢ＋５[ｅＶ]である。 （もっと読む）

【課題】検査対象試料に形成されるパターンの依存性が低減される自動焦点調節機構及びこの自動焦点調節機構を備える光学画像取得装置を提供する。
【解決手段】自動焦点調節機構においては、パターンが形成された検査対象試料１０が載置部１２に載置され、検査対象試料１０のパターン形成面に視野絞り１６に形成されたスリット２０を通過した観察用光ビームが照射される。反射して生じた反射光ビームが分岐される。分岐された反射光ビームの夫々の光路上には、略菱形状の開口２６が形成された焦点調整用開口絞り２４Ａ，２４Ｂが配置されている。略菱形状の開口２６を通過した夫々の反射光ビームの光量が焦点調整用受光器２８Ａ，２８Ｂで検出される。検出された検出光量の差に基づいて載置部１２の位置が焦点調節装置３６によって制御される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの検査測定における品質及び生産性の向上を目的とする。
【解決手段】高温ステージ２６ａと低温ステージ２６ｂとを有するチップ測定用ステージ３００と、チップ測定用ステージ３００を移動する機構２８，２９と、チップ吸着固定部２４と、プローブ支持部２２とを有する半導体チップ検査装置１００において、チップ測定用ステージ３００は、チップを測定する位置に、高温ステージ２６ａ及び低温ステージ２６ｂが自動的に移動され、チップ吸着固定部２４は、プロービングストッパの構造を有し、かつ、熱伝導性が優れた部材を有し、プローブ支持部２２は、チップの材料またはチップの熱膨張係数と略同一の熱膨張係数の材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 検査途中における平行度調整を容易にすることにある。
【解決手段】 プローブカードに関する情報を処理する方法は、基板、該基板に配置された複数のプローブ及び前記基板に配置された記憶装置を備えるプローブカードに関する情報を処理する方法であって、少なくとも３つの第１の基準プローブと、針先高さ位置が揃っている少なくとも３つの第２の基準プローブとを決定し、プローブの最適オーバードライブ量を決定し、前記第１の基準プローブの針先のＸＹ座標位置、前記第２の基準プローブの針先高さ位置、及び前記最適なオーバードライブ量を前記記憶装置に書き込むこととを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】試料を保持する試料ステージと、前記試料に電子線を照射する電子光学系を有するカラムと、前記電子線の照射により前記試料から発生した信号に基づいて第一および第二の画像を取得する画像取得部と、前記第一の画像から予め指定された種類の欠陥の有無を判定する画像演算部とを有し、前記画像演算部によって当該欠陥があると判定された場合、前記電子光学系は、前記第一の画像を取得したときの電子線と試料面のなす角度とは異なる角度で前記試料に電子線を照射し、前記画像取得部は、前記試料から発生した信号に基づいて第二の画像を取得する。 （もっと読む）