【課題】
半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からＴＥＭ観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。
【解決手段】
同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部（ＳＥＭ部）１と試料作製加工用のイオンビーム部１０１とを併設し、ＳＥＭ部１によるウエハ７の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ７上の欠陥（異物やパターン欠陥）の存在部位からのＴＥＭ観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ８上で一貫して行なえるようにした。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、高温検査を安定して実施できる半導体装置の検査装置および安定した高温検査を実現できる検査工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ５が載置されるステージ６を備える。ステージ６は、ウエーハ５が載置される基板載置面と平行な方向に移動可能に構成される。また、ステージ６と対向する位置には、プローブカード１が設置される。プローブカード１は、ステージ６へ向けて突出し、ステージ６に載置されたウエーハ上に形成された半導体装置と電気的に接触するプローブ針２を備える。さらに、本検査装置１０は、プローブ針２に向けて不活性気体３を噴出するノズル９と、プローブカード１下面からステージ６へ向けて突出し、プローブ針２が配設された領域を取り囲む仕切板４を備える。 （もっと読む）

【課題】パターンのムラと、欠陥等の検査を１台の検査装置により実現すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置１０は、試料３０上に形成されたパターンを検査する検査装置であって、試料３０に照明光を照射する光源１１と、試料３０のパターンに対する光学的なフーリエ変換面に配置され、試料３０からの回折光又は散乱光を反射するデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）１３と、ＤＭＤ１３と共役な位置に配置され、ＤＭＤ１３で反射された光を受光する光検出器１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】敏速且つ能率的にプローブ検査することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】ウェハ状の基板上に配置された複数の被検査体を検査するプローブ装置において、プローバ室と；プローバ室内に配置され、第１の枠構造をなし、その中心に第１の空間を有するＸ−Ｙステージ１２と；Ｘ−Ｙステージ１２上に配置され、第２の枠構造をなし、その中心に第１の空間と連続する第２の空間を有する基板固定機構２３と；プローバ室内において、ウエハ状の基板と対向して配置され、かつ複数のプローブを有するプローブカード１４と；第１の空間内に配置されたプロービングステージ昇降機構２４と；プロービングステージ昇降機構２４に取り付けられ、プロービング昇降機構２４により上昇した際に、基板の底面に接触して基板を下方から支持するプロービングステージ３と、を具備する。 （もっと読む）

【目的】検査処理時間を短縮させる基板検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の基板検査装置１００は、基板１０１を検査する基板検査装置１００において、水平方向に移動するＸＹステージ１２１と、前記ＸＹステージ１２１上に配置され、上下方向と回転方向に移動するＺ・θステージ１２２と、基板１０１の検査面の高さ位置が、Ｚ・θステージ１２２の重心高さ位置に配置されるように基板１０１を保持する保持具１０２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図りかつ高いスループットを得ることができるプローブ装置を提供すること。
【解決手段】ウエハチャック及びプローブカードの間の高さ位置にて水平方向に移動可能なアライメントブリッジに、各々その光軸が互いに離間し、ウエハ表面を撮像するための視野が下向きなウエハ撮像用のマイクロカメラ７１、７２を設けているので、ウエハの位置情報を得るためにウエハを撮像するときにウエハチャックの移動量が少なくて済む。このため装置の小型化を図ることができ、またウエハの位置情報の取得に要する時間も短縮できるので高スループット化に寄与できる。更にマイクロカメラ７１、７２を互いに接離自在に設け、その離間距離がウエハ上の２つの特定点の互いの離間距離となるように調整することができるため、ウエハチャックを静止させたまま他の１つの特定点の撮像を行うことができ、より一層高スループット化に寄与できる。 （もっと読む）

【目的】 適正な精度で試料検査を行う装置、方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【構成】 パターン形成された同一被検査試料の、複数の部分光学画像データ同士を比較する試料検査装置において、前記被検査試料の、光学画像データを取得する光学画像データ取得部１５０と、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう比較回路１０８とを備え、比較回路１０８において、所定の領域を示す領域パターンの情報に基づいて生成される領域画像データを入力し、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう場合に、前記領域画像データを参照して判定条件を変更し、試料上の欠陥の有無を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、検査する試験基板（１）を温度調節可能なチャック（２）によって保持して所定の温度に設定し、少なくとも一つの位置決め機器（３，４，５，６，７，８）を用いて、検査プローブ（３２）に対して相対的な位置に試験基板（１）を配置して、検査のために検査プローブ（３２）と接触させる、所定の温度条件の下で試験基板（１）を検査する方法及び装置に関する。温度調節機器（２０，２７，２８）を用いて、温度調節する試験基板（１）の周辺領域に有る、位置決め機器（３，４，５，６，７，８）の少なくとも一つの部品の温度を試験基板（１）の温度と独立して設定するとともに、その温度を一定に保持することを提案する。
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【課題】設計データ領域での検査データに位置を決めるための様々な方法と装置を提供する。
【解決手段】一つのコンピューター実施の方法はウエハーの画像化により得られる位置合わせ標的の画像を用いてウエハー上に形成される位置合わせ標的の図心を決める工程を含む。その方法はまたその図心をその位置合わせ標的を表わす幾何学的形状の図心と位置合わせすることを含む。さらに、その方法は位置合わせ標的の図心の設計データ領域での位置を設計データ領域での幾何学的形状の図心の位置として割り当てる工程を含む。その方法はさらに位置合わせ標的の図心の設計データ領域での位置に基づいて設計データ領域でのウエハーについて得られる設計データの位置を決める工程を含む。 （もっと読む）

【課題】試料移動ステージをスライドさせて生じるスライドの変形が試料テーブルに伝達されることを防止する試料移動ステージに関する。
【解決手段】ベースフレームに取り付けられ第１のガイドブロックに沿って移動する第１のスライド、および前記第１のスライドに取り付けられかつ第２のガイドブロックに沿って移動する第２のスライドが相互横断方向に取り付けられる可動部と、前記第２のスライドに形成されたひずみメカニズムモジュール５０を仲介して取り付けられた試料テーブルによって試料を移動させる。前記ひずみメカニズム５０は、上下方向に沿って一定間隔で上記第２のスライドの上面を規則的に貫通する多数の緩衝孔５３と、前記緩衝孔５３の中心に当たるように切断され、かつ上記試料テーブルが取り付けられるブリッジ部５６および取付部５２の変形空間を提供する多数の変形ライン５４とからなり、スライドによる変形が試料テーブルに伝達されない。 （もっと読む）

【課題】光透過性を有する基材の厚み寸法のバラつきに伴い結晶性評価精度が悪化するのを抑制することができる半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体薄膜の所定の照射領域にキャリア励起光を照射する励起レーザ１と、赤外光を放射する半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に対し強度変調された電流を供給することにより、当該半導体レーザ１０に波長の異なる複数種の赤外光を照射させることが可能な高周波パルス電源１８と、シリコン半導体薄膜５ａ又は基材５ｂにおいて反射された反射光であって、前記複数種の赤外光のうちの少なくとも２種の赤外光を含む反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器１３と、前記検出信号に基づいて前記シリコン半導体薄膜５ａの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。
【解決手段】励起光レーザ３と、赤外光レーザ４と、赤外光の波長よりも小さな直径の小孔６ａを有し、当該小孔６ａの一方の開口に照射された赤外光を、当該孔６ａの他方の開口から滲み出る近接場光Ｌ１としてシリコン半導体薄膜２ｂに照射することが可能な金属膜６と、赤外光レーザ４から放射された赤外光のうち孔６ａの他方の開口の手前側で反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器２３と、前記検出信号に基づいて薄膜２ｂの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェハを基板検査装置に取り付ける際の偏心等に影響されることなく、ウェハの外周端部が検査できる基板検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る基板検査装置１は、ウェハ２を保持するウェハ支持部１０と、ウェハ２の端部を観察するラインセンサカメラ２１、２次元カメラ２２、２３、２４と、ウェハ支持部１０とラインセンサカメラ２１、２次元カメラ２２、２３、２４とを相対移動させる移動部と、相対移動中にラインセンサカメラ２１、２次元カメラ２２、２３、２４がウェハ２の端部を観察できるように移動部を制御する制御部とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハーを検査するように構成される装置を提供する。一つの装置は斜めの入射角でウエハーに光を向けることによりウエハー上の区域を照明するように構成される照明の下位組織を含む。その装置はまた照明される区域の中の異なる地点から散乱される光を同時に集めるようにそして異なる地点から集められる光を映像面の対応する位置に焦点を結ばせるように構成される集光の下位組織を含む。さらに、その装置は映像面の対応する位置に焦点を結ぶ光を別々に検出するようにそして映像面の対応する位置に焦点を結ぶ光に応答する出力を別々に生成するように構成される検出の下位組織を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ステージの位置ズレ補正制御だけに頼ることなく、被検査物を撮影した撮像画像の位置補正や被検査物を撮影するイメージセンサの向きを調整補正する等の対応により、異物やパターン欠陥が高速・高精度に検出でき、コストＵＰが抑制できる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、移動するステージに搭載されている被検査物をイメージセンサで撮影する検査方法において、撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実際位置との位置ズレ量を求め、撮影した前記目標位置の撮影範囲からの撮像画像切り出しで、前記位置ズレ量に見合った切り出し位置補正をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像を参照し、不良観察画像での反応情報に対応して解析領域を設定し、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、複数の配線での他の配線と候補配線との間の距離を参照して、候補配線に対する近接配線情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】基板と光学系とを相対的にＸ方向及びＹ方向へ移動して基板の検査を行う際、基板の移動範囲を小さくして、装置を小型化する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の表面を４つの検査領域に分割する。半導体ウェーハ１をステージによりＸ方向に半導体ウェーハ１の直径（２Ｒ）の半分の距離（Ｒ）だけ移動し、光学系をＹ方向に半導体ウェーハ１の直径（２Ｒ）の半分の距離（Ｒ）だけ移動して、１つの検査領域の検査を行う。１つの検査領域の検査が終了したら、半導体ウェーハ１を９０°回転させて、検査領域を切り替える。これらを繰り返すことにより、半導体ウェーハ１の表面全体の検査を行う。検査装置が半導体ウェーハの移動のために占有する面積は、３Ｒ×２Ｒとなる。 （もっと読む）

【課題】高周波測定でのノイズの影響を低減することができ、かつ構成の簡素化を図ることにより安価に製造することができる半導体試験装置を提供する。
【解決手段】電極パッドを有する多数の集積回路が作り込まれた半導体ウエハの電気的検査に用いられる半導体検査装置。半導体検査装置は、プローブカードと、該プローブカードへの接続部を有するテスタとを含む。前記プローブカードは、前記半導体ウエハの前記電極パッドに接続可能の多数のプローブと、一方の面に前記プローブが取り付けられるプローブランドを有し、他方の面に前記プローブに対応するテスタランドを有し、さらに対応する前記プローブランドおよびテスタランドを接続する配線路を有するプローブ基板とを備える。前記テスタは、前記接続部が前記テスタランドに接触することにより、前記プローブカードに直接的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】プローバにおけるプローブと電極の接触動作を短時間で行えるようにしてスループットを向上したプローバを低コストで実現する方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】ウエハを保持するウエハチャックと、ウエハチャックをＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向に移動するＸＹ移動機構及びＺ移動機構と、プローブカード２３を保持するヘッドステージ１３と、を備えるプローバであって、ヘッドステージ１３の傾きを変化させると共に移動するヘッドステージ支持機構のモータ５１，ギア５２，送りネジ機構５４，ガイド５６等を備え、プローブ２４に電極を接触させる時には、ＸＹ移動機構により電極がプローブの直下に位置するように移動した後、Ｚ移動機構により電極がプローブに接触した所定位置まで移動し、その後ヘッドステージ支持機構によりヘッドステージ１３を移動してプローブを電極に所定範囲の接触圧で接触させる。 （もっと読む）

【課題】プローブ装置において被検査基板上の被検査チップの電極パッドとプローブとを、高さ方向について高精度に位置合わせが行われた状態で接触させることができる技術を提供すること。
【解決手段】予め被検査基板とは別の基準基板を用いて取得され、基準基板上の複数の基準点の各々と、撮像手段による基準点の撮像結果に基づいて計算により求められた駆動系座標上の接触位置と実際の接触位置とのＸ，Ｙ，Ｚ方向毎の差分である補正量と、を対応付けた補正データを用いて、測定用ウエハについて計算により求めた座標位置を補正する。 （もっと読む）