【課題】省スペース化及び低コスト化が可能な半導体ウェハ試験装置を提供する。
【解決手段】プローブカード３２１が電気的に接続された複数のテストヘッド３２ａ〜３２ｄと、半導体ウェハＷを保持可能なウェハトレイ２と、ウェハトレイ２に保持された半導体ウェハＷをプローブカード３２１に対して相対的に位置決めして、ウェハトレイ２をプローブカード３２１に対向させるアライメント装置５と、を備えており、ウェハトレイ２は、当該ウェハトレイ２をプローブカード３２１に引き寄せる減圧機構を有し、アライメント装置５は、テストヘッド３２ａ〜３２ｄの配列方向に沿って移動することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】画像処理を用いた回路パターンの欠陥検査では、検査対象となる回路パターンの画像を撮影する。このとき、撮影する毎にカメラを移動・停止していると、画像データの取得に時間がかかってしまうという課題があった。
【解決手段】複数の被検査物（回路パターン）が配列された基板に対して、撮影用のカメラを一定速度で移動させながら、予め決めておいた視野位置で連続的に撮影を行う。このため被検査物の配列情報とシステム側のハード的、ソフト的な拘束条件から、移動速度、撮影タイミングなどを予め求めておく。 （もっと読む）

【課題】集積回路のデバイス構造をナノプロービングするための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、デバイス構造の第１の領域全体にわたって、第１の領域に近接する少なくとも１つのプローブを使用して、１次荷電粒子ビームを走査することを含み、デバイス構造の第２の領域は１次荷電粒子ビームからマスクされる。この方法は、２次電子イメージを形成するために、デバイス構造の第１の領域および少なくとも１つのプローブから放出される２次電子を収集することをさらに含む。２次電子イメージは、結像部分としての第１の領域および少なくとも１つのプローブと、非結像部分としての第２の領域とを含む。別の方法として、第２の領域は、第１の領域よりも速い走査速度で荷電粒子ビームによって走査可能であるため、結果として第２の領域は２次電子イメージの結像部分でもある。 （もっと読む）

【課題】被検査対象基板上に繰り返して形成される様々な回路パターン上に生じる欠陥または異物を、光学条件に依存せず、正常な回路パターンと弁別して欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】被検査対象基板から取得した画像信号に対して、着目画素を含むその周囲に切り出す着目局所領域と、前記着目画素に対応する複数の対応画素の各々を含むその周囲に切り出す複数の対応局所領域の各々を設定し、該設定された着目局所領域の画像信号と前記局所領域設定ステップで設定された複数の対応局所領域の画像信号との類似度を探索し、該探索される類似度情報を用いて、前記着目局所領域の画像信号に類似する前記対応局所領域の画像信号を複数決定し、該決定した前記複数の対応局所領域の画像信号と前記着目局所領域の画像信号とを比較して総合的に欠陥を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接触体と被検査体との接触を安定させ、電気的特性の検査を適正に行う。
【解決手段】プローブ装置１に設けられたプローブカード２は、接触体１０を支持する支持板１１と、支持板１１の上面側に設けられた回路基板１２とを有している。回路基板１２の上面には連結部材１４が設けられ、連結体１５により連結部材１４と支持板１１が連結されている。連結部材１４の上面には、接触体１０とウェハＷの電極パットＵとの接触荷重を一定に維持する複数のバネ部材２０が設けられている。連結部材１４の外周部には、支持板１１の水平方向の位置を固定する複数の板バネ２４が設けられている。回路基板１２と支持板１１の間には、当該回路基板１２と支持板１１を弾力的且つ電気的に接続する複数の中間部材３０が設けられている。 （もっと読む）

一実施形態において、第１方向にクリアランス高さを通ってステージを加速し、ステージを第１方向に減速しながら第２方向に加速する方法およびシステムが示される。ステージは第３方向に移動し、第３方向にステージをさらに引き続き移動させる前にステージの第２方向の移動が閾値未満であるかどうかについて判定が行われる。第１方向は第２方向に垂直であり、第３方向に平行かつ第３方向と逆である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ステージ本体の伸びや反りなどの変形を容易に低減させるようにしたステージ、そのステージを備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。
【解決手段】Ｙ軸ステージ４は、長尺状で長手方向に延在する断面コ字状のステージ本体２０と、ステージ本体２０のＸ軸ステージ（テーブル）７側の第１の面（上面）２０ａで長手方向に延在すると共に、Ｘ軸ステージ７を一方向（Ｘ軸方向）に案内するための一対のガイドレール１５Ａとを備えている。さらに、長手方向に延在するステージ本体２０には、一対のガイド部１５Ａの間においてステージ本体２０の第１の面２０ａ側で長手方向に延在する第１の補強部２１と、第１の面２０ａに対して平行に延在する第２の面（下面）２０ｂで長手方向に延在する第２の補強部２２とが固定されている。そして、第１の補強部２１と第２の補強部２２とでステージ本体２０を挟み込むようにしている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ等の基板に欠陥などを生じさせることなく、ウェハを帯電させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 （もっと読む）

【課題】層厚の厚い窒化物半導体層を有している窒化物半導体装置、及びＨＥＭＴが作り込まれている窒化物半導体装置を検査する場合においても、欠陥を確実に励起させ、かつ欠陥に由来するイエロールミネッセンスを精度良く検出する。
【解決手段】サファイア基板１５の表面に形成されたＧａＮ（窒化物半導体層）１７に対して、表面と対向する裏面側から、第１励起光４７を、サファイア基板を透過させて照射する。そして、第１励起光４７によって窒化物半導体層１７に発生し、かつサファイア基板１５の裏面から出射される、欠陥に基づくイエロールミネッセンス４９の第１強度を検出することによって、第１強度から窒化物半導体層１７の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】検査時にチャックトップ１１の外周近傍に偏荷重が作用してもチャックトップ１１を常に水平に保持し、ひいては検査の信頼性を高めることができる被検査体の載置機構を提供する。
【解決手段】本発明の被検査体の載置機構１０は、ウエハを載置するチャックトップ１１と、このチャックトップ１１を正逆回転可能に支持する支持台１２と、この支持台１２上でチャックトップ１１を正逆回転させるθ回転駆動機構１３と、支持台１２に対してチャックトップ１１を昇降案内する昇降案内機構１６と、を備え、且つ、支持台１２は、チャックトップ１１を支持台１２上に真空力により吸着固定するための真空排気路１４Ｂを有する真空吸着部１４と、チャックトップ１１を圧縮気体により支持台１２から浮上させ、あるいは圧縮気体を解除してチャックトップ１１を支持台１２上に着地させる気体供給部１５を有する昇降機構と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 干渉計から発射される測定波を反射させる反射体の面積を小さくすることができる技術を提供する。
【解決手段】 移動ステージ装置１０は、固定フレーム１２と第１〜第３フレームとステージ２６と第１干渉計１８と第１〜第３ミラーと移動量算出装置を備える。第１フレーム２４は固定フレーム１２に対してＸ軸方向に、第２フレームは第１フレーム２４に対してＹ軸方向に、ステージ２６は第２フレームに対してＺ軸方向に、それぞれ直線移動可能である。第１干渉計１８は固定フレーム１２に、第１ミラー３４は第１フレーム２４に、第２ミラーは第２フレームに、第３ミラー３８はステージ２６に、それぞれ取り付けられている。第１干渉計１８からＸ軸方向に発射されたレーザ光１８ａは、第１ミラー３４、第２ミラー、第３ミラー３８に反射されて、第１干渉計１８に入射する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて欠陥候補を高速に抽出することが可能な電子線を用いた基板の検査装置を提供する。
【解決手段】回路パターンを有する基板に電子ビームを照射し、基板を一定速度又は加減速しながら連続で移動させ、該移動による位置をモニタし、基板の座標に応じて電子ビームの照射位置を制御し、移動の速度より遅い速度で基板の部分領域の画像を検出し、該検出した画像に基づいて欠陥候補を検出し、検出された欠陥候補をマップ形式で表示する構成を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスＳのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光Ｌ１による２次元走査を行う。また、半導体デバイスＳの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスＳに対して固浸レンズ３６を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ３０により、固浸レンズ３６を介して半導体デバイスＳの検査範囲内を検査光Ｌ１によって２次元走査するとともに、半導体デバイスＳから出射された電磁波を光伝導素子４０で検出する。 （もっと読む）

【課題】キラー率が高い欠陥のサンプリング数を低下させずに欠陥データを解析に用いることが可能な欠陥検査装置、欠陥検査システム及び欠陥データ処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１１上の欠陥データを欠陥検査装置１００の検査部１１０で取得して記憶部１２２に格納し、得られた欠陥データを記憶部１２２内に予め格納している所定の分類基準に基づいて分類判定部１２３により欠陥種に分類する。分類された欠陥データに対して詳細な観察を行うレビューの対象とする第一のデータリストと、レビューの対象には含めないが解析を行う必要がある欠陥データを第一のデータリストに加えた第二のデータリストを処理演算部１２４で生成し、それぞれを他の検査工程において取得されたデータリストと重ね合わせ、レビューの対象には含めないが解析を行う必要がある欠陥の発生原因及び発生工程を特定する。 （もっと読む）

【課題】装置のメンテナンスまでの期間の間、摺動部に塗布された潤滑剤の枯渇を防止し、駆動部の安定性と信頼性の高い荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】真空室内にて移動する移動部材の摺動部分に潤滑剤を塗布した荷電粒子線装置において、当該潤滑剤として、以下を満足するものを採用する。（１）押圧下で潤滑剤の分解反応が開始する累積摺動時間（インダクション時間）が１４０時間以上である。（２）潤滑剤の分解反応がおこる押圧（臨界面圧）が０．５ＧＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】 積層膜構成中の欠陥検査において、フォーカス位置を正確に制御して、各膜上、又は膜中の欠陥を的確に捉える。
【解決手段】 欠陥検査装置（１）は、ウェーハ上の屈折率を測定する屈折率測定手段（１０）と、前記ウェーハの画像データを取得して欠陥を検出する欠陥検出光学系（２０）と、前記測定した屈折率を膜種ごとに分類し、設計された成膜情報から欠陥撮像光学系のフォーカス位置を決定する制御部（４５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気的ノイズやヒートスポットを発生することなく信頼性の高い検査を高精度に行うことができる被検査体の受け渡し機構を提供する。
【解決手段】本発明の受け渡し機構１０は、互いに所定の間隔を空けて載置台２０（載置体２２）上を横切って配置された２本の絶縁性及び耐熱性のある線材１１と、これらの線材１１それぞれを載置体２２の載置面に対して平行に張設し且つ載置体２２の水平方向外側にそれぞれ配置された２対の支持体１２と、これらの支持体１２によってそれぞれ張設された各線材１１を収納するように載置体２２の載置面にそれぞれ形成された２本の溝１３と、各線材１１を載置体２２の上方と各溝１３間で昇降させる昇降駆動機構２３と、を備え、２本の線材１１を介してウエハ搬送機構４０と載置体２２との間で半導体ウエハＷを受け渡すように構成されている。 （もっと読む）

【課題】アライメンに使用するテンプレート画像を最適な方法で登録し、パターンマッチングのエラー、及び評価に要する時間を低減する。
【解決手段】最適なテンプレートのアライメントマークとの選定や識別及び類比判断を、異物検査装置に配備した相関値の演算機能により実践する。すなわち、異物検査装置に、被検査物の表面に形成されるアライメントマークの特徴点を登録する装置と、前記被検査物の表面上に形成されたアライメントマークの画像データを採取する装置と、前記画像データから特徴点を抽出し双方の特徴点より相関値を算出するデータ演算処理装置とを備え、前記相関値の閾値に基いて前記アライメントマークの画像データを登録する。 （もっと読む）

【課題】被検査体における内部析出物、空洞欠陥、表面の異物ないしスクラッチ、表層のクラックの欠陥を精度よく検出し、欠陥の種類を特定して欠陥を分類できるようにする。
【解決手段】光源装置４からの光をポラライザー５を介して偏光を与えて被検査体Ｗに対し斜め方向に入射させ、その散乱光ＳＢを暗視野に配置された偏光分離素子９を有するＣＣＤ撮像装置７で撮像し、得られたＰ偏光成分画像とＳ偏光成分画像とについて成分光強度を得て、それらの比としての偏光方向を求める。被検査体に応力を印加していない状態と、応力を印加した状態の光散乱体の撮像により得られた画像から成分光強度、偏光方向を求め、所定の閾値と対比することにより欠陥の検出、分類がなされる。 （もっと読む）