【課題】検査速度の低下を伴うことなく、かつ装置容積に占める信号処理部の比率を増加させることなく、データメモリのオーバーフローを回避し、ウエハ全面の検査データを取得するが可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】後処理手段１１１のブロック化手段３００は前処理手段からのデータを任意のデータ数で１ブロックとし１ブロックで１データを取り出す。ブロック化手段３００は状態監視手段３０２の指示でブロック化数を変更する。閾値処理手段３０１は設定閾値に従いブロック化手段３００からのデータに対し閾値を越えた場合にデータを取得しメモリ３０３へ送る。状態監視手段３０２はメモリ３０３の空容量を監視しメモリ３０３内の空き容量の減少を検知した場合ブロック化手段３００に対し、メモリ３０３がオーバーフローしないように１ブロックのデータ数を増加させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内又は基板上に形成された構造内の埋込ボイドを検出するための方法を提供する。
【解決手段】構造を形成するための少なくとも１つの処理ステップを実施する工程と、基板の質量Ｍ_１を測定する工程と、熱処理を実施する工程と、基板の質量Ｍ_２を測定する工程と、前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第１の欠陥検査処理（ステップＳ１１）を実行した後、その第１の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する（ステップＳ１２，Ｓ１３）。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第１の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程（Ｓ１０１）と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程（Ｓ１０２）と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程（Ｓ１０３）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターニング前工程にて半導体製造基板の歩留りへの影響を受けず、ＳＥＭレビューを可能とする半導体装置の製造方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】製造装置３０ａにて所定の製造処理が施されたウェハＷは、検査装置１０にて欠陥が検査された後、評価装置２０に搬送される。評価装置２０では、検査装置１０にて検出された欠陥がＳＥＭレビューされる。そのＳＥＭレビューされたウェハＷは、洗浄装置４０に搬送され、その表面に有機溶剤が塗布されて洗浄される。その洗浄後のウェハＷは、製造装置３０ｂに搬送され、次工程の製造処理が施される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】露光に起因する欠陥を特定する欠陥検査装置および欠陥特定方法を提供する。
【解決手段】複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置は、複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持し、検出部が、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出すると、特定部は、露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、露光領域内で所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が所定閾値を超えると、露光領域のうち、露光領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する。 （もっと読む）

【課題】危険度の高いシステマティック欠陥を識別することのできる半導体装置の製造方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、一方向に露光量を変化させ、他方向にＦｏｃｕｓ量を変化させた複数の露光領域がマトリックス状に配列されたウェーハを作製する工程（１）と、前記ウェーハの欠陥検査を行なう工程（２）と、前記欠陥検査工程で検出された欠陥について、システマティック欠陥を識別する工程（３）と、識別された前記システマティック欠陥が発生する露光条件に基づいて、前記システマティック欠陥について危険度の順位付けを行なう工程（４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のトンネル絶縁膜の電荷分布を評価することが可能な半導体記憶装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。時間の対数の変化に対する前記半導体記憶装置のメモリセルの閾値電圧Vtの変化率に、ε*Cr*2k/Tox/qを乗じる。なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)²)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の欠陥を効率良く検査できるようにする。
【解決手段】半導体装置の欠陥検査装置は、半導体装置の表面画像を撮像し（ステップＳ１０１）、このときに得られる画像信号を輝度信号に変換する（ステップＳ１０２）。輝度信号の諧調値に応じて５つのグループに分類し（ステップＳ１０３）、グループ毎に設定された閾値を用い（ステップＳ１０４）、欠陥の判定を行う（ステップＳ１０４）。パターンが密に配置された領域の閾値と、パターンが疎に配置された領域の閾値とを異ならせることが可能になり、半導体装置の電気特性に影響を与える可能のある欠陥を効率良く抽出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅を測定可能であるとともに、繰り返しパターンの下層部の状態を検出可能な表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および繰り返しパターンの下層部の状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い線幅感応瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、線幅変化の影響を受けない線幅不感応瞳内位置での階調値から繰り返しパターンの下層部の状態を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】所定パターンがＸ方向，Ｙ方向ないしＸＹ両方向に所定のピッチで繰返し形成された回路パターンの形成領域を備えるダイの画像を取得して欠陥を判定する回路パターン検査装置において、前記取得された回路パターンの画像を記憶する画像メモリと、該画像メモリに記憶された画像を、当該画像データを前記Ｘ方向，前記Ｙ方向ないし前記ＸＹ両方向のいずれかの方向に加算平均して得られる加算平均画像と比較して差分画像を生成し、該差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定するプロセッサエレメントと、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】導電膜と絶縁膜が交互に積層された積層体に形成されたコンタクトホールの異常を検出できる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る検査装置は、積層体に電子線を照射する電子線照射部と、積層体の端面に沿って上下方向に動作し、端面におけるトンネル電流値を計測する計測部と、計測部で計測されたトンネル電流値を所定の閾値と比較する比較部と、比較部での比較結果に基づいて、コンタクトホールの異常を判定する判定部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】フォーカス位置がずれた画像であっても作業時間を増大させることなく検査を行なうことができる画像処理装置、検査装置、画像処理方法および画像処理プログラムを提供すること。
【解決手段】所定のパターンを有する基準画像、前記パターンを有する取得画像および基準画像のコントラスト比とフォーカス位置からのずれ量との関係を示すコントラスト特性、およびコントラスト比から算出される取得画像のずれ量と取得画像の復元を行なう際に用いるパラメータである復元係数との関係を示す復元特性を記憶する記憶部と、基準画像と取得画像とのコントラスト比を算出し、コントラスト比が閾値を超えたか否かを判定する判定部と、コントラスト比が閾値未満であると判定された場合、コントラスト特性からずれ量を求め、ずれ量から復元特性をもとに復元係数を取得して取得画像の復元処理を行なう復元処理部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）