【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】回路設計データ１１６０から検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する（１１９２）。作成された形状群３０２と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】自動検査、特に、製造欠陥の解析の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】欠陥解析方法は、検査パラメータ値のそれぞれの範囲によって特徴付けられる複数の欠陥部類に対する単一部類分類子を識別する段階を含む。各単一部類分類子は、それぞれの部類に対して、検査パラメータ値に基づいてそれぞれの部類に属する欠陥を識別し、一方でそれぞれの部類に入っていない欠陥を未知欠陥として識別するように構成される。検査パラメータ値に基づいて複数の欠陥部類のうちの１つに各欠陥を割り当てるように構成された多重部類分類子が識別される。検査データが受信され、欠陥を欠陥部類のうちの１つに割り当てるために、単一部類及び多重部類分類子の両方が適用される。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを有する半導体装置等の検査において、陰影コントラストの強調された像を取得することを可能にし、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することを可能にする荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】高分解能観察の為に電子光学系の対物レンズに電磁重畳型対物レンズ１０３を用い、その対物レンズを用いて電子ビームを細く絞り、対物レンズ内にアシスト電極１０６と左・右検出器１１０、１１１を設け、その電子ビームを試料１０４に照射することで発生する二次電子の速度成分を選別し、さらに方位角成分を選別して検出する。 （もっと読む）

【課題】外観検査の欠陥分類において、重要欠陥のピュリティまたはアキュラシーまたはその両方が目標値以上になるように調整するなどのニーズがあるが、教示型の欠陥分類は平均的に分類正解率が高くなるよう条件設定されるため、そのようなニーズに応えられないという問題があった。
【解決手段】特徴量抽出部、欠陥分類部、分類条件設定部を含み、分類条件設定部は、欠陥の特徴量と正解のクラスを対応づけて教示する機能と分類の優先順位を指定する機能を有し、優先順位の高い分類の正解率が高くなるよう条件設定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの歩留まりに大きな影響を及ぼさない欠陥を排除し、それらに対処するために掛かっていた製造コストを削減する方法を提供する。
【解決手段】第１の検査対象物が欠陥を含むか否か検査するステップＳＴ１１Ａと、検出された欠陥を特長毎に分類し、欠陥の特長毎に欠陥の個数を算出するステップＳＴ１１Ｂと、ウェハ上の半導体デバイスの電気的特性を測定し、ウェハ上における半導体デバイスの不良マップを作成するステップＳＴ１２Ｂ，ＳＴ１２Ｃと、不良マップと検査対象物の欠陥の位置とを照合し、半導体デバイスの電気的不良確率を算出するステップＳＴ１３，ＳＴ１４と、電気的不良確率を用いて第２の検査対象物の使用の適否を判定するステップＳＴnとを含む。 （もっと読む）

【課題】
性質が異なる画像を取得する複数種類の観察装置を用いた欠陥分類システムにおいて、分類性能及びシステムの操作性を向上させる。
【解決手段】
被検査対象を撮像する複数の画像撮像手段と、上記画像撮像手段から得られた画像を分類する欠陥分類装置と、上記複数の画像撮像手段と、上記欠陥分類との間のデータ伝送を行う為の伝送手段からなる欠陥分類システムにおいて、上記欠陥分類装置に、画像撮像手段から得られた画像データを記憶する画像記憶手段と入力画像データに関する付随情報を記憶する情報記憶手段と、上記、付随情報に応じて画像の処理方式あるいは表示方式を変更する手段を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の欠陥を効率良く検査できるようにする。
【解決手段】半導体装置の欠陥検査装置は、半導体装置の表面画像を撮像し（ステップＳ１０１）、このときに得られる画像信号を輝度信号に変換する（ステップＳ１０２）。輝度信号の諧調値に応じて５つのグループに分類し（ステップＳ１０３）、グループ毎に設定された閾値を用い（ステップＳ１０４）、欠陥の判定を行う（ステップＳ１０４）。パターンが密に配置された領域の閾値と、パターンが疎に配置された領域の閾値とを異ならせることが可能になり、半導体装置の電気特性に影響を与える可能のある欠陥を効率良く抽出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の発光解析により半導体装置の故障箇所を精度よく検出可能な発光解析装置および発光解析方法を提供する。
【解決手段】発光解析システムは、制御部１と、画像取得部２と、画像記憶部３と、座標合わせ部４と、比較部５と、駆動装置６と、発光検出器７と、画像表示部８と、を備えている。終了テストパターンアドレスを変化させながら複数の合成発光積分画像を取得し、終了テストパターンアドレスが小さい順、すなわち開始テストパターンアドレスに近い終了テストパターンアドレスから順に良品および不良品半導体装置の合成発光積分画像の比較を行う。そのため、不良品半導体装置における異常な発光が生じる頻度が小さい場合や、良品半導体装置との発光の差異がタイミングの差異のみである場合でも、合成発光積分画像の差異を検出でき、故障箇所を特定できる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチ等と付着する粒子状の異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】欠陥検査装置を、第１のＵＶ光を被検査物の表面に垂直方向から照射する第１の照明系と、第２のＵＶ光を被検査物の表面に斜方から照射する第２の照明系と、被検査物からの散乱光を集光レンズで集光して検出する検出光学系手段と、検出信号を処理して欠陥を弁別する演算処理部とを備えて構成し、第１の照明系の反射ミラーを集光レンズの光軸上で集光レンズとステージとの間に配置して、被検査物の表面に平行な方向から入射した第１のＵＶ光を反射ミラーで反射させて被検査物の表面に垂直方向から照射するように構成した。 （もっと読む）

イメージングツールによって観察される欠陥は、欠陥画像で観察される特徴の、画像の対応する部分に関する設計情報との自動的な比較によって分類され得る。欠陥情報は、欠陥イメージングツールからの欠陥画像から生成されてよい。欠陥の近傍で基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報は取り出されてよい。欠陥は、欠陥画像からの欠陥情報と、欠陥の近傍での基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報との組み合わせに基づいて分類されてよい。
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ウェーハを検査しかつ／または分類するコンピュータ内装備方法が提供される。コンピュータ内装備方法には、１以上の欠陥検出パラメータを用いたウェーハ上の欠陥検出が含まれ、これらパラメータは検査システムにより生成されるウェーハからの散乱光に応答する出力を用いて特定される非空間的限局化特性に基づき特定される。別のコンピュータ内装備方法には、検査システムが生成するウェーハからの散乱光に応答する出力を用いて特定されるウェーハの非空間的限局化特性と出力を用いて特定されるウェーハの空間的限局化特性との組み合わせに基づくウェーハの分類が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 分類精度が高く、且つ処理効率が高い半導体欠陥分類方法を提供する。
【解決手段】 半導体欠陥分類方法は、検査対象物上に存在する欠陥を検出する第１のステップ（Ｓ０１）と、検出した欠陥を分類して複数の母集団を形成する第２のステップ（Ｓ０２）と、各母集団ごとにサンプリングプランを立てる第３のステップ（Ｓ０３）と、各母集団に属する欠陥をそれぞれサンプリングプランにしたがってサンプリングする第４のステップ（Ｓ０４）と、各母集団に属する総欠陥数に対するサンプリングした欠陥の個数の割合をそれぞれ算出する第５のステップ（Ｓ０５）と、サンプリングされた欠陥を自動分類する第６のステップ（Ｓ０６）と、自動分類された欠陥の個数を、それぞれ各母集団に属する総欠陥数に対するサンプリングした欠陥の個数の割合で除する第７のステップ（Ｓ０７）とからなる。 （もっと読む）