【課題】フリップチップ接続された半導体チップを有し、この半導体チップの裏面を保護できるとともに、この半導体チップの反りを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と半導体チップ３とを含む。半導体チップ３は、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、機能面３ａを配線基板２の表面２ａに対向させて接合されている。配線基板２と半導体チップ３との間には、アンダーフィル膜５が埋められている。機能面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには、裏面３ｂを保護するとともに、半導体チップ３の機能面３ａ側と裏面３ｂ側とでの熱膨張差をなくすための裏面保護膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐湿性が向上された回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置１０は、導電パターン２６および回路素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１２と、半導体素子２２等の回路素子が封止されるように回路基板１２の上面に形成された被覆樹脂１６と、被覆樹脂１６および回路基板１２の表面を被覆する無機被覆層１８と、導電パターン２６から成るパッドに固着されて外部に延在するリード１４とを主要に有する構成となっている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来に比べて低温、短時間に硬化が可能であり、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れ、かつ強靭性に優れた硬化物を与える液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤として下記一般式（１）及び又は（２）
R¹-[COO-CH(CH₃)-O-R²]_n （１）（式中、ｎは正の数であり、Ｒ^１はｎ価の有機基であり、Ｒ^２は１価の有機基である。Ｒ^１とＲ^２は、互いに同じでも異なっても良い。）
H-[OCO-R³-COO-CH(CH₃)-OR⁴-O-CH(CH₃)]_m-H （２）（式中、ｍは正の数であり、Ｒ^３及びＲ^４は２価の有機基であり、互いに同じでも異なっても良い。）により表される化合物を必須成分とすることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して接合された一対の実装体間の隙間へのアンダーフィル樹脂の適切な充填を行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ダム３３で囲まれた樹脂溜め領域３６を有する第１の実装体１１と、バンプ２１を介して第１の実装体１１に実装された第２の実装体１２と、第１の実装体１１と第２の実装体１２との間の隙間２０に充填されバンプ２１を覆う絶縁性のアンダーフィル樹脂２２と、を備え、ダム３３は、樹脂溜め領域３６と隙間２０との間を仕切る内側隔壁部３４を有し、内側隔壁部３４の一部は開口されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱着色安定性、作業性、硬化性に優れ、加熱減量を抑制できる加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物、およびこれを用いる光半導体封止体の提供。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のシラノール基を有するポリシロキサン１００重量部と、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合している、アルコキシ基および／またはヒドロキシ基を２個以上有するシラン化合物０．１〜１００質量部と、（Ｃ）ジルコニウム金属塩０．００１質量部以上０．１質量部未満とを含有する加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物、および当該加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物をＬＥＤチップに付与し、前記ＬＥＤチップを加熱し前記加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物を硬化させて前記ＬＥＤチップを封止することによって得られる光半導体封止体。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板の外部環境との接触を抑制することができる電気電子モジュールを提供する。
【解決手段】電子回路基板５と、この電子回路基板５を取り付ける金属ベース１とを備え、電子回路基板５を封止樹脂８で封止する電気電子モジュールにおいて、金属ベース１に、封止樹脂８との接着界面の外周部に対向する立ち上がり面２１を有する段差部２０を備える。封止樹脂８と立ち上がり面２１の間に形成される凹部９に樹脂組成物１２を充填する。 （もっと読む）

【課題】流動性が高く作業性に優れ、封止物品における反りが抑制されて封止の信頼性に優れると共に、封止物品の中空構造も保護することのできる封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）特定の芳香族アミン型硬化剤、および（Ｃ）シリカ粉末を必須成分とし、１８０℃における曲げ弾性率が４．０ＧＰａ以上である封止用樹脂組成物。
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【課題】ウェハ状態のままでの遮光必要箇所に遮光材料を一工程で配置して一括で切断して遮光構造を容易かつ素早く得る。
【解決手段】複数のセンサモジュール１１が形成された電子素子ウエハモジュール１を幅広に、ダイシングラインＤＬに沿ってウェハ状光学部品６およびガラス基板５を切断してダイシング溝８を形成した後に、その切断した幅広のダイシング溝８を含むウェハ状光学部品６の中央部における光開口部６ａ以外の表面領域に遮光膜７の遮光材料を塗布し、その後、幅広のダイシング溝８内の側面に遮光材料を残すように、幅広のダイシング溝８の幅方向中心に沿ってウェハ状光学部品６およびガラス基板５を、幅狭に切断してセンサモジュール１１として個片化することにより、レンズ領域などの光学機能領域およびその下の撮像素子２を囲む遮光構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外形を大きくすることなく、樹脂パッケージが硬化する時の放熱板の反りを抑制することができる半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明に係る半導体装置は、放熱板６と、放熱板６の上面に固着された絶縁層１２と、絶縁層１２の上面に形成された配線パターン層９と、配線パターン層９上に実装された半導体素子４、５と、放熱板６上面の外周部に設けられた樹脂枠１３とを備えている。更に、放熱板６の少なくとも一部、絶縁層１２、配線パターン層９、半導体素子４、５、及び樹脂枠１３は、熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージ１で包囲されている。 （もっと読む）

【課題】表面タック性に優れるシリコーン樹脂となることができ生産性に優れるシリコーン樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）ケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも２個有するポリシロキサンと、（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素基を少なくとも２個有するポリシロキサン架橋剤と、（Ｃ）炭素原子数３以上の有機基を有する有機ジルコニル化合物、有機亜鉛化合物、有機マグネシウム化合物および有機カリウム化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機金属化合物とを含むシリコーン樹脂組成物、当該シリコーン樹脂組成物を硬化させることによって得られるシリコーン樹脂、ならびにＬＥＤチップが当該シリコーン樹脂で封止されている光半導体素子封止体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上することである。
【解決手段】半田リフローする際にフラックス剤を使用して半導体素子と基板とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記基板との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）アミン系硬化剤と、（Ｃ）前記半田バンプの周辺に存在する前記フラックス剤の残渣を除去する１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、およびこれらの塩のうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする液状封止樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】銅バンプを備える半導体装置に好適なアンダーフィル剤を提供する。
【解決手段】下記成分（Ａ）〜（Ｄ）を含むアンダーフィル剤組成物
（Ａ）エポキシ樹脂 １００質量部
（Ｂ）アミン硬化剤又は酸無水物硬化剤を、（Ａ）成分のエポキシ基の当量に対して０．７〜１．２当量
（Ｃ）無機充填剤を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して５０〜５００質量部
（Ｄ）イミダゾールシランカップリング剤を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜１０質量部。 （もっと読む）

【課題】屈折率、透過率、耐光性、耐熱性が高い硬化物を得ることができ、かつ粘度が低い光学部材に適した熱硬化性樹脂組成物；屈折率、透過率、耐光性、耐熱性が高い硬化物ならびに光学部材；および、光取り出し効率が高く、かつ寿命が長い光半導体を提供する。
【解決手段】メタクリル系重合体（Ａ）の２０〜３９．５質量％と、メチルメタクリレート（Ｂ）の６０〜７９．５質量％と、１分子中に２個以上の二重結合を有する（メタ）アクリル系ラジカル重合性単量体（Ｃ）の０．５〜１０質量％とを含む樹脂成分１００質量部に対し、１０時間半減期温度が８０℃以下である脂肪族系ジアシルパーオキサイド（Ｄ）の０．５〜３質量部を含む熱硬化性樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン実装方式において、樹脂の毛細管現象による移動距離を長距離化させ、樹脂の流動を促進させることで、基板と半導体素子との間隙において、樹脂充填率を向上させ、かつ、半導体素子と基板との密着力を向上させる効果が大きい半導体装置を実現する。
【解決手段】基板６と向かい合っている半導体素子１の素子面には、樹脂３の流動を促進する流動補助パターン１０が形成されている。また、基板６における、半導体素子１と対向する領域である半導体素子搭載領域７、および、外周部樹脂塗布領域８には、樹脂３の流動を促進する流動補助パターン９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】青色ＬＥＤ、紫外ＬＥＤ、白色ＬＥＤなどを封止するのに好適である高屈折率で透明性、耐熱性、耐光性、耐ヒートサイクル性および耐吸湿ハンダリフロー性に優れる硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】CH₂=CH(CH₃)₂SiO_1/2単位で両末端が封鎖され、１分子中のケイ素原子に結合する全有機基に占めるフェニル基の割合が５モル％〜４０モル％である直鎖状ポリオルガノシロキサンと、CH₂=CHSiO_3/2単位由来のビニル基とCH₂=CH(CH₃)₂SiO_1/2単位由来のビニル基が導入され、１分子中に平均して１つ以上のビニル基を有し、且つ分子中のケイ素原子に結合する全有機基に占めるフェニル基の割合が５モル％〜４０モル％である分岐状ポリオルガノシロキサンと、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するポリオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、付加反応触媒とを含有する硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】 第１に、熱伝導性及び接続信頼性に優れる半導体装置を第２に、さらに、より薄膜化が可能な半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 半導体素子が搭載されている導電性金属層パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、半導体素子搭載面と反対側で導電性金属層パターンが厚さ方向で一部突出して露出している半導体装置。半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間にワイヤボンディングが施されており、これらが封止材により封止されている請求項１記載の半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
近年要求される短波長で高出力な発光素子の封止に用いることが可能な、硬化物の表面タックがなく、耐光性、耐熱黄変性、密着性に優れた光半導体封止用熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
下記の（Ａ）、（Ｂ）２成分からなり、２成分の含有重量の比率が（Ａ）：（Ｂ）＝２０：８０〜８０：２０である光半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
（Ａ）（ａ１）アルコキシシリル基を有する構成単位と、エポキシ基を有する構成単位と、ポリジメチルシロキサン構造を有する構成単位からなり、各構成単位ａ１、ａ２、ａ３の割合が、ａ１＝３〜３０モル％、ａ２＝２０〜６０モル％、ａ３＝２０〜７５モル％であり、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００〜２００００であるポリシロキサン側鎖含有アクリル共重合体
（Ｂ）カルボキシル基含有ポリシロキサン （もっと読む）

【課題】ヒートサイクル時の応力を低減でき、アンダーフィルの密着性が高く、しかも流動性が良好でありブリードが発生することもないアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、および硬化促進剤を必須成分とするアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物であって、アミノシランカップリング剤とエポキシ基含有オルガノポリシロキサンとの反応生成物であるアミノ変性シロキサンをアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物の全量に対して０．１〜１質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線基板、半導体チップ及び封止体のそれぞれの熱膨張係数の差に起因する半導体装置の反りを低減する手段を提供する。
【解決手段】配線基板２と、半導体チップ７と、電極パッド８と、ワイヤ９と、封止体１０と、を具備してなる半導体装置において、前記封止体１０が、前記半導体チップ７の熱膨張係数と近似した熱膨張係数の材料を有する第１絶縁材料層１１と、前記配線基板２を構成する絶縁材料基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数の材料を有する第２絶縁材料層１２とが積層されてなり、前記第１絶縁材料層１１が、前記半導体チップ７の搭載領域を除いた前記配線基板２の一面２ａ上に積層されるとともに前記半導体チップ７の側面７ｃと接するように形成され、前記第２絶縁材料層１２が、前記半導体チップ７及び前記第１絶縁材料層１１の上に積層されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップとの熱膨張係数の差による不都合を解消し、小型で外形的に安定している半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップを配線基板の一面側に、配線基板の一面と重なる位置で、配線基板から離間して配置し、当該離間空間を絶縁性樹脂からなる封止体によって埋める。 （もっと読む）