【課題】樹脂が可撓性回路基板を伝って基板よりも外側にはみ出すことを適切に防止する構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、金属基板と、金属基板上に配置される半導体素子と、金属基板上に一端が配置され、半導体素子と電気的に接続される可撓性回路基板であって、金属基板の縁部を越えて金属基板の外側に延在する可撓性回路基板と、金属基板の外周縁部のうちの、少なくとも、可撓性回路基板が越えて延在する金属基板の縁部に配置され、該縁部では可撓性回路基板上に設けられる樹脂壁部７０と、樹脂壁部７０よりも内側で金属基板を覆うように設けられる樹脂封止部７２とを含む。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】１次モールド樹脂１３０を配線基板１１０の実装領域ＲｍにＬＥＤチップＬｃを覆うよう注入する際、樹脂堰止シートを用いることなく、この１次モールド樹脂１３０が配線基板１１０の実装領域Ｒｍから食み出すのを防止する。
【解決手段】ＬＥＤチップＬｃをパッケージ内に封入してなる発光装置１００において、該パッケージを構成する配線基板１１０を、その表面の該ＬＥＤチップＬｃが配置された実装領域Ｒｍの周囲に、該ＬＥＤチップＬｃを封止する１次モールド樹脂１３０を堰き止めるよう形成された突起部１１０ａを有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】電子構造体の一部を被覆しない状態でモールド樹脂による封止を行い、露出部の一部をさらに封止材で封止するとともに、この封止材をせき止めるダム部材を設けてなるモールドパッケージにおいて、ダム部材とモールド樹脂との接触部からの封止材の漏れだしを防止する。
【解決手段】電子構造体１に、モールド樹脂２で被覆されない部位であって互いに隣り合う第１および第２の露出部１４、２４が設けられ、モールド樹脂２のうち第１の露出部１４、２４に位置する部位には凹み５を構成する内壁面６が形成され、この凹み５に封止材５０が設けられ、内壁面６の切り欠き部５ａを塞ぐようにダム部材６０が設けられ、内壁面６のうちダム部材６０の両端６１に相対する部位は、第１の露出部１４、２４から離れる方向に拡がる傾斜した傾斜面６ａとされ、傾斜面６ａに沿うようにダム部材６０の両端６１が傾斜して傾斜面６ａに密着している。 （もっと読む）

【課題】液状封止樹脂組成物で封止した半導体モジュール部品において、熱時反りを抑制した、より薄い半導体モジュール部品を提供する。
【解決手段】コア材を含むコア基板１から構成されるモジュール用回路基板に半導体チップ及び／又は受動素子を搭載し、樹脂組成物で封止してなる半導体モジュール部品において、樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、および（Ｃ）硬化促進剤を必須成分とする液状樹脂組成物３であり、液状樹脂組成物の硬化物の２５０℃での弾性率が１〜２０ＧＰａであり、２５℃から２６０℃までの熱膨張率が２５００〜６５００ｐｐｍであり、半導体モジュール部品の高さが１．６ｍｍ以下である半導体モジュール部品。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの能動表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成するステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップと、を含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル剤の漏れ出しによる電気回路モジュールの電気的な接続不良を防止することができ、電気回路モジュールの製造工程の歩留まりを向上することができる電気回路モジュール集合体を提供する。
【解決手段】少なくとも１面にアンダーフィル剤７が塗布され、複数の電気回路モジュール１が形成された電気回路モジュール集合体２において、隣り合う電気回路モジュール１の間に凹部８を有し、凹部８のアンダーフィル剤が塗布された側の切込み面と前記アンダーフィル剤が塗布された面との角度が９０度以下であることを特徴とする電気回路モジュール集合体。 （もっと読む）

【課題】パッケージ枠体と透明板とのシール部分から固着材がはみ出したとしても、パッケージ本体の二次実装性の低下を防止できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、パッケージ本体１と、該パッケージ本体１に設けられ内外に貫通する金属リード３と、パッケージ本体１の上に保持された撮像素子５と、パッケージ本体１の上で且つその周縁部に固着されたパッケージ枠体２と、パッケージ枠体の上に固着材８により固着され、撮像素子５を封止する透明板９とを有している。パッケージ枠体２の周縁部には、固着材８の垂れを防止する垂れ防止手段である段差部２ｃが設けられている。 （もっと読む）

【課題】直貼り構造において、電極部等への透光性接着剤のはみ出しが抑制され、小型化され、良好な性能を示す光学デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光学デバイスは、光学領域１ａが上面に形成された半導体基板４と、光学領域１ａを覆い、光学領域１ａよりも外側の領域に位置する凹部５が形成された透光性絶縁膜３と、透光性絶縁膜３上であって、光学領域１ａの外側で且つ凹部５よりも内側の領域に設けられた凸部６と、光学領域１ａの上方を覆い、凸部６上に設けられた透光性部材２と、透光性絶縁膜３と透光性部材２との隙間に充填された透光性接着剤１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】略矩形平面形状をなす半導体電子部品がアンダーフィル封止されてなる半導体装置において、半導体電子部品の隅の側面へのアンダーフィルの這い上がり不足を解消して十分なアンダーフィル封止強度を確保する。
【解決手段】ソルダーレジスト膜層３を有する基板２上に実装された略矩形平面形状を有する半導体電子部品１０がアンダーフィル５封止されてなる半導体装置１ａであって、ソルダーレジスト膜層には、前記半導体電子部品の実装領域の周囲に、当該半導体電子部品の外形形状にほぼ沿う略矩形平面状の外形をなす溝３０が画成され、前記基板上において、前記溝の外形をなす前記略矩形の隅の内側に、電極パッド４０が形成されるとともに、当該電極パッド上のソルダーレジストが開口し、前記電極パッド上には、半田突起５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体チップ間におけるボイドの発生を防止し、半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】チップ搭載部１４を有すると共に、チップ搭載部１４の周囲に封止材流出防止体１８が設けられた基板１２と、複数の半導体チップ２２，２４が相互に積層されてなると共にチップ搭載部１４上に搭載されたチップ積層体２０と、複数のチップ２２、２４の間を埋めるよう形成された第１の封止体３４とを備えることを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】熱応力により生じる半導体チップのクラック、アンダーフィル形状の不安定化及び支持基板の剥がれを抑制する切断前支持基板、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】矩形状のチップ搭載部６５を囲むように設けられた２以上のライン状の貫通スリット６０を有する切断前支持基板１８１のチップ搭載部６５に２以上の半導体チップを積層する積層工程と、半導体チップの側面を覆うとともに、切断前支持基板１８１上の貫通スリット６０以外の部分を覆うように第１の封止体を形成した後、第１の封止体を覆うとともに、貫通スリット６０を充填するように第２の封止体を形成する封止工程と、切断前支持基板１８１を貫通スリット６０に沿って切断して支持基板とするダイシング工程と、を有する半導体装置の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板に実装された電子デバイスに欠陥があることが判明した場合、欠陥のある電子デバイスの除去が容易で、簡単に交換可能な電子デバイスを提供する。
【解決手段】低温除去性層２６及び接着剤層１６を電子デバイス１８又はベース絶縁層１０に塗布し、この接着剤層１６を使用して電子デバイス１８をベース絶縁層１０に固定しておく。この低温除去性層２６を有する電子デバイス１８を実装基板に実装することにより、欠陥を発見した電子デバイス１８は剥離し、新しい電子デバイス１８に交換することが出来る。 （もっと読む）

【課題】小型化を妨げない構造の電子モジュールを提供する。
【解決手段】電子モジュールは、絶縁基板１２の実装面上に半導体チップ１４をフリップチップ接続し、アンダーフィル剤２２で接着した構造である。実装面上には半田レジスト１２ａを溝状に除去した流出防止部１６が形成されており、その内側にアンダーフィル剤２２の充填領域１８が規定されている。アンダーフィル剤２２は充填領域１８の全域にわたって充填されるが、半導体チップ１４の３辺については搭載エリアの内側に流出防止部１６が設けられているため、周囲にアンダーフィル剤２２が拡がらず、それだけスペースの有効活用を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】キャビティの密閉性を向上させ、封止樹脂充填時の樹脂漏れを抑制する金属ベース及びこれを用いた電気電子モジュールを提供する。
【解決手段】金属ベース１及び金属ベース１に取り付けた電子回路基板５を備え、金属ベース１及び電子回路基板５を樹脂成形用の一対の金型８，９で挟持して封止樹脂４を充填し電子回路基板５をモールドして構成した電気電子モジュールにおいて、金属ベース１に、樹脂成形時に電子回路基板５側の金型８に押圧されて電子回路基板５周りの樹脂の充填空間を画定する凸部であって樹脂充填用に開口した一部を除いて樹脂の充填空間の外縁を囲むシール部６を備え、かつシール部６の両端の端面部が、樹脂成形時に樹脂充填用の開口部１ａに対向する金型９の対向面１２に当接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まり、信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板の素子搭載領域外に、ゴム部材を接触させ、前記ゴム部材の未重合成分を前記素子搭載領域外に転写させる。次いで、前記素子搭載領域に、半導体素子を実装し、前記配線基板と前記半導体素子との間隙に、封止用樹脂材を充填する。そして、前記封止用樹脂材を硬化させ、前記配線基板と前記半導体素子との前記間隙に、アンダーフィル材で構成される封止用樹脂を形成する。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体電子部品がアンダーフィル封止されてなる半導体装置において、半導体電子部品の側面へのアンダーフィルの這い上がり不足を解消して十分なアンダーフィル封止強度を確保するとともに、アンダーフィルの基板表面への不要な流動拡散を防止する。
【解決手段】ソルダーレジスト膜層３を有する基板２上に実装された略矩形平面形状を有する半導体電子部品１０がアンダーフィル５により封止されてなり、基板と半導体電子部品には親水性を向上させるための表面改質処理が施され、前記ソルダーレジスト膜層には、前記半導体電子部品の実装領域の周囲に、当該半導体電子部品の外形形状に沿う溝３０が画成され、当該溝の２重輪郭線の内側の線３１の４隅３３はＲ状であり、外側の線３２の４隅３４は直角である半導体装置１ａとした。 （もっと読む）

構成部品の配置構造およびその製造のための方法を提供する。その構成部品の配置構造は、上に半導体部品を配置したキャリア要素を含んでおり、その半導体部品が少なくとも一つの結線ボンディングワイヤを介して電気的に、キャリア要素上の少なくとも一つの接触面と接続されている。結線ボンディングワイヤは、封止物質でできた封止部材の中に埋め込まれている。流出防止手段を介することにより少なくとも部分的範囲で、封止物質が制御されずに流出することを防止する。封止部材表面と半導体部品の部品側接触面間の境界に、流出防止手段として少なくとも一つの流出防止ボンディングワイヤを配置している。 （もっと読む）

【課題】素子搭載用基板において樹脂の流れる範囲を規制する規制部の強度を高める技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１０において、絶縁層１２は、絶縁性の樹脂で形成されている。複数の電極は、絶縁層１２の表面の一部に設けられている。半導体素子１６は、複数の電極の一部と電気的に接続されている。封止樹脂１８は、半導体素子１６を封止する。規制部２０は、絶縁層１２の表面において、複数の電極のうち半導体素子１６と接続されていない電極１４ａと半導体素子１６との間に設けられ、封止樹脂が外周側の電極１４ａへ流れることを規制する。規制部２０は、第１の樹脂層２２と、第２の樹脂層２４を変質させる波長の光を透過する無機化合物層２６と、第２の樹脂層２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル剤の流出を確実に防止することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、前記基板と前記半導体チップとの間を埋めるアンダーフィルと、を具備し、前記基板上には、前記半導体チップの搭載されるチップ搭載領域２０と、前記チップ搭載領域の外部に配置され、電極パッド１２の設けられた電極パッド領域３０と、前記チップ搭載領域と前記電極パッド領域との間に設けられたダム領域４０とが設けられ、前記ダム領域には、複数のダム用突起が、複数列に配置されている。 （もっと読む）