【課題】耐熱性に優れ、はんだ接続部の応力緩和、及びフィレットクラックによる基板パターンの断線を同時に抑制する構造体を提供する。
【解決手段】回路配線を有する基板３と、基板３に実装される半導体素子と、基板３と、半導体素子との間隙に充填される耐温度サイクル性の高い第１の樹脂４と、半導体素子の側面と第１の樹脂４の周囲とを囲うように備えられるクラックの発生しにくい第２の樹脂５と、基板に接触しないよう第２の樹脂の上に備えられる耐衝撃性の高い第３の樹脂３とを備える。 （もっと読む）

【課題】硬度が高く、耐光性、及び耐熱衝撃性に優れた光半導体素子封止用樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含む光半導体素子封止用樹脂組成物
（Ａ）１分子当たり２〜６個のエポキシ基、１以上の（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）単位、２以上の（Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ）_ｎ（ｎは３〜２０の整数）単位、及び、３以上の（Ｒ⁴_３−ｘＲ^５_ｘＳｉＯ_１／２）単位を有する分岐シリコーン樹脂 １００質量部
（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシル基又は酸素原子を含んでいてよい炭素数１〜２０の一価の有機基、但し、一分子中のＲ^５のうちの少なくとも２個はエポキシ基もしくはエポキシ基含有非芳香族基であり、ｘは１〜３の整数である）
（Ｂ）硬化剤 （Ａ）成分中のエポキシ基１当量に対し０．４〜１．５当量
（Ｃ）硬化触媒 （Ａ）成分＋（Ｂ）成分１００重量部に対し０．０１〜３重量部。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレスに耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレスに起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。さらに低コストで生産性高く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板を用いた半導体集積回路を、対向する一対の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の間に設ける。一対の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体は中央部に半導体集積回路を配置し、端部において互いに接着して半導体集積回路を封止する。 （もっと読む）

【課題】青色ＬＥＤ、紫外ＬＥＤ、白色ＬＥＤなどを封止するのに好適である高屈折率で透明性、耐熱性、耐光性、耐ヒートサイクル性および耐吸湿ハンダリフロー性に優れる硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】CH₂=CH(CH₃)₂SiO_1/2単位で両末端が封鎖され、１分子中のケイ素原子に結合する全有機基に占めるフェニル基の割合が５モル％〜４０モル％である直鎖状ポリオルガノシロキサンと、CH₂=CHSiO_3/2単位由来のビニル基とCH₂=CH(CH₃)₂SiO_1/2単位由来のビニル基が導入され、１分子中に平均して１つ以上のビニル基を有し、且つ分子中のケイ素原子に結合する全有機基に占めるフェニル基の割合が５モル％〜４０モル％である分岐状ポリオルガノシロキサンと、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するポリオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、付加反応触媒とを含有する硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れており、封止用樹脂に蛍光体粒子を分散させた場合でも封止用樹脂の硬化中における蛍光体粒子の沈降が生じにくく、封止用樹脂を硬化させるための熱処理に起因する部材の着色や、封止用樹脂の硬化時におけるクラックが生じにくく、耐熱性および耐光性に優れた発光素子封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】二つ以上の反応性環状エーテルを含有するシロキサン誘導体と、カチオン光重合開始剤とを含有する発光素子封止用樹脂組成物とする。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できると共に、発光均一性の高いＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、微粉末状の白色系無機顔料25が添加された水ガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】メソゲン基を導入しているにも関わらず、製造が容易であり、有機溶剤への溶解性に優れ、強靭性、熱伝導率性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるエポキシ樹脂。


（式（１）中、複数存在するＡｒは、独立して式（Ｘ）４，４’−ビフェニル骨格、または式（Ｙ）少なくとも１つの水素原子を炭素数１〜２のアルキル基、アリル基またはフェニル基で置換した、４，４’−ビフェニル骨格で表される結合基を示し、式（Ｘ）と式（Ｙ）は任意に選択可能であるが、１分子中に式（Ｘ）と式（Ｙ）の結合基を少なくとも１個含む。ｎは繰り返し数であり、その平均値は０＜ｎ＜５０である。） （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できるＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、透光性を有する短繊維25が添加されたゾルゲルガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できると共に、発光均一性の高いＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、微粉末状の白色系無機顔料25が添加されたゾルゲルガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】はんだリフロー工程等の高温条件下でもパッケージ基材からの剥離等が発生しない硬化体を与える光半導体封止用重合体およびその製造方法を提供すること、およびｍｍ単位の膜厚を有する硬化体を形成した場合でも十分な硬化性とクラック耐性とを併せ持つ光半導体封止用重合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】下記（ｉ）（ｉｉ）工程を含む、重量平均分子量が１０００〜１０００００の範囲にある光半導体封止用重合体の製造方法。（ｉ）特定の構造を有するエポキシ基含有アルコキシシラン（Ａ）と、重量平均分子量が１０００〜２００００の範囲にあるヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサン（Ｂ）とを塩基性化合物または金属キレート化合物の存在下反応させる工程、（ｉｉ）工程（ｉ）で得られた生成物を塩基性化合物または金属キレート化合物の存在下、水と反応させる工程。 （もっと読む）

【課題】コーティング材と封止材の界面の接着性および半導体素子などの基材表面との接着性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子５は電極３に積載され、基板２とケース６とにより形成される第１領域の内側に配設され、上記電極３のひとつの側面に粘度η₁のリブ材９を塗布することにより、上記電極３とリブ材９とにより上記電極３の側面を囲む第２領域を形成する工程と、形成された第２領域の内側に粘度η₂のコーティング材８を塗布する工程と、第１領域の内側であって、第２領域の外側に粘度η₃の封止樹脂１１を注入する工程と、上記第１領域の内側に封止樹脂１１を注入する工程とを含み、粘度η₁、η₂およびη₃は、η₃＜η₂＜η₁の条件を満たし、上記リブ材９、コーティング材８および封止樹脂１１は未硬化の状態で塗布して、同時に硬化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型半導体パッケージにおける、機械強度、バリ除去性に優れ、かつ、成形性、保存安定性および難燃性にも優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の寸法（ｘ）以下の大きさの半導体装置の封止材料として用いられる半導体封止用樹脂組成物である。そして、上記半導体封止用樹脂組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を用いる。
（ｘ）縦２ｍｍ×横２ｍｍ×高さ１ｍｍ。
（Ａ）比表面積１〜２ｍ² ／ｇの水酸化金属化合物。
（Ｂ）上記（Ａ）成分以外の無機質充填剤。
（Ｃ）エポキシ樹脂。
（Ｄ）フェノールノボラック樹脂と下記の離型剤（ｄ）とを溶融混合してなる溶融混合物。
（ｄ）酸価５５〜９５で、重量平均分子量２０００〜６０００の離型剤。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐ヒートサイクル特性を向上する。
【解決手段】
支持電極(1)の載置部(2)を包囲して周辺部(3)上に配置される筒体(10)は、封止樹脂(11)よりガラス転移点の低い物質により構成され、載置部(2)の上方に空洞部(9)を形成して、高温時に膨張する筒体(10)の増大する内径により、封止樹脂(11)の熱膨張を吸収する。また、筒体(10)の空洞部(9)内に配置される封止樹脂(11)と半導体チップ(5)の側面(5c)、半導体チップ(5)に隣接するリード電極(6)の一部及び半導体チップ(5)に隣接する載置部(2)の一部に保護樹脂膜(8)を連続的に且つ大きな接着面積で強固に付着するので、保護樹脂膜(8)の接着面での剥離が発生しない。 （もっと読む）

【課題】小型半導体パッケージにおける、機械強度、バリ除去性に優れ、かつ、成形性、保存安定性および難燃性にも優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の寸法（ｘ）以下の大きさの半導体装置の封止材料として用いられる半導体封止用樹脂組成物である。そして、上記半導体封止用樹脂組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を用いる。（ｘ）縦２ｍｍ×横２ｍｍ×高さ１ｍｍ。（Ａ）平均粒子径１〜２０μｍで、かつ比表面積１〜２ｍ^２／ｇの水酸化金属化合物。（Ｂ）上記（Ａ）成分以外の無機質充填剤。（Ｃ）エポキシ樹脂。（Ｄ）フェノールノボラック樹脂と塩基性硬化促進剤とを溶融混合してなる溶融混合物。 （もっと読む）

【課題】適度な硬さと優れた耐クラック性・耐光性とを有する硬化物を与える光半導体素子封止用エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びそれからなるトランスファー成型用タブレットを提供する。
【解決手段】（A）少なくとも２個のエポキシ基を有し、式：（Ｒ_２ＳｉＯ）_ｎ（式中、Ｒは独立に水素原子または非置換もしくは置換の一価炭化水素基を表し、nは0以上の整数であり、その平均値が3〜10である。）で表される連続した構造を有するオルガノポリシロキサン、（B）少なくとも２個のエポキシ基を有し、シロキサン結合を有さないエポキシ樹脂、（C）硬化剤、および（D）硬化触媒、を含有する光半導体素子封止用エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物；ならびにＢステージ化した上記組成物からなるトランスファー成型用タブレット。 （もっと読む）

【課題】低コスト化および信頼性の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、金属ベース板１と、金属ベース板１上に形成された熱伝導性絶縁層２と、熱伝導性絶縁層２上に形成された回路パターン３と、回路パターン３上に実装された複数の半導体素子４Ａ，４Ｂと、複数の半導体素子４Ａ，４Ｂどうしを接続するワイヤ５と、回路パターン３に対して電気的に接続された主電極６と、熱硬化性樹脂からなり、少なくとも回路パターン３を封止するポッティング樹脂７と、熱可塑性樹脂からなり、金属ベース板１およびポッティング樹脂７を封止するモールド樹脂８とを備える。 （もっと読む）

【課題】輝度保持率が良好な光半導体装置を提供することができる光半導体素子封止用シートを提供すること。また、光半導体素子に接続されたワイヤーを断線することがない低い封止可能温度と、封止後の高温下でのシート伸び率が小さい、すなわち、良好な耐リフロー性とを有する光半導体素子封止用シートを提供すること。
【解決手段】官能基を有するアクリル系ポリマーと、エポキシ樹脂又は酸無水物からなる架橋剤とを含有してなる光半導体素子封止用シート。 （もっと読む）

【課題】貫通孔不良を解消して、信頼性の高い異種デバイスが搭載可能な集積半導体装置及び集積３次元半導体装置を提供する。
【解決手段】内側領域に並置された複数の集積回路チップと、前記複数の集積回路チップのそれぞれの周囲に充填され前記複数の集積回路チップを保持し、石英フィラを含有する第１絶縁部と、前記内側領域の表面に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかに接続された配線層と、前記内側領域に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかと外部回路とを接続するための入出力部と、前記内側領域の周囲の外側領域の少なくとも一部に配置され、前記第１絶縁部よりも低い石英フィラ含有比率を有する第２絶縁部と、前記第２絶縁部を貫通し表面と裏面とを接続する貫通電極と、を備えたことを特徴とする集積半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】耐光性（特に耐紫外線性）及び密着性に優れると共に、十分な耐熱性及び成膜性を有し、長期間使用してもクラックや剥離、着色を生じることなく半導体発光デバイスを封止できる半導体発光デバイス用部材形成液を提供する。
【解決手段】式（１）で表される構成単位を含有するシロキサン化合物を、（Ａ）２官能ケイ素に結合したシラノール基及び／又はアルコキシ基、並びに、（Ｂ）３官能ケイ素に結合したシラノール基及び／又はアルコキシ基を含有し、液体^２９Ｓｉ−ＮＭＲで測定される前記（Ａ）及び前記（Ｂ）の合計含有量が０．２重量％以上５．０重量％以下であり、液体^２９Ｓｉ−ＮＭＲで測定される｛前記（Ｂ）のモル数｝／｛前記（Ａ）及び前記（Ｂ）のモル数の合計｝が１．０％以上３０％以下となるようにする。
（Ｒ^１ＳｉＯ_１．５） （１）
（前記式（１）中、Ｒ^１は不飽和結合を有しない有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】熱履歴後の光透過性および熱衝撃に対する耐クラック性がいずれも優れた光半導体素子封止用樹脂組成物の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、一般式（１）で示されるエポキシ変性オルガノポリシロキサン（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、および体積平均粒径が１〜１００ｎｍの無機酸化物粒子（Ｄ）を必須成分として配合してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。


式中、Ｒ¹は水素原子または炭素数が１〜６の直鎖もしくは分岐の脂肪族炭化水素基、Ｘはエポキシ基を含有する置換基、ＹはＲ¹またはＸ、ａおよびｂは１〜３００の整数であって、ａ／ｂは０．１〜３００であり、複数のＲ¹、ＸおよびＹはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〔〕内はランダム結合、ブロック結合またはそれらの併用を表す。 （もっと読む）