他の有機成分（例えばエポキシ基、アミン基又はＰＭＤＡを有する有機物）を有する官能基化された反応物である、無機充填材料（例えば官能基化ＣＮＴ、有機粘土、ＺｎＯ）を含む、アンダーフィル材料である。該アンダーフィル材料はまた有利には、アンダーフィルのエポキシ系の他の成分と反応する反応性基（例えばグリシジル）で官能基化された、多面体オリゴマーシルセスキオキサン及び／又はデンドリマーシロキサン基を含む。
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【課題】耐衝撃性に優れる樹脂組成物、封止剤、接着フィルムまたはシートを提供する。
【解決手段】エポキシ基を０．０３〜１０重量％含有し、１９０℃におけるメルトフローレートが１００ｇ／１０ｍｉｎ以上であるエチレン−（メタ）アクリル酸エステル系共重合体（Ａ）と、前記（Ａ）とは異なるエポキシ樹脂（Ｂ）とを含む樹脂組成物。該樹脂組成物と、硬化剤を混合して得られる封止剤。該樹脂組成物と硬化剤との混合物から形成されている、接着フィルムまたはシート。 （もっと読む）

【課題】高い割合で充填剤を含有しても弾性率が低く十分な低応力性を有するとともに接着特性に優れるため良好なリフロー剥離耐性を有する樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する
【解決手段】熱硬化性樹脂（Ａ）、充填材（Ｂ）、所定の一般式（１）で示される化合物（Ｃ）を含む樹脂組成物であって、前記化合物（Ｃ）中、一般式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、前記化合物（Ｃ）に含まれる所定の一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが以下の関係式１を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
［関係式１：Ｙ＜−２．７×１０^−３Ｘ＋０．８］ （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、作業性、高流動性、耐燃性、耐半田クラック性のバランスに優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体を封止するのに用いられるエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ当量が３５０ｇ／ｅｑ以上、６００ｇ／ｅｑ以下である特定のビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ−１）と、結晶性エポキシ化合物（Ａ−２）と、特定のノボラック型フェノール樹脂（Ｂ）と、当該樹脂組成物の全量に対する配合割合が７５質量％以上、９３質量％以下である無機充填材（Ｃ）と、を含み、特定の全ノボラック型フェノール樹脂（Ｂ）の混合物における軟化点が５５℃以上、９０℃以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、ならびに、その半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に設けられた、少なくとも１つの半導体チップ２０ａ、２０ｂと、半導体チップ２０ａ、２０ｂを覆いつつ、ベース基板１０に支持された樹脂ケース３０と、を備え、樹脂ケース３０内に、樹脂ケース３０内に発生するクラック４０の伸長を抑止する仕切り板３３ａｆ、３３ｂｆが設けられている。これにより、半導体装置１を長時間使用しても、クラック４０は樹脂部材３４Ｂ内でくい止められ、樹脂ケース３０の機械的強度、外観は保たれる。その結果、半導体装置１は、高い信頼性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのコーナ部に対応する接合部材の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板３の実装面に形成された回路パターンに半導体チップを実装する工程と、少なくとも回路基板３と半導体チップとの間に熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合組成物を供給して磁性体粉末含有熱硬化性樹脂の充填物を形成する工程と、充填物を加熱する工程と、加熱による充填物の硬化の間に半導体チップのコーナ部に対応する前記充填物に磁力を加えて、充填物中の磁性体粉末６を半導体チップのコーナ部に対応する充填物の箇所に集中させることによって、磁性体粉末が前記半導体チップのコーナ部に対応する箇所にこの箇所以外の領域より高い密度で存在する接合部材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体チップ実装体１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ方式の半導体装置の信頼性を優れたものとすることができる封止樹脂組成物、および、優れた信頼性を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の封止樹脂組成物は、半田バンプ３を介して接続された基板２と半導体素子４との間に充填されて用いられる硬化性の封止樹脂組成物であって、硬化後の１２５℃におけるポアソン比が０．４以上であることを特徴とする。かかる封止樹脂組成物は、硬化性樹脂および硬化剤を含有し、無機充填剤を実質的に含まないのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】難燃性や耐熱性、成形収縮率、曲げ強度及び成形性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を提供し、耐湿性等の信頼性に優れた半導体中空パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）軟化点７０℃以上のフェノール系硬化剤、（Ｃ）イミダゾール系硬化促進剤、および（Ｄ）無機充填材を含有し、硬化後のガラス転移温度が１３０℃以上である、封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する。下記一般式（１）において、ｌは０〜１０の整数を表し、Ｒ_１〜Ｒ_４は水素又は炭化水素基を表し、互いに同じでも異なってもよい。
【化１】
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【課題】トリグリシジルイソシアヌレート類をエポキシ主剤として使用する光半導体封止用樹脂組成物に高チクソ性を付与し、しかもその硬化物に経時的に良好な透明性と良好な耐クラック性と良好な耐熱光耐久性とを同時に付与する。
【解決手段】光半導体封止用樹脂組成物は、トリグリシジルイソシアヌレート類を含有するエポキシ成分と、酸無水物系硬化剤と、重量平均分子量が２００００〜６５０００、粘度が１００〜１００００Ｐａ・ｓであるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル系樹脂と、硬化促進剤とを含有し、粘度が１０〜２００Ｐａ・ｓであり、且つチクソトロピックインデックスが３〜１５である。 （もっと読む）

【課題】湿度による硬化阻害のない優れた光硬化性（表面硬化性、内部硬化性）と高い保存安定性を有し、その硬化物が強靭性、柔軟性に優れた機械特性を有し、さらに高い密着性と基材カールの抑制を両立した優れた膜物性を有する、感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される、化合物（ａ）５〜８０質量％と、１分子中に２つ以上の水酸基を有し、かつ重量平均分子量１０００以上の樹枝状化合物（ｂ）１〜４０質量％と、反応性有機ケイ素化合物（ｃ）５〜９０質量％と、を含む、感光性樹脂組成物。
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【課題】耐熱性、耐光性及び、主には耐クラック性に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含む光半導体封止用樹脂組成物。（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、下記式（１）で示される分散度が１．０〜１．２以内のシリコーン変性エポキシ化合物。


（Ｒ^１は、互いに独立に、炭素数１〜１０の置換または非置換の１価炭化水素基、Ｒ^２は３，５−ジグリシジルイソシアヌレートー１−イループロピル基、または２−エポキシーシクロヘキサンー４−イルーエチル基、ａ、ｂは０〜２０の整数から選ばれる一つ以上の整数である。）（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒。 （もっと読む）

【課題】 特に、素子のゆがみを抑制でき、素子特性を良好に保つことが可能な素子実装モジュール及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 パッケージ１１と、前記パッケージ１１の収納部１４に実装されるＭＥＭＳ素子１２とを備える。前記パッケージ１１に形成された導電パッドと、前記ＭＥＭＳ素子に形成された電極部間がワイヤボンディングにて電気的に接続されている。そして、前記ワイヤボンディングによるワイヤ１８上を覆うとともに、前記収納部１４の壁面１４ｅから底面１４ｄにかけて前記ＭＥＭＳ素子１２との間にゲル状のポッティング材１７が充填されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を要求される用途に適用されるＣＯＦ型の半導体装置の２０μｍ程度の狭ギャップ、２０〜３０μｍ程度の狭ピッチ（ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝１０〜１５／１０〜１５μｍ程度）の封止に用いられるＣＯＦ封止用樹脂組成物およびその製造方法の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および、無機充填剤を含むＣＯＦ封止用樹脂組成物の成分を配合した後、メッシュサイズ１μｍのフィルタを用いて配合物をろ過することを特徴とするＣＯＦ封止用樹脂組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硬化による半導体装置の反り量と温度サイクル後の接着性と耐クラック性に優れ、白色性、耐熱性、耐光性が良好な光半導体装置用シリコーン樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記を含むシリコーン樹脂組成物（Ａ）重量平均分子量が１０００〜２００００のオルガノポリシロキサン１００質量部（ＣＨ_３）_aＳｉ（ＯＲ^１）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2（Ｂ）白色顔料３〜２００質量部（Ｃ）前記白色顔料以外の無機充填剤４００〜１０００質量部（Ｄ）縮合触媒０．０１〜１０質量部（Ｅ）イソシアヌル酸誘導体のエポキシ樹脂１．０〜１０質量部（Ｆ）全シロキサン単位のうち０．５〜１０モル％がシラノール基を有するオルガノポリシロキサン２〜５０質量部（G）下記式（２）で表される直鎖状ジオルガノポリシロキサン２〜５０重量部。
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【課題】プリント配線基板上に半導体チップを搭載し、その半導体チップをモールド樹脂で封止する構造の封止型半導体装置において、リフローその他の加熱工程を経ても、半導体装置にクラックや剥離が生じることを防止する。
【解決手段】半導体装置３０は、プリント配線基板３１と、プリント配線基板上に搭載された半導体チップ３３と、半導体チップを覆うようにプリント配線基板上に成形されたモールド樹脂３５とからなり、プリント配線基板３１には、少なくとも一つの貫通孔３８が形成されており、貫通孔３８は、その内壁がモールド樹脂、または、モールド樹脂とは別に貫通孔３８を充填している樹脂とは密着力が弱い金属でメッキされた状態において、モールド樹脂または前記樹脂で充填されており、前記金属とモールド樹脂または前記樹脂との接触界面が、半導体装置を加熱したときに半導体装置の内部の水分が半導体装置の外側に出る経路として機能する。 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)少なくとも１つのエポキシ基を含有したポリオルガノシロキサンと、(
Ｂ)炭素−炭素３重結合および水酸基を有する化合物とを含有することを特徴とする組成
物。
【効果】本発明の組成物を用いれば、はんだリフロー工程等の高温条件下でもＬＥＤパッケージの基材や電極部分からの剥離等が発生しない硬化体を得ることができる。また本発明の組成物は、ｍｍ単位の膜厚を有する硬化体を形成した場合でも、その硬化体は十分な硬化性とクラック耐性とを併せ持つ。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装の半導体装置の封止に際し、基板、素子等の間の隙間侵入性と硬化後のチップクラック防止性に優れた半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びそれをアンダーフィル材として用いて封止したフリップチップ型半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）特定のシリコーン変性フェノール硬化剤：（Ａ）成分中のエポキシ基に対するフェノール性水酸基の比が０．８〜１．１となる量、（Ｃ）平均粒子径が０．１〜１．０μｍである無機充填材：（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の合計質量に対して１０〜４０質量％となる量を含有することを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として用いて封止したフリップチップ型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】光半導体封止材として、混練または混合行程のみでトランスファ成型時の反応性に優れ、同時にボイドの巻き込みの回避、脱型時の高熱時硬度、ゲートブレイク性に優れた硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定のエポキシ樹脂成分（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の配合バランスを精密に制御し、且つ多官能酸無水物硬化剤成分（Ｄ）、フェノール系硬化剤成分（Ｅ）を特定の比率で配合した硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の欠点を改善し、密着性と耐リフロークラック性の共に優れた封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機質充填材およびシランカップリング剤を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、添加剤として２，４−ジヒドロキシピリジンを、好ましくは半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量中に占める比率で０．１〜１．５質量％含有させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じない硬化物を与える低粘度のシリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が３７，０００以上１４０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．３以上０．８以下のシリコーン樹脂と、（Ｂ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．１５以下のシリコーン樹脂とを含み、前記（Ａ）シリコーン樹脂と前記（Ｂ）シリコーン樹脂とのモル比（Ｂ／Ａ）が１．５以上６．５以下であることを特徴とするシリコーン樹脂組成物とする。 （もっと読む）