【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１が実装された回路基板２と、回路基板２が実装された放熱性を有するベース板３と、ベース板３に設置され、かつ回路基板２を囲む空間４を有するケース材５と、ベース板３に設置され、空間４を回路基板２の配置された第１の領域Ｒ１とその他の第２の領域とを有するように区画する仕切り板６と、第１の領域Ｒ１においては半導体素子１を覆うように、仕切り板６で区画された第１および第２の領域の各々を封止する封止樹脂７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の一面に複数個の電子部品を搭載し、複数個の電子部品の一部に補強用樹脂による補強を施してなる電子装置において、補強用樹脂のはみだし防止のためのダム部を設けるにあたって、基板の一面における実装スペースの有効活用と、補強用樹脂の配置工程の簡素化とを実現するのに適した構成を提供する。
【解決手段】基板１０の一面１１には、基板１０との接続部が補強用樹脂５０により補強されている複数個の第１の電子部品２０、２２が配置されるとともに、基板１０との接続部が補強用樹脂５０により補強されていない第２の電子部品２１は配置されない連続した１個の領域である第１の電子部品配置領域Ｄ１が設けられており、この第１の電子部品配置領域Ｄ１の外周には、基板１０の一面１１における第１の電子部品配置領域Ｄ１の外側に補強用樹脂５０がはみ出すのを防止するダム部６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、を含んでなり、粘度ａ／粘度ｂで表されるチキソ比が１．５以下である。
粘度ａ：ブルックフィールド型粘度計を用い、０．５ｒｐｍ、２５℃で測定。
粘度ｂ：ブルックフィールド型粘度計を用い、２．５ｒｐｍ、２５℃で測定。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 （もっと読む）

【課題】注入性に優れ、フィレットクラックおよびボイドの発生が抑制され、ガラス転移温度の低下が抑制された半導体樹脂封止材の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、（Ｃ）フィラー、（Ｄ）コアシェルゴム、および、（Ｅ）反応性希釈剤よりなり、前記（Ｅ）反応性希釈剤が、１分子中に２以上のグリシジル基を含む化合物からなり、前記（Ｂ）アミン系硬化剤の含有量が、前記（Ａ）エポキシ樹脂および前記（Ｅ）反応性希釈剤のエポキシ当量に対して、０．５〜１．５当量であることを特徴とする半導体樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】電子部品同士を半田接合し、半田接合部の空隙を熱硬化性樹脂を含有する樹脂層で充填させ、半田接合部を補強する電子部品の製造方法において、空洞（エアギャップ）の発生を抑制することができ、さらに、ボイド（気泡）の発生をも抑制することができる、電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】第１電子部品１または第２電子部品３の少なくとも一方に、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層５を形成する第１の工程と、第１接続用金属電極２と第２接続用金属電極４を当接させる第２の工程と、両接続用金属電極を半田接合させる第３の工程と、を有する電子部品の製造方法において、第３の工程において、板状体を有する加圧装置で加圧を維持しながら前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度に加熱し、さらに、前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度で加圧を開放する。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。
【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、空隙を有し、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４と、第１樹脂４を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９と、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、金属層５に設けられ、かつ少なくとも第１樹脂４の一部を金属層５の外部に露出させる開口部５Ｈと、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 金属電極の腐食を防止する電極腐食防止剤の作製、及びこれを用いた発光デバイスを提供することである。
【解決手段】 テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、トリアルコキシビニルシラン、（３−メルカプトプロピル）トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含むことを特徴とする電極腐食防止剤を作製し、これを発光デバイスに用いることにより、耐腐食性、耐熱性、耐光性を有する高信頼性の発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】強度が向上し、耐摩耗性に優れる硬化物を与える光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなるＬＥＤ用等の光半導体ケースを提供する。
【解決手段】（Ａ）レジン状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）線径０．０５〜１００μｍのチタン酸カリウム、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤（但し、チタン酸カリウム及び白色顔料を除く）、（Ｅ）有機金属触媒、（Ｆ）オルガノポリシロキサンを必須成分とすることを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低粘度であり狭ピッチや狭ギャップへの浸入性がよいアンダーフィル材であって、低吸湿であり、かつシリコンチップやパッシベーション膜材料に対する高い接着性を有する硬化物を提供するアンダーフィル材及び該アンダーフィル材の硬化物で封止された半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】
（Ａ）（Ａ−１）１分子中に２つ以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂及び／又はエポキシ化合物 ５０〜９９質量部、及び（Ａ−２）ビフェニル構造を有する単官能エポキシ化合物 １〜５０質量部（但し、（Ａ−１）と（Ａ−２）の合計は１００質量部である）
（Ｂ）アミン系硬化剤 （Ｂ）成分中のアミノ基のモル量に対する（Ａ）成分中のエポキシ基のモル量が０．７〜１．２となる量、
（Ｃ）無機充填剤 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し５０〜３００質量部、及び
（Ｄ）ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を被覆してなるシリコーン微粒子 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し１〜１５質量部
を含有するアンダーフィル材。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿熱性、低吸水性、機械特性、電気特性に優れるとともに、応力を緩和した樹脂層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体素子が配された半導体領域１２を一面１１ａに有する半導体基板１１と、半導体領域１２を少なくとも覆うように半導体基板１１の一面１１ａ側に配された保護層１５とを備え、保護層１５は第一の絶縁体層１３と第二の絶縁体層１４の積層体からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸湿リフロー試験においても樹脂のクラックやパッケージからの剥離が発生しない硬化物を与える硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び該組成物からなる光学素子封止材、並びにこの硬化物で封止された光学素子を提供する。
【解決手段】従来の硬化性オルガノポリシロキサン組成物に、特定のエステル結合とアルコキシシリル基を有する化合物を配合する。 （もっと読む）

【課題】ケースとカバーとをレーザー溶接により接合する工程や、接着材を用いてケースとカバーとを接着する工程を省略することができ、剛性を向上させた電子回路装置を提供する。
【解決手段】金属製のケース１０１およびカバー１０２により形成される内部空間ＳＰに収納される回路基板を備える電子回路装置であって、ケース１０１およびカバー１０２は、それぞれ内部空間ＳＰを挟んで対向する対向面部１０１Ａ，１０２Ａと、対向面部１０１Ａ，１０２Ａの周縁から立ち上がる側面部１０１Ｂ，１０２Ｂとを有し、カバー１０２は、その側面部１０２Ｂがケース１０１の側面部１０１Ｂよりも内側に入り込むようにケース１０１に嵌め込まれており、カバー１０２の側面部１０２Ｂは、回路基板１０３Ａを封止するようにケース１０１の内側に充填されて硬化された封止樹脂１０５によってケース１０１に固定されている。 （もっと読む）

【課題】透明性を有し、より低硬度の硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】１分子中に少なくとも１個の（メタ）アクリル基を有するポリシロキサンを重合して得られる架橋粒子（Ａ）と、シリコーンレジン（Ｂ）と、ジオルガノシロキサン骨格を有するポリシロキサン（Ｃ）とを含有する硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】注入性、接着性、硬化性、保存安定性等に優れ、かつ、ボイドが発生することがなく、さらに、封止した部位の耐湿性、耐サーマルサイクル性、耐リフロー、耐クラック性、耐反り等に優れた液状封止材、および、液状封止材を用いて封止部位を封止してなる電子部品の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン硬化剤、（Ｃ）金属錯体、（Ｄ）カップリング剤、および（Ｅ）シリカフィラーを含む液状封止材であって、前記（Ｄ）成分のカップリング剤が少なくともビニルトリメトキシシランを含有し、前記（Ｅ）成分のシリカフィラーがシランカップリング剤にて予め表面処理されていることを特徴とする液状封止材。 （もっと読む）

【課題】微粒子やポリマーを配合することなく、強靭化されたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤、（ｃ）分子内に少なくとも一つ以上のアクリル基を有する改質剤を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物が、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤を含む樹脂組成物の硬化物よりも強靭化されている、エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化性、透過率及び加熱クラック耐性に優れ、かつ泡の発生（泡不良）がない硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キットの提供。
【解決手段】シラノール基及びアルコキシシリル基の少なくともいずれかを有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとを少なくとも含むＡ液と、０．２５ｍｏｌ／ｋｇ以上のジルコニウム錯体化合物及びアルミニウム錯体化合物の少なくともいずれかと、溶媒とを少なくとも含むＢ液とを混合することを特徴とする硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キット。 （もっと読む）

【課題】フィレット形状を、凸形状にならないように制御し、信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着材料を提供する。
【解決手段】粘弾性測定装置で測定した２５℃せん断弾性率Ｇｒが１×１０^６Ｐａ以上、レオメーターで測定したハンダ融点までの最低複素粘度η＊ｍｉｎが５×１０^１Ｐａ・ｓ以下であり、温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１Ｈｚ）が温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１０Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１０Ｈｚ）の０．５〜４．５倍である半導体チップ接合用接着材料３。 （もっと読む）

【課題】成型性良好で、強靭性値が高く、半導体素子及び基板の表面との密着性に優れ、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与える液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物の硬化物で半導体素子を封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記（Ｄ）成分以外のエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤、（Ｄ）特定の構造式で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂、及び（E）特定の範囲の重合度を有するジメチルシリコーン、を含む液状エポキシ樹脂組成物；上記液状エポキシ樹脂組成物の硬化物と、該硬化物で封止された半導体素子とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、耐クラック性に優れ、ガス透過性が低い硬化物を形成する付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆されている、信頼性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）平均単位式（１）で表される、共重合組成の異なる二種のオルガノポリシロキサン、（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ａ１（Ｒ^１_２ＳｉＯ_２／２）_ｂ１（Ｒ^１_３ＳｉＯ_１／２）_ｃ１（Ｘ^１Ｏ_１／２）_ｄ１（１）（Ｂ）平均組成式（２）で表される、１分子中に少なくとも２個のＳｉ−Ｈ結合を有し、ケイ素原子に結合したＲ’とＨの合計の５モル％以上がフェニル基であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、Ｒ’_ａ’Ｈ_ｂ’ＳｉＯ_{［（４−ａ’−ｂ’）／２］}（２）及び（Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒を含有する付加硬化型シリコーン組成物。 （もっと読む）