【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の上面のエアダンピング効果が高い領域４ａ，４ｂに掘り込みを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べてスティッキング抑制効果の高いストッパ構造を有する物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 高さ方向に変位可能に支持された可動部２を有する機能層９と、前記機能層と高さ方向に間隔を空けて対向配置された対向部材３０と、を有し、前記対向部材３０には前記可動部と対向する位置に、前記可動部の高さ方向への変位を規制するストッパ部４６，４７が設けられており、前記ストッパ部は、突起基部４２，４３、前記突起基部の表面に形成された金属下地層４４、及び前記金属下地層の表面に形成された絶縁層４５の積層構造により形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＥＭＳ素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、ＭＥＭＳ素子に及ぼされる基板とＩＣとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳ素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、高い検出感度を有する小型の物理量センサーおよびこれを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】物理量センサー１は、４つの振動部５１〜５４と、４つの振動部５１〜５４の集合体の中心Ｏからの動径方向がＸ軸およびＹ軸の両軸に対して４５度の角度を為す方向にある４つの基板固定部６１〜６４と、基板固定部６１〜６４の各々からＺ軸まわりに隣接する２つの振動部へ延びた２つのバネ機構７１１〜７４２と、第１振動部５１、５２をＸ方向に逆位相で振動させつつ、第２振動部５３、５４をＹ方向に互いに逆位相で振動させる振動手段４とを有している。また、２つのバネ機構は、振動部５１〜５４の振動に応じて、ＸＹ平面内で音叉振動する。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、高い検出感度を有する小型の物理量センサーおよびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】物理量センサー１は、円環振動可能なリング部３１と、４つの支持部６１〜６４と、支持部６１〜６４とリング部３１の円環振動の節となる部位とを連結する４つの梁７１〜７２と、可動部を有しリング部３１を介してＸ１軸向に対向配置された一対の第１質量部５１、５２と、可動部を有しリング部３１を介してＹ軸方向に対向配置された一対の第２質量部５３、５４と、一対の第１質量部５１、５２および一対の第２質量部５３、５４のうちの少なくとも一方を第１の周波数で互いに逆位相となるように振動させる振動手段４とを有し、リング部３１は、前記第１の周波数に応じて、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に対して円環振動する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板１０２と、基板の第１電極部１０８ａが配置された側に配置された制御素子であるＩＣ１１０と、可動部１３３と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッド１３６とを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材１４２と、を具備し、可動部は、制御素子に覆われたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部３００は、センサ部１００に設けられた第１固定部と第２固定部とを電気的に接続したクロス配線部３２３を備え、クロス配線部３２３はキャップ部３００の一面３０１に配置されたクロス配線３２２を備えている。また、キャップ部３００は、キャップ部３００を貫通し、一端がクロス配線３２２に電気的に接続され、他端がキャップ部３００の他面３０２に配置された貫通電極３４４を備えている。これにより、貫通電極３４４を介してクロス配線３２２の電位、すなわち、センサ部１００の第１固定部および第２固定部の電位をキャップ部３００の他面３０２に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体加速度センサに製造上の加工バラツキが生じたとしても他軸感度を抑制して加速度の検出精度を向上させる手段を提供する。
【解決手段】外枠部と、外枠部の中心部に配置された重錘部と、外枠部と重錘部とを接続する少なくとも一対の可撓部を有し、一対の可撓部は一の可撓部の外枠部と重錘部との延在方向に他の可撓部が配置される半導体加速度センサであって、Ｙ軸可撓部のＹ軸上に一直線状に、Ｙ軸可撓部の一方の外枠部側から重錘部側に向かって第１のＹ軸抵抗素子、第１のＺ軸抵抗素子、第２のＺ軸抵抗素子、第２のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置し、Ｙ軸可撓部の他方の重錘部側から外枠部側に向かって第３のＹ軸抵抗素子、第３のＺ軸抵抗素子、第４のＺ軸抵抗素子、第４のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 （もっと読む）

【課題】優れた検出感度を有する物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、基部３１と、基部３１からＹ軸方向に延出し、Ｚ軸方向を法線とする板面を有する梁部３４と、梁部３４の先端部に設けられた質量部３５と、梁部３４の板面上に第１電極層４２１、圧電体層４２２および第２電極層４２３がこの順で積層され、梁部３４のＺ軸方向での曲げ変形を検出する検出素子４２とを有し、梁部３４は、Ｚ軸方向からみたときに、基端側から先端側に向けて幅が漸減する形状をなす。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて出力精度の向上を図ることのできる加速度センサ、及び該加速度センサを備えた加速度センサシステムを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ技術で形成される静電容量型の加速度センサであって、基板１と、基板に対向して配置された検出フレーム２１，２２と、基板に対向して配置された慣性質量体５と、検出フレームに対向し基板に配置される検出電極４１、４２とを備え、さらに、検出電極に隣接して基板上に設けられ検出電極の出力値を補正するための補正電極１０１，１０２を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、浮動構造体の支持基板への当接を他の当接を生じさせることなく実現させて、浮動構造体と支持基板との電気的接続を確保することにある。
【解決手段】半導体からなる支持基板と、支持基板上に設けられる絶縁層と、絶縁層上に設けられる活性層と、を備える半導体装置において、絶縁層の一部がエッチング除去されることにより活性層の一部に浮動構造体を形成し、その後、導電性部材を少なくとも浮動構造体を含む活性層に押し付けることで、その浮動構造体を支持基板に当接させて、浮動構造体と支持基板とを導通させる。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）