【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子の形成位置の精度を高め、加速度センサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板の表層に不純物を導入することによってピエゾ抵抗部を形成し、非原型領域のうち、可撓部Ｆの原型領域の第三端および第四端に隣接し前記第三端と第四端とからそれぞれ一定距離の幅を有する側壁形成領域において、前記基板の表面に、前記基板に対するエッチング選択性を有する側壁１４ａを形成し、可撓部Ｆの原型領域および錘部Ｍの原型領域および枠部Ｓの原型領域を保護する保護部と、側壁１４ａとをマスクに用いて前記基板を異方性エッチングすることにより、枠部Ｓと錘部Ｍと可撓部Ｆとを形成するとともに、前記ピエゾ抵抗部からピエゾ抵抗素子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を形成する。 （もっと読む）

集積回路（１０００）が、バックサイドキャビティ（１０２６）が集積回路の基板（１００２）内に配置された容量性マイクロホンを含む。基板にエッチャントがアクセスできるように誘電体支持層（１００４）を通して基板表面にアクセスホール（１００６）を形成することができ、それによってバックサイドキャビティ（１０２６）が形成される。バックサイドキャビティ（１０２６）は、容量性マイクロホンの固定プレート（１０１０）および透過膜（１０１８）が形成された後で、透過膜およびアクセスホールを通して基板にエッチャントを提供することによってエッチングし得る。
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ＭＥＭＳデバイス（１００）が集積回路チップ（１０１）と、リードフレームベースのプラスチック成形本体（１２０）を含むパッケージとを有し、パッケージは本体の厚み（１２１）を通る開口（１２２）を備える。可動フォイル部品（１３０）が本体（１２０）に固定され、開口（１２２）を少なくとも部分的に横切って延びうる。チップ（１０１）は、フォイルを横切って拡がるようにリード（１１０）にフリップ実装され、フォイル（１３０）からギャップにより隔てられうる。リードは、予め製造された個別部品のリードフレーム上にあってもよく、或いは犠牲キャリア上に金属を堆積し、その金属層をパターニングするプロセスフローによって製造されてもよい。その結果のリードフレームは平坦であってもよく、或いは積層型のパッケージ・オン・パッケージデバイスに有用なオフセット構造を有してもよい。
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【課題】センサをパッケージ化する際、樹脂封止を用いず、制御ＩＣをセンサと共にパッケージ化する場合、その制御ＩＣの仕様などの変更に合わせた接続関係の変更を容易にし、高い信頼性を維持するセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のセンサデバイスは、有機材料を含み、配線を有する基板と、基板上に配置されて、配線と電気的に接続されたセンサと、基板上に配置されて、且つセンサを覆う有機材料を含むパッケージキャップと、を具備し、パッケージキャップの内側は中空であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動部を形成された半導体層を有する基板または可動部を形成された半導体基板とガラス基板とが接合されて構成される半導体センサであって、基板の接合に高価な設備を使用する必要がなく、且つ低い温度で接合できて安定した特性を確保できる、低コストで安定した特性の半導体センサを提供する。
【解決手段】可動部131の形成されているSOI基板１の半導体層13とガラス基板２、およびSOI基板1の半導体基板11とガラス基板3とが、位置合せされてそれぞれに形成された金属層を接触させた状態で、ガラス基板側が負電位になるように接続された直流電圧による静電引力によって互いに押圧を受け、接合部4aを形成して一体化されている。直流電圧による静電引力は、金属層が形成されていないガラス基板の領域と、これに対向している半導体層や半導体基板およびこれら上の金属層との間で発生する。 （もっと読む）

【課題】使用時の電流ばらつきを抑えながら空乏層の接触を防止する素子構造を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にＮ型ドーパントをイオン注入し、Ｎ＋層を形成する。表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。Ｎ＋層が裏面側の空乏層の広がりを抑止するため、基板の比抵抗を高くしてもピエゾ抵抗の空乏層と接触することがない。例えば、基板の比抵抗を１Ω・ｃｍ以上とすれば、ドーパント濃度は１×１０¹⁶個/cm3以下となり、ピエゾ抵抗のドーパント濃度（例えば１×１０¹⁸個/cm3）に対して少なくなり、基板の比抵抗のばらつき（１Ω・ｃｍ〜１０Ω・ｃｍ程度）が、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきに与える影響は非常に小さくなる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に導電膜によりセンサ板を設ける構造において、寄生容量の影響を無くし、人体の接触を確実に検知可能とする。
【解決手段】センサ本体部１０１は、拡散層３が形成されたシリコン基板２に絶縁膜４が積層形成され、その上にセンサ板５が配設されて樹脂パッケージ６により覆われた構成とされ、センサ板５には、第１の抵抗器２１を介して正弦波発振回路１４の出力が印加され、拡散層３には、正弦波発振回路１４の出力が直接印加され、樹脂パッケージ６へ対する人体の接触により生ずる第１の抵抗器２１の電位差が計装アンプ１０２により増幅され、比較器１５において所定の基準電圧を超えた場合に、人体の接触が生じたとする論理値Ｈｉｇｈに相当する電圧ＶＯＵＴが出力されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】重り部の厚み寸法の大型化や軽量化をすることなく検出感度を向上させることのできる加速度センサを提供する。
【解決手段】第１の凹部４１，５１と充実部４０，５０が一体に形成された重り部４，５と、１対のビーム部６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂと、可動電極４ａ，５ａと、第１の固定電極２０ａ，２１ａ及び第２の固定電極２０ｂ，２１ｂとから成るセンサ部を備え、重り部４，５の重心位置から回動軸に下ろした垂線と可動電極４ａ，５ａの表面とが成す角度が略４５度となるように、ビーム部６ａ，…を第１の凹部４１，５１側にずらして配置し、且つ充実部４０，５０に一面に開口する第２の凹部４４，５４を設け、重り部４，５を成す材料よりも比重の高い金属材料から成る補助重り部４５，５５を第２の凹部４４，５４に埋設した。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合された能動素子モジュール５とを備えたものであり、センサー２は、可動機能領域２Ａ内に位置するピエゾ抵抗素子と、これに電気的に接続され可動機能領域２Ａの外側に位置する複数のバンプ６を有するセンサー本体と、センサー本体に接合された保護用蓋部材と、を有し、能動素子モジュール５は、複数のコンタクト電極５４を有し、このコンタクト電極５４がバンプ６に接続するようにセンサー２と対向し、センサーとの間隙９には、可動機能領域２Ａを囲む堰部材７が位置し、この堰部材７の外側の間隙９には弾性率が１〜１０ＧＰａの範囲にある封止樹脂８が存在する。 （もっと読む）

【課題】電極部を不要としてセンサの小型化を図ることのできる加速度センサを提供する。
【解決手段】凹部４１，５１と充実部４０，５０が一体に形成された重り部４，５と、１対のビーム部６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂと、可動電極４ａ，５ａと、第１の固定電極及び第２の固定電極と、検出電極とから成るセンサ部を備え、重り部４，５の可動電極４ａ，５ａ側の面と所定の間隔を空けて配置される上部固定板２ａと、上部固定板２ａに厚み方向に沿って埋設されるシリコン材料から成る埋込電極Ａ１〜Ａ４とを有し、埋込電極Ａ１〜Ａ４は、その可動電極４ａ，５ａと対向する側の端部が固定電極として用いられ、他端部が検出電極として用いられる。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の結晶欠陥に起因する貫通孔を抑制した積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合した能動素子モジュール５とを備え、センサー２は、ピエゾ抵抗素子２９Ｘ，２９Ｙ，２９Ｚに電気的に接続し可動機能領域２Ａの外側に位置する端子３１を有するセンサー本体３と、センサー本体３の枠部２３に接合された保護用蓋部材４と、を有し、能動素子モジュール５は、複数の貫通電極５３と、センサー２の可動機能領域２Ａを囲むように配設された絶縁性樹脂部材５４と、所望の貫通電極５３に接続し、かつ、絶縁性樹脂部材５４上まで達しているコンタクト電極５５とを有し、コンタクト電極５５がセンサー本体３の端子３１と接触した状態で、絶縁性樹脂部材５４がセンサー２と能動素子モジュール５とを接合している。 （もっと読む）

【課題】センサの検出部分が外枠から分離した加速度センサ、及び加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】底面シリコン基板３０の上に実装された加速度センサ１に対して、左右方向からセンサ部２８に対して印加される外力（物理的な押圧力など）を外枠２が受け止める構成とされており、センサ部２８の内部構造を保護している。シリコン柱４は底面シリコン基板３０から立設され、外枠２からは離間し、且つそれぞれが互いに離間して底面シリコン基板３０の上に複数設けられている。シリコン柱４の先端からは、それぞれ底面シリコン基板３０に沿う方向にビーム６が設けられ、複数のビーム６の先端は空間６０の略中央付近で錘部８に一体化されている。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーパッケージと、このようなセンサーパッケージを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーパッケージを、センサーと、このセンサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材と、センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線と、センサーを貫通し両面の所望の上記配線に接続した複数の表裏導通ビアと、を有し、裏面の配線が外部端子を有し、この外部端子に外部端子凸部材を備えるとともに、センサーのアクティブ面と保護材との間の空隙部は、封止部材により設定され、アクティブ面に対して封止部材は表裏導通ビアよりも外側の領域に位置しているものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの製造工程における、貫通穴の形成を抑制し、製造歩留まりの向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、ダイヤフラム部Ｄを備えた半導体基板３と、前記ダイヤフラム部Ｄに印加される圧力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗素子（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）と、前記ダイヤフラム部表面及び前記ピエゾ抵抗素子表面を含む前記半導体基板表面を覆うアルカリ耐性を持つ第1の絶縁膜８ａと、前記第１の絶縁膜の上層に形成され、少なくとも前記第1の絶縁膜の表面を覆う導電性薄膜７と、前記導電性薄膜表面を覆うアルカリ耐性を持つ第２の絶縁膜８ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】圧力センサ装置において、低コスト化するとともに、長期的な信頼性を高め、かつ測定信号の精度および信頼性を高くすること。
【解決手段】ダイアフラム４５、ピエゾ抵抗素子、増幅回路および各種調整回路を内蔵した圧力センサチップ４１を、ダイアフラム４５が台座部材４２の貫通孔４６に臨むように台座部材４２に接合する。台座部材４２と金属板部材２４３とを、それらの貫通孔４６，２４８がつながるように接合する。樹脂ケース２４４に金属パイプ部材２４３を接着し、樹脂ケース２４４の信号端子２５８と圧力センサチップ４１とをワイヤボンディング５９により電気的に接続し、圧力センサセル１０２とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高性能化が可能な静電容量型センサを提供する。
【解決手段】可動電極１５，１５と固定電極２５，２５とで構成される２つのコンデンサを有するセンサ部Ｅ１と、センサ部Ｅ１と空間的に分離して配置されセンサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２と、センサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２を厚さ方向の両側から封止するための第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。各カバー基板２，３は、低誘電率基板であるガラス基板２０，３０を用いて形成され、センサ部Ｅ１とＩＣ部Ｅ２とは、第１のカバー基板２に形成されセンサ部Ｅ１に電気的に接続された第１貫通配線２１と、第１のカバー基板２に形成されＩＣ部Ｅ２に電気的に接続された第２貫通配線２２と、第１のカバー基板２におけるセンサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２とは反対側の表面に設けられ第１貫通配線２１と第２貫通配線２２とを繋ぐ表面配線２６とで電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高感度化を図れる静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１、錘部１３、一対のトーションビーム１２，１２、２つの可動電極１５，１５が設けられたセンサ本体１と、センサ本体１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３と、第１のカバー基板２において各可動電極１５，１５それぞれに対向して設けられた固定電極２５，２５とを備えている。各固定電極２５，２５それぞれが、第１のカバー基板２におけるセンサ本体１側に形成され各固定電極２５，２５それぞれに対応付けられた接続配線２６とセンサ本体１の錘部１３の開口窓１４内に配置された島部１６とを介して当該島部１６における第１のカバー基板２側の第１の外部接続用電極であるパッド１８と電気的に接続され、各可動電極１５，１５が第１のカバー基板２側の第２の外部接続用電極であるパッド１８，１８と電気的に接続されている。 （もっと読む）